-
公开(公告)号：CN112951917B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110125788.9
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电极之间的栅介质层和栅电极；在所述n型氧化镓沟道层中、栅电极的下方设有p型离子注入区，所述p型离子注入区的深度由靠近所述源电极的一端向靠近所述漏电极的一端逐渐变浅。本发明提供的氧化镓场效应晶体管，不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氧化镓MOSFET的导通电阻。
-
公开(公告)号：CN112993054A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110161027.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/207 , H01L29/06 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种GaN太赫兹二极管、倍频单片、倍频器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括高阻硅衬底、外延生长于高阻硅衬底上的金刚石薄膜层、外延生长于金刚石薄膜层上的N+GaN层、外延生长于N+GaN层上的N‑GaN层、欧姆接触电极，以及肖特基接触电极。本发明提供的GaN太赫兹二极管利用金刚石材料介电常数低、热导率高的特性，能够提升器件散热能力，降低寄生电容和内部结温，从而提升器件的耐功率水平。本发明提供的倍频单片和倍频器均采用了上述GaN太赫兹二极管。
-
公开(公告)号：CN112993042A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110160011.6
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/207 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种倍频单片、GaN太赫兹二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括N面上外延生长有氮化铝中间层的外延GaN层、外延生长于氮化铝中间层上的金刚石衬底层、依次外延生长于外延GaN层的Ga面上的高掺杂N型GaN层和低掺杂N型GaN层，以及欧姆接触电极和肖特基接触电极。本发明提供的GaN太赫兹二极管采用金刚石衬底层作为器件衬底结构，能够提高GaN太赫兹二极管的散热性能，降低器件内部结温和内部寄生电容，提升GaN太赫兹二极管的耐功率水平。本发明提供的倍频单片采用了上述GaN太赫兹二极管。
-
公开(公告)号：CN108414120B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810168893.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L41/04
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，该方法包括：在第一硅片中制备凹槽；将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；将GaN晶圆与所述密封腔体键合，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层，所述衬底与所述密封腔体的第一硅片的表面接触；在键合后的所述GaN晶圆上制备压力敏感单元。本发明能够实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。
-
公开(公告)号：CN107481939B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201710596614.4
申请日：2017-07-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/44 , H01L29/423 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种帽层结构氧化镓场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：去除氧化镓外延片无源区域的氧化镓沟道层和氧化镓帽层；分别去除所述氧化镓外延片的源区对应的氧化镓帽层和漏区对应的氧化镓帽层；分别在所述源区对应的氧化镓沟道层部分和所述漏区对应的氧化镓沟道层部分掺杂N型杂质；分别在所述源区对应的氧化镓沟道层的上表面和所述漏区对应的氧化镓沟道层的上表面覆盖第一金属层，分别形成源极和漏极；在栅区对应的氧化镓帽层的上表面覆盖第二金属层形成栅极。本发明能够提高MOSFET的性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109682510B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811494579.6
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种GaN高温压力传感器，包括硅衬底和硅基座，硅衬底上设有GaN外延层，GaN外延层上设有压阻器件和引脚，硅衬底的下表面且对应压阻器件正下方设有减薄凹槽，减薄凹槽对应的区域为压力检测区，压阻器件位于压力检测区，引脚在压力检测区之外；硅基座下表面设有第一刻蚀凹槽，第一刻蚀凹槽的槽底设有第二刻蚀凹槽和通孔；硅基座与硅衬底通过玻璃浆料烧结密封连接，压阻器件位于第二刻蚀凹槽内，引脚位于第二刻蚀凹槽之外，通孔内填充用于将引脚引出的金属。本发明提供的GaN高温压力传感器，具有较强的压电极化效应，具备在高温、辐照环境下工作的能力，在硅衬底上外延GaN，可以制备较大的晶圆，且加工工艺比碳化硅材料容易。
-
公开(公告)号：CN109668661B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811494577.7
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种GaN高温压力传感器，包括硅衬底和硅基座，硅衬底上设有GaN外延层，GaN外延层上设有压阻器件和引脚，硅衬底的下表面且对应压阻器件正下方设有减薄凹槽，减薄凹槽对应的区域为压力检测区，压阻器件位于压力检测区，引脚在压力检测区之外，引脚对应的位置设有贯穿GaN外延层和硅衬底的通孔，通孔内填充用于将引脚从硅衬底的下表面引出的金属；硅基座下表面设有刻蚀凹槽，硅基座与硅衬底通过玻璃浆料烧结实现密封连接，压阻器件和引脚密封于刻蚀凹槽内。本发明提供的GaN高温压力传感器具有较强的压电极化效应，具备在高温、辐照环境下工作的能力，在硅衬底上外延GaN，可以制备较大的晶圆，且加工工艺比碳化硅材料容易。
-
公开(公告)号：CN107528547B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710562339.4
申请日：2017-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯射频放大器单片集成电路，涉及集成电路制造技术领域，包括输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路；输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路安装在同一衬底上，输入电路连接放大电路，放大电路连接输出电路，输入偏置电路连接输入电路，输出偏置电路连接输出电路；信号通过输入电路进入放大电路中，输入偏置电路对输入信号调节，信号在放大电路中进行放大，然后通过输出电路输出，输出偏置电路对输出的信号进行调节，由此该石墨烯射频放大器单片集成电路实现较高的增益，解决普通放大器增益低的问题。
-
公开(公告)号：CN112289865A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011084999.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供了一种可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括第一金属电极、和第二金属电极，所述第二金属电极分隔为上分电极和下分电极，第一肖特基结连接在所述第一金属电极和所述上分电极之间，第二肖特基结反向并联在所述第一金属电极和所述下分电极之间。本发明提供的可偏置混频肖特基二极管结构，采用两个肖特基结反向并联的形式，肖特基结一端与同一个金属电极连接，另一端连接两个不相连的金属电极，这样可以对二极管进行偏置，从而降低混频器对本振功率的需求，降低本振源的难度。
-
公开(公告)号：CN112289791A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011085015.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/08 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括多个同向并联的肖特基结。本发明提供的用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管，采用多个同向肖特基结并联的形式，进而增加总电容数值，提高电容测试精度，通过测试多个二极管电容的准确值，再进行线性拟合得到单结二极管的准确结电容。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
210
records
(took 0.04 seconds)
