基于硅基光波导微环谐振腔的双层石墨烯电光调制器的制备方法

    公开(公告)号:CN103869504B

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201410123884.X

    申请日:2014-03-31

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明为一种基于硅基光波导微环谐振腔的双层石墨烯电光调制器的制备方法。首先进行光波导微环谐振腔的仿真与设计,选出Q值较高的设计并进行工艺流片,然后取已有的SOI片进行光波导微环谐振腔的工艺制备,接着在制备好的光波导微环谐振腔上生长两层石墨烯和一层Al2O3­,最后引两个对称分布的电极即可。本发明方法能提供很强的石墨烯与光的相互作用,提供高强度的光电转换;由于石墨烯对光的吸收与光的波长无关,所以可以进行宽频操控;同时石墨烯在室温下的载流子迁移率极高,通过施加外电场可以使调制时间降至皮秒级别,再加上它能与CMOS工艺相兼容,这对以后集成光学芯片的微型化、高速化以及低功耗具有重大意义。

    光纤与光波导芯片高效垂直耦合互连的封装方法

    公开(公告)号:CN102540349A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210014097.2

    申请日:2012-01-18

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种光纤与光波导芯片高效垂直耦合互连的封装方法,其包括以下步骤:制备出硅基纳米波导光栅,并应用扫描电镜对硅基纳米波导光栅进行扫描;准备好低折射率固化封装材料;制备单模光纤;在硅基纳米波导光栅的表面涂覆光学增透膜;调整单模光纤和硅基纳米波导光栅之间的位置;点胶单模光纤与硅基纳米波导光栅的耦合端;对点胶的内部封装体进行曝光固化;制备出V型光纤定位槽;将单模光纤放置到V型光纤定位槽中;进行单模光纤的固化封装;对点胶的V型光纤定位槽进行曝光固化;对最终封装后的结构进行测试。本发明克服目前光集成芯片上纳米波导与光栅垂直耦合系统的不稳定性等缺点,且结构简单、稳定性好、抗外界干扰且易于阵列集成。

    硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构及装置

    公开(公告)号:CN215956645U

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202121890231.6

    申请日:2021-08-13

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本申请涉及硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构及装置,具体而言,涉及麦克风装置领域;本申请提供的硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构,结构包括:衬底、第一电极层、压电材料层和第二电极层;由于该第一电极层、压电材料层和第二电极层的形状均为“T”形结构,且该“T”形结构的第一电极层的短端与开口空腔结构的开口位置的边缘连接,使得该第一电极层、压电材料层和第二电极层形成了悬臂梁结构,悬臂梁结构可以在声音的振动的作用下,进行振动,进而使得压电材料层上的电荷发生转移,则使得该第一电极层和第二电极层上的电荷量发生改变,即该麦克风结构的输出发生改变,通过对输出电信号进行检测,可以得到更为准确的声音信号。

    压电式微机械超声换能器芯片结构及超声换能器阵列结构

    公开(公告)号:CN221657067U

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202323565644.9

    申请日:2023-12-26

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本实用新型涉及一种压电式微机械超声换能器芯片结构及超声换能器阵列结构,芯片结构包括SOI晶圆基底和芯片敏感层;SOI晶圆基底包括自下而上堆叠的衬底层、埋氧层和器件层,衬底层内开设贯穿其上下端面的六边形开孔;芯片敏感层包括自下而上堆叠的下电极层、第一压电层和上电极层,下电极层堆叠在器件层的上部;上电极层为六边形电极结构,上电极层位于六边形开孔的正上方;埋氧层、器件层、下电极层和第一压电层上均开设若干个上下一一对齐的第一凹陷;所述若干个第一凹陷呈六边形轮廓分布在上电极层的外周,所述六边形轮廓靠近或位于六边形开孔的边缘处。提高了芯片敏感层的有效振动位移,提高了芯片作为驱动器和传感器的性能。

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