-
公开(公告)号：CN104752309A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310732418.7
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/76259
Abstract: 本发明提供一种剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在其表面外延生长一掺杂单晶层；所述掺杂单晶层厚度大于15nm；S2：在所述掺杂单晶层表面外延生长一单晶薄膜；S3：在所述单晶薄膜表面形成一SiO2层；S4：进行离子注入，使离子峰值分布在所述SiO2层以下预设范围内；S5：提供一表面具有绝缘层的基板与所述单晶薄膜表面的SiO2层键合形成键合片，并进行退火以使所述键合片在预设位置剥离，得到绝缘体上材料。本发明利用较厚掺杂单晶层对注入离子的吸附作用，并控制注入深度，使剥离界面为所述掺杂单晶层的上表面、下表面或其中离子分布峰值处，从而达到精确控制剥离位置的目的。
-
公开(公告)号：CN104686575A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310648050.6
申请日：2013-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种锗基石墨烯的抗菌用途。抗菌实验表明，锗基石墨烯对多种革兰氏阳性菌及革兰氏阴性菌具有良好的杀菌和抗菌能力，通过接触细菌，使细菌的细胞质流出来达到杀菌效果，有效抑制细菌的增殖和分裂；同时，锗基石墨烯中的锗对人体具有保健功效如抗疲劳、防止贫血、帮助新陈代谢、抑制肿瘤等，因此可以将锗基石墨烯开发为高效、具有保健作用、无毒的新型抗菌材料，并应用于服装、口罩、首饰、电子产品等领域，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103065938B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210593808.6
申请日：2012-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种制备直接带隙Ge薄膜的方法，包括提供一GeOI衬底；对所述顶层锗纳米薄膜进行图形化处理，开出若干与底部所述埋氧层贯通的腐蚀窗口；湿法腐蚀直至埋氧层被彻底腐蚀掉，使得所述图形化的顶层锗纳米薄膜与硅衬底虚接触；提供一PDMS载体，所述PDMS载体与所述顶层锗纳米薄膜紧密接触，从而将与硅衬底虚接触的顶层锗纳米薄膜转移到PDMS载体上；将该PDMS载体两端夹紧，并反向施加机械拉伸使得顶层锗纳米薄膜随着PDMS载体的拉伸而形变，在其内部产生张应变。采用本发明的方法制备的直接带隙Ge薄膜应变大小可控，可用于光电器件；其具有低缺陷、低位错密度的特点；通过机械拉伸制备直接带隙Ge纳米薄膜的方法工艺简单，成本较低。
-
公开(公告)号：CN103265021A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310207387.3
申请日：2013-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种层数可控石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：1）提供一Cu衬底，在所述Cu衬底上形成一Ni层；2）采用离子注入法在所述Ni层中注入C；3）对步骤2）形成的结构进行退火处理使得所述Cu衬底中的部分Cu进入所述Ni层中形成Ni-Cu合金，而Ni层中注入的C被进入所述Ni层中的Cu从Ni层中挤出，在所述Ni-Cu合金表面重构形成石墨烯。本发明获得的石墨烯薄膜具有质量好、大尺寸且层数可控的优势，且易于转移。另外，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺，本发明的层数可控石墨烯的生长方法将能更快地推动石墨烯在半导体工业界的广泛应用。
-
公开(公告)号：CN103247520A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210026563.9
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法。根据本发明的方法，首先，基于至少一种注入能量向催化衬底注入碳离子；随后，对已注入碳离子的催化衬底进行退火处理以使注入的碳离子析出，并在所述催化衬底表面形成至少一层石墨烯薄膜层；最后，去除所述已形成至少一层石墨烯薄膜层的结构的催化衬底以获得至少一层石墨烯薄膜层。本法所制备出的石墨烯薄膜质量好、尺寸大、且层数可控；相比于SiC升华法，本法制备的石墨烯易于转移；相比与化学气相沉积法，本法制备的石墨烯层数可控。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103165420A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110418827.0
申请日：2011-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，并使所述Si1-xGex层弛豫以形成弛豫Si1-xGex层；其次在所述弛豫Si1-xGex层上外延包括Si层和Si1-yGey层的双层薄膜；而后多次重复外延所述双层薄膜，在所述弛豫Si1-xGex层上制备出超晶格；接着在所述超晶格上外延一Ge组分为z的Si1-zGez层并使所述Si1-zGez层弛豫以形成弛豫Si1-zGez层，由所述弛豫Si1-xGex层、超晶格和弛豫Si1-zGez层构成虚衬底；最后在所述弛豫Si1-zGez层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。
-
公开(公告)号：CN102874801A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210390882.8
申请日：2012-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法，在氢气和惰性气氛下将半导体基底加热至810~910℃，保持该温度不变且通入碳源，采用化学气相沉积的方法在所述半导体基底表面进行反应，反应完毕后关闭碳源，并在氢气和惰性气氛下冷却至室温，完成在所述半导体基底表面制备石墨烯。相较于采用化学气相沉积在传统基底表面生长石墨烯而言，本发明直接在半导体材料表面合成制备石墨烯，简化了石墨烯制备工艺；同时，通过调节反应参数，可制备大尺寸、层数可控且无缺陷高质量石墨烯薄膜；另外，本发明与半导体工业相兼容，将能更快地推动石墨烯在半导体工业界的广泛应用。
-
公开(公告)号：CN102842495A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210376802.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合物外延层。此外，本发明的制备工艺简单，成本低，有利于推广使用。
-
公开(公告)号：CN102751184A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210254007.7
申请日：2012-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种降低Si表面粗糙度的方法，属于半导体领域，包括步骤：首先提供一至少包括SixGe1-x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGe1-x层，获得具有残留SixGe1-x材料的Si层粗糙表面，然后采用质量比为1∶3~6∶10~20的NH4OH:H2O2:H2O溶液对所述Si层粗糙表面进行处理，去除所述残留SixGe1-x材料，以获得光洁的Si层表面。本发明可以有效降低去除应变硅表面的SixGe1-x材料残余，降低应变硅表面的粗糙度，获得光洁的应变硅表面，为后续的器件制造工艺带来了极大的便利。本发明工艺简单，适用于工业生产。
-
公开(公告)号：CN105321821B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201410328962.X
申请日：2014-07-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一自上而下依次包括顶层应变半导体层、埋氧层及半导体衬底的半导体结构，刻蚀顶层应变半导体层形成预设图形微结构及基座；所述微结构包括一对平板及连接于该一对平板之间的至少一条中心桥线；所述平板的外端连接于基座；S2：通过干法腐蚀去除所述微结构下方的埋氧层以释放微结构，使得所述平板应力弛豫，中心桥线应力增加。本发明通过弹性变形机制和图形化改变顶层应变半导体层本身的固有应力，使得平板应力弛豫，而中心桥线应力增加，从而实现应力大小及应力区域的调控，在绝缘体上应变半导体材料结构上制备高质量、大应变的应变纳米线，工艺简单高效。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
92
records
(took 0.069 seconds)
