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公开(公告)号：CN107248535B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710304338.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光控HEMT及其控制方法，结合了增强型和耗尽型导电沟道，当合适的光信号入射到量子阱有源区时，第一沟道层中产生的电子‑空穴对可以在栅压电场的作用下迅速分离，电子处于第一沟道层中导通，空穴在电场作用下向第二沟道层漂移并与第二沟道层中的电子复合，消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，使第一沟道层中光生电子迁移率大大提高，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷。由于第一沟道导通的自由电子完全是由光照产生的，通过外加光信号控制第一沟道的截止与导通，无光照时第一沟道截止，有光照时第一沟道导通，因此本发明所述电子器件的开关完全是由光控制的，并且只有光生电子参与第一沟道信号的传输，从而可以大大提升HEMT的频率特性。
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公开(公告)号：CN107195711B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710304823.7
申请日：2017-05-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电混频HEMT，包括最下层的衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；其中所述量子阱有源层从上到下依次包括：第一势垒层、第一隔离层、第一沟道层、光吸收层、第二沟道层、第二隔离层、第二势垒层；在所述量子阱有源层的外表面设置源极、漏极和栅极，栅极位于源极和漏极的中间，源极和漏极为欧姆接触。本发明有效缩短了空穴的运动距离，并且消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷，从而可以大大提升光电混频HEMT的频率特性。
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公开(公告)号：CN108631324A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810554329.0
申请日：2018-05-31
Applicant: 江苏方天电力技术有限公司 , 东南大学 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网公司
IPC: H02J3/16
Abstract: 一种电网多无功电压装置无功分配协调控制系统及方法，包括服务器、AVC控制器、远动机、以太网和无功调节设备。AVC控制器用来采集无功调节设备和系统信息并且实现自动电压控制功能；服务器用来产生系统的无功调节指令；远动机用来将AVC控制器采集到的信息上送给服务器并且接收来自服务器的无功调节指令；无功调节设备主要包括各光伏逆变器和SVG，用来调节系统的无功功率；以太网用来远动机、AVC控制器和无功调节设备之间的数据通信。本发明能够控制光伏并网点电压在合理范围内，有利于实现大规模光伏电站的安全稳定并网，对后续的研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107248536A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710312256.X
申请日：2017-05-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/11
CPC classification number: H01L31/035236 , H01L31/11
Abstract: 本发明公开了一种基于量子阱结构的光开关器件，包括衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；量子阱有源层从上到下依次包括第一势垒层、第一隔离层、第一沟道层、第二沟道层、第二隔离层和第二势垒层。本发明的量子阱有源区具有两个导电沟道，因此在导电沟道中不存在光生电子‑空穴之间的库伦吸引而造成的载流子迁移率不高的问题，使第一沟道层中光生电子迁移率大大提高，同时空穴不参与第一沟道的导电，从而避免了空穴迁移率低的问题，进而消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，使第一沟道层中光生电子迁移率大大提高，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷。本发明只有高迁移率的电子参与第一沟道信号的传输，从而可以提升光开关的速度和频率特性。
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公开(公告)号：CN107195711A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710304823.7
申请日：2017-05-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1136 , H01L31/03529 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了一种光电混频HEMT，包括最下层的衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；其中所述量子阱有源层从上到下依次包括：第一势垒层、第一隔离层、第一沟道层、光吸收层、第二沟道层、第二隔离层、第二势垒层；在所述量子阱有源层的外表面设置源极、漏极和栅极，栅极位于源极和漏极的中间，源极和漏极为欧姆接触。本发明有效缩短了空穴的运动距离，并且消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷，从而可以大大提升光电混频HEMT的频率特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103560380B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201310559289.6
申请日：2013-11-12
Applicant: 东南大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种稳定的光电振荡器，包括激光器、电光调制器、长光纤、光电探测器，放大器、电带通滤波器、电调微波移相器、高稳定微波源、2×1合波器或定向耦合器、第一1×2功分器或定向耦合器、第二1×2功分器或定向耦合器、第三1×2功分器或定向耦合器以及锁相控制模块，其中，锁相控制模块包括混频器、电低通滤波器和伺服控制模块，混频器的输出端连接到电低通滤波器的输入端，电低通滤波器的输出端连接到伺服控制器的输入端；本发明光电振荡器在传统的单环OEO结构的基础上增加了外置高稳定微波源的电注入和锁相控制机构，相比于现有的技术方案，本发明不增加谐振腔内光链路的插入损耗，保持了光电谐振腔的高信噪比，其结构复杂度也比现有方案低，易于实现。
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公开(公告)号：CN100386877C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN02137995.5
申请日：2002-07-23
Applicant: 东南大学
Inventor： 杨春
IPC: H01L27/00
Abstract: 本发明是一种并行光互连集成电路芯片，包括芯片基体，在芯片基体上设有电路单元，在芯片基体上设有光电转换单元，光电转换单元与电路单元的相应接点相连。本发明中的光电转换单元的芯片可以用光作为信息载体输出或输入信号，与电互连相比，具有更大的信号带宽且不受电磁干扰的影响。在最近邻的光电转换单元的间距相同的情况下，采用六角密排结构的芯片在单位面积上光电转换单元的数量多于其他排列结构的芯片，从而可以在有限尺寸的芯片上制作更多的光电转换单元，从而可以提供更多的信号通道数量。
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公开(公告)号：CN210380837U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921965777.6
申请日：2019-11-14
Applicant: 江苏方天电力技术有限公司 , 东南大学 , 国网江苏省电力有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种适于新能源厂站无功协调装置的数据传输装置，包括PCB基板、数据传输电路、安装卡扣、外接天线、SMA连接器；所述数据传输电路包括供电模块、主控模块、电路保护模块、降压模块、无线通讯模块、485通信模块；所述安装卡扣设置在PCB基板背面，用于将PCB基板可拆卸地固定在指定电柜内；所述SMA连接器安装在PCB基板侧面，连接在主控模块与外接天线之间。本实用新型提出一种小体积的数据传输装置，使其适用于电柜内小空间安装或改造，降低安装和改造成本；在背部设置安装卡扣，便于快速拆装和日常维护；硬件成本低，且功耗1.5W，小于常规数据传输装置，解决了个人或者公司使用数据传输装置门槛高的问题。
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