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公开(公告)号：CN105940515A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006889.7
申请日：2015-03-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/318 , C04B35/491 , H01L41/187
CPC classification number: C04B35/491 , C01G25/006 , C01G45/006 , C01P2002/34 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B35/493 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/63444 , C04B35/64 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3268 , C04B2235/3296 , C04B2235/441 , C04B2235/606 , C04B2235/6567 , C04B2235/96 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明涉及一种用于形成PZT系压电膜的组合物，该PZT系压电膜由掺杂Mn及Nb的复合金属氧化物构成，所述组合物以如下比例包含PZT系前体：所述组合物中的金属原子比Pb:Mn:Nb:Zr:Ti满足(1.00～1.25):(0.002～0.056):(0.002～0.056):(0.40～0.60):(0.40～0.60)，且将所述Mn及Nb的金属原子比的合计设为1时的所述Mn的比例为0.20～0.80，将所述Zr及Ti的金属原子比的合计设为1时的所述Zr的比例为0.40～0.60，将所述Mn、Nb、Zr及Ti的金属原子比的合计设为1时的所述Zr及Ti的合计比例为0.9300～0.9902。
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公开(公告)号：CN105940514A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006557.9
申请日：2015-03-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/491 , H01L41/318 , C01G25/00
CPC classification number: C04B35/493 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C04B35/491 , C04B35/62218 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3268 , C04B2235/3296 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明的掺杂Mn及Nb的PZT系压电膜由掺杂Mn及Nb的复合金属氧化物构成，膜中的金属原子比Pb:Mn:Nb:Zr:Ti满足(0.98～1.12):(0.002～0.056):(0.002～0.056):(0.40～0.60):(0.40～0.60)，且将所述Mn及Nb的金属原子比的合计设为1时的所述Mn的比例为0.20～0.80，将所述Zr及Ti的金属原子比的合计设为1时的所述Zr的比例为0.40～0.60，将所述Mn、Nb、Zr及Ti的金属原子比的合计设为1时的所述Zr及Ti的合计比例为0.9300～0.9902。
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公开(公告)号：CN105934282A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201580005883.8
申请日：2015-03-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: B05D3/0209 , B05D3/0218 , B05D3/0413 , B05D5/00 , C01G53/70 , C01P2006/40 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B2235/3227 , C04B2235/3279 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , H01G4/008 , H01G4/10 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L41/0477 , H01L41/187 , H01L41/317 , H01L41/318 , H01L41/319
Abstract: 本发明的LaNiO3薄膜的形成方法包括：在被Pt电极包覆的基板中，在将吸附于每1cm2的所述基板表面的H2量、H2O量及CO量分别设为1.0×10‑10g以下、2.7×10‑10g以下、4.2×10‑10g以下的状态下，将LaNiO3薄膜形成用液体组合物涂布于所述基板表面并进行干燥而形成涂膜的工序；临时烧结所述涂膜的工序；及烧成所述临时烧结后的涂膜而形成LaNiO3薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN102628155B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210008345.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明性及气体遮断性优异的薄膜的制造方法、适合形成该薄膜的共蒸镀用蒸镀材、通过该方法得到的薄膜、具备该薄膜的薄膜片及层叠片。本发明的薄膜的制造方法，其特征在于，使用由第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由与该第1氧化物不同种类的第2氧化物构成的升华性蒸镀材，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法，在基材上形成由第1氧化物和第2氧化物构成的氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN103360062B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310069009.3
申请日：2013-03-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/624
CPC classification number: H01L41/1876 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1283 , C23C18/1291
Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液和铁电薄膜的形成方法。在形成PZT系铁电薄膜时，能够将通过溶胶-凝胶法涂布一次形成的一层涂得较厚，并且，能够在临时烧结、烧成之后使PZT膜为无龟裂且致密的膜结构。铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液含有PZT系化合物、含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用高分子化合物及含甲酰胺系溶剂的有机掺杂剂，以氧化物换算计含17质量%以上的PZT系化合物，以单体换算计聚乙烯吡咯烷酮相对所述PZT系化合物的摩尔比为PZT系化合物:聚乙烯吡咯烷酮=1:0.1～0.5，所述溶胶-凝胶液中含3质量%～13质量%的甲酰胺系溶剂，从而能够使涂布一次形成的一层增厚，谋求提高生产效率且临时烧结、烧成之后也可实现无龟裂且紧密的成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103360064B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310068790.2
申请日：2013-03-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624
CPC classification number: H01L21/02104 , B05B5/1608 , B05B5/1675 , B05D1/06 , B05D3/007 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C23C18/127 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01L41/314 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供铁电薄膜的制造方法和静电喷涂用液。在烧成通过静电喷涂吐出、形成的薄膜之后，得到致密且无龟裂的铁电薄膜。该方法为，从毛细管的吐出口朝向具有下部电极的基板的下部电极静电喷涂铁电薄膜形成用的静电喷涂用液而将静电喷涂用液涂布到下部电极上来形成涂膜，对该涂膜进行干燥、临时烧结之后进行烧成来使其结晶化，从而在下部电极上制造铁电薄膜。将静电喷涂用液设为均匀混合铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液和具有与该溶胶-凝胶液的固体物相同组成且具有可从吐出口吐出的粒径的粉末的混合液，且将溶解于溶胶-凝胶液中的金属化合物换算成金属氧化物的质量设为A，将粉末的质量设为B时，将B相对于(A+B)的比率设为5%以上40%以下的范围。
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公开(公告)号：CN103193477B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210003035.1
申请日：2012-01-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/622 , H01G4/14
Abstract: 本发明提供一种未包含对环境的负载较大的物质且能够用简单的方法制作适合用于薄膜电容器的介电薄膜且保存稳定性优异、涂膜性良好的介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及通过该方法形成的介电薄膜。一种液状介电薄膜形成用组合物，用于形成呈通式：Ca(4-3x)Cu3xTi4O12(式中0.5≤x≤1.1)所示的复合金属氧化物形态的薄膜，其特征在于，由用于构成该复合金属氧化物的原料以提供上述通式所示的金属原子比的比例溶解于有机溶剂中的有机金属化合物溶液构成，所述有机溶剂以具有通式：CnH2n+1COOH(其中n为2～6的整数)所示的直链或者1条或2条以上侧链的羧酸为主成分。
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公开(公告)号：CN104078189A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410055661.4
申请日：2014-02-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01F41/24 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , H01F10/20
Abstract: 本发明提供一种铁氧体薄膜形成用组合物及铁氧体薄膜的形成方法。该铁氧体薄膜形成用组合物为用于通过溶胶-凝胶法形成NiZn铁氧体、CuZn铁氧体、NiCuZn铁氧体薄膜的组合物，上述组合物含有金属原料及含N-甲基吡咯烷酮的溶剂，在将上述组合物设为100质量%时，N-甲基吡咯烷酮的比例为30～60质量%。
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公开(公告)号：CN104072134A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410055715.7
申请日：2014-02-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
CPC classification number: H01B3/448 , C04B35/491 , C04B2235/6562 , C04B2235/6585 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H01L37/025 , H01L41/1876 , H01L41/318 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制造方法以及PZT系铁电薄膜的形成方法。该PZT系铁电薄膜形成用组合物的特征在于，组合物100质量%中的PZT前驱体的比例以氧化物换算计为17～35质量%，组合物100质量%中的二醇的比例为16～56质量%，聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体以单体换算计为0.01～0.25摩尔，水的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.5～3摩尔，其中，排除在上述组合物100质量%中以0.6～10质量%的比例进一步包含碳链为6以上12以下的直链一元醇的组合物。
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公开(公告)号：CN104072132A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410054324.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C23C18/1283 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制造方法以及PZT系铁电薄膜的形成方法。该PZT系铁电薄膜形成用组合物包括PZT前驱体、二醇、水及碳链为6以上12以下的直链一元醇、并包含聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇。组合物100质量%中所占的上述PZT前驱体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量%，组合物100质量%中的上述二醇的比例为16～56质量%，上述聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.01～0.25摩尔，上述水的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.5～3摩尔，组合物100质量%中的直链一元醇的比例为0.6～10质量%。
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