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公开(公告)号：CN114124022A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111437684.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种增强散热的悬空谐振器及制备方法，包括导热支撑衬底、位于导热支撑衬底上方的单晶压电层、设置于单晶压电层上的图案化电极换能器组件；导热支撑衬底中设置位于单晶压电层下方的悬空腔体，悬空腔体的形状通过图案化离子注入形成，图案化电极换能器组件包括第一区域和第二区域，且悬空腔体的横截面与第一区域的横截面相匹配，以使得第一区域对应的单晶压电层悬空，第二区域对应的单晶压电层不悬空。本发明通过在单晶压电层下方设置部分悬空的悬空腔体，能够激发并利用具有大机电耦合系数的高声速声波模式，避免声波能量向衬底的泄露；同时，在第二区域内与导热支撑衬底紧密接触，大大改善器件的散热性能、功率容量及机械稳定性。
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公开(公告)号：CN110572135B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910876649.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于极低声阻部件的高频声波谐振器及其制备方法，高频声波谐振器的制备方法包括如下步骤：1)制备极低声阻部件；2)于所述极低声阻部件的上表面上形成压电膜；3)于所述压电膜的上表面形成图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法，通过在压电膜下设置极低声阻部件，增大压电膜与其下方的极低声阻部件的阻抗差，可有效激发高声速弹性波(如S0波)，在加强对其界面反射的同时并将其机械能有效约束在压电膜中，从而在提高声表面波谐振器频率的同时，使其保持较高的Q值；避免了高频声表面波谐振器所激发的高声速弹性波大量向衬底泄露而导致的器件性能严重退化的问题的发生。
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公开(公告)号：CN113708739A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111000441.8
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波滤波器，包括多个谐振器，多个谐振器包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器，串联臂谐振器和所述并联臂谐振器之间的夹角在预设夹角区间内；每个谐振器包括：支撑衬底、压电薄膜和多个电极，压电薄膜设置在支撑衬底上，多个电极设置在压电薄膜上。基于本申请实施例通过将串联臂谐振器和并联臂谐振器之间的夹角设置在预设夹角区间内，可以抑制瑞利杂波，提高滤波器的综合性能。
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公开(公告)号：CN112272015A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011240566.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，包括：底电极、压电膜结构及顶电极；其中，压电膜结构包括至少两层叠置的压电膜，相邻两层压电膜之间具有不同的欧拉角；当在压电膜结构中激发厚度剪切波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电向量 均满足模长 且相邻两层压电膜的压电向量位于不同象限；当在压电膜结构中激发厚度伸缩波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电系数e33的绝对值均大于0.5C/m2，且相邻两层压电膜的压电系数e33符号相反。通过本发明提供的声波谐振器，解决了现有技术中通过降低压电膜厚度来提高声波谐振器工作频率所导致的器件机械结构稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN111416590A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010244235.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种高频声波谐振器及其制备方法，该高频声波谐振器包括：高声速支撑衬底；绝缘介质层，绝缘介质层位于高声速支撑衬底的上表面；压电膜，压电膜位于绝缘介质层的上表面；叉指电极，叉指电极位于压电膜的上表面。通过在压电膜下方设置高声速支撑衬底可以增大压电膜中所激发传播的目标弹性波的声速，并可有效约束目标弹性波的传播，提高高频声波谐振器的谐振频率；通过在压电膜与高声速支撑衬底之间设置绝缘介质层，可以有效降低压电膜中电场能量的泄露，可增强高频声波谐振器的机电耦合系数；通过选择合适的绝缘介质层，可以对高频声波谐振器进行温度补偿，降低高频声波谐振器的温漂，提高高频声波谐振器的温度稳定性。
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