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公开(公告)号：CN114829302A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080084847.6
申请日：2020-12-02
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅微粉末等，其包含通过显微镜法测定的粒径为1μm以上且通过下述式(1)求出的圆度的平均值为0.93以上的硅微粒，通过激光衍射散射法测定的体积基准的平均粒径在0.8μm以上且8.0μm以下的范围内，通过激光衍射散射法测定的个数基准的平均粒径在0.100μm以上且0.150μm以下的范围内，通过BET法测定的比表面积在4.0m2/g以上且10m2/g以下的范围内。式(1)：圆度＝(4×π×粒子的投影面积)1/2/粒子的周长。
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公开(公告)号：CN110892537A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880047442.8
申请日：2018-05-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
Abstract: 一种镁系热电转换材料(11)，其由镁系化合物的烧结体形成，该镁系热电转换材料(11)的特征在于，在所述烧结体的截面中，在镁系化合物粒子的晶界局部存在Si浓度高于所述镁系化合物粒子的内部的富含Si金属相(15)，富含Si金属相(15)所占的面积率在2.5％以上且10％以下的范围内，面积为1μm2以上的富含Si金属相(15)的数密度在1800个/mm2以上且14000个/mm2以下的范围内。
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公开(公告)号：CN108140713A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056456.7
申请日：2016-09-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种热电转换模块(1)，其以在一组对置的配线基板(2A、2B)之间组合有多对P型热电转换元件(3)及N型热电转换元件(4)的状态经由配线基板(2A、2B)串联连接，其中，配线基板(2A、2B)通过在陶瓷基板(30)的表面形成供热电转换元件(3、4)连接的电极部(11、12)而成，热电转换元件中，沿热膨胀系数较大的热电转换元件中的两个配线基板的对置方向的长度形成为比沿热膨胀系数较小的热电转换元件中的两个配线基板的对置方向的长度小，热膨胀系数较大的热电转换元件的两端中的至少一个与配线基板的陶瓷基板之间夹着导电性衬垫(15)。
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公开(公告)号：CN103903952B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201310733719.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/32798 , C01B33/02 , H01J37/32467 , H01J37/32495 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种等离子蚀刻装置用硅部件及等离子蚀刻装置用硅部件的制造方法，所述硅部件即使配置在等离子蚀刻装置的反应室内部，也不会因等离子蚀刻而提前损耗，且能够抑制粒子的产生。本发明的等离子蚀刻装置用硅部件，其在等离子蚀刻装置的反应室内部使用，所述硅部件的特征在于，由多晶硅、准单晶硅或单晶硅中的任一种构成，含有1×1018atoms/cc以上1×1020atoms/cc以下的范围内的硼作为掺杂剂。
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