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公开(公告)号：CN101533797B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200910118179.X
申请日：2009-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田中澄
IPC: H01L21/687 , H01L21/00 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种载置台构造，即使被处理体与夹紧环部件接触，也能够提高被处理体的面内温度的均一性，提高热处理的面内均一性。在处理容器(4)内为了对被处理体(W)实施规定的热处理而载置被处理体的载置台构造中，包括：载置台(32)，其由透明材料构成，在内部收容有加热被处理体的加热单元(38)；均热板(42)，其由不透明材料构成，设置在载置台的上表面，并且其直径设定得比载置台的直径小，在上表面直接载置被处理体；和夹紧机构(50)，其能够升降地设置在载置台的周边部的上方，具有向载置台侧挤压被处理体的由不透明材料构成的夹紧环部件(48)。
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公开(公告)号：CN102013408A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010277922.9
申请日：2010-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田中澄
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供能够防止载置台产生较大的热应力，防止该载置台自身发生破损的载置台结构和处理装置。该载置台结构设置在处理容器内，用于载置要处理的被处理体，包括：由电介质形成的载置台，其载置并支承被处理体，并且设置有加热被处理体的加热机构；多个保护支柱管，其从处理容器的底部侧立起设置，上端部与载置台的下表面接合，并且下端部开放；加热器供电棒，其插通保护支柱管内，并且上端部与加热机构连接；吹扫气体流通用气密室，其设置在处理容器的底部侧，并且与保护支柱管内连通；和惰性气体供给机构，其向吹扫气体流通用气密室内供给惰性气体。由此，能够防止载置台产生较大的热应力，防止该载置台自身发生破损。
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公开(公告)号：CN101828251A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880102499.X
申请日：2008-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的退火装置具有：处理室(1)，其容纳晶片(W)；加热源(17a、17b)，其被设置成面向晶片(W)的面，并具有对晶片(W)照射光的多个LED(33)；透光部件(18a、18b)，其对应于上述加热源(17a、17b)地设置，并使来自发光元件(33)的光透射，其中，加热源(17a、17b)构成为在支撑体(32)上朝向晶片(W)侧安装有多个发光元件(33)，发光元件分别单独地被由透明树脂构成的透镜层(20)覆盖。
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公开(公告)号：CN100458629C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200380100227.3
申请日：2003-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D16/20
Abstract: 该处理装置具有：具有载置被处理体W的载置台(8)的处理容器(4)；导入处理气体的气体导入装置(10)；供给规定处理气体的处理气体供给系统(14、16、18)；供给非活性气体的非活性气体供给系统(12)；设置阀开度可以控制的压力控制阀(36)与真空泵(38)的真空排气系统(32)；压力计(48)。在进行处理气体的分压重要的处理时，流出固定流量的处理气体，同时根据压力计(48)的检测值控制压力控制阀(36)的阀开度，而在进行处理气体的分压不太重要的处理时，使压力控制阀(36)的阀开度固定为规定值，同时根据压力计(48)的检测值控制非活性气体的供给量。因此，在进行处理压力的范围差异较大的多种处理时，也可以准确地对各个处理时的压力进行控制。
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公开(公告)号：CN1742113A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200480002736.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45521 , C23C16/455
Abstract: 本发明的真空处理装置具有以下部件：具有底部且可真空排气的处理容器；设置在所述处理容器内的载置台；对载置台上的基板进行加热的加热部；向处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；包围载置台和处理容器底部之间的空间，使该空间与处理容器内的处理空间隔离的隔离部；向由隔离部包围的空间内供给清洗气体的清洗气体供给部；从由隔离部包围的空间内对清洗气体进行排气的清洗气体排气部；应调整由隔离部包围的空间内的压力，控制清洗气体供给部及/或清洗气体排气部的控制部；和贯通处理容器底部，插入由所述隔离部包围的空间内，并具有与载置台接触的前端部的温度检测部，隔离部具有与处理容器底部面接触的下端部，控制部将被隔离部包围的空间内的压力调整到比处理容器内的处理空间内的压力高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1701416A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480000855.9
申请日：2004-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/45521 , C23C16/4584 , H01L21/67115
Abstract: 本发明的目的在于，防止处理气体侵入载置台下方的空间，在支柱(56)的上端部的内周部分设置支撑载置台(58)的下面的支撑面(62)，在支撑面(62)的外侧的支柱(56)的上端部的中间周向部分，形成沿着周向延伸的净化气体槽(64)。在与净化气体槽(64)的外侧的支柱(56)的上端部的外周部分对应的位置，设置狭窄流路(68)。从净化气体供给部件(66)提供给净化气体槽(64)内的净化气体，沿周向扩散到净化气体槽(64)内，从狭窄流路(68)向外侧流出，通过这样的净化气体的流动，可防止处理气体侵入净化气体槽(64)和载置台的下方的空间(S1)中。
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公开(公告)号：CN1672247A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03817478.2
申请日：2003-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4481 , Y10T137/0324
Abstract: 本发明提供一种可以将在材料贮存槽内产生的原料气体几乎不产生压力损失地供给至处理装置的处理系统。该处理系统具有，为了对被处理体W实施预定处理，设置有向处理容器26内喷射由低蒸汽压的金属化合物M所形成的预定原料气体的气体喷射装置42的处理装置22；和向所述气体喷射装置供给所述预定原料气体的气体供给装置24。所述气体喷射装置是喷射头部，所述气体供给装置具备，从所述喷射头部向上方延伸的气体通路56；安装于所述气体通路的上端部，且内部收容所述金属化合物材料的材料贮存槽58；开闭所述气体通路的开关阀60。
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公开(公告)号：CN301411500S
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201030217507.5
申请日：2010-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.名称：陶瓷罩。2.用途：本产品是装配在对晶片进行等离子体处理用腔室内的用于处理晶片的加热器单元中所使用的陶瓷罩。如使用状态参考图所示，作为晶片处理用加热器单元一部分的陶瓷罩，在腔室内与喷头相对地配置。3.设计要点：本外观设计的设计要点在于形状。4.指定图片：立体图。5.其它：后视图、左视图分别与主视图、右视图对称，故省略后视图和左视图。
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公开(公告)号：CN301376278S
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200930389507.0
申请日：2009-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.名称：晶片处理用加热器单元。2.用途：本产品是装配在对晶片进行等离子体处理的腔室内的用于处理晶片的加热器单元。如使用状态参考图所示，在腔室内与喷头相对地配置，该喷头作为电极与高频电源连接。3.设计要点：本外观设计的设计要点在于形状。4.指定图片：立体图。
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公开(公告)号：CN301376275S
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200930389503.2
申请日：2009-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.名称：晶片处理用加热器。2.用途：本产品用于在使用等离子体对晶片进行处理时对晶片进行加热。3.设计要点：本外观设计的设计要点在于形状。4.指定图片：立体图。5.本产品的石英部件是透明的，因此从外面能够看到收容于内部的加热元件。参考图1和参考图2中用斜线表示透明部分。
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