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公开(公告)号：CN1089486C
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN96190679.0
申请日：1996-06-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫坂光敏
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L31/0392
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L21/02422 , H01L21/02675 , H01L21/2022 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在便宜的基板上形成半导体膜，接着，大约在整个半导体膜上施行激光照射等的第1退火工艺，然后，进行由快速热处理构成的第2退火工艺。这样，就不会使基板受大的热应力，而且具有高的生产性并能形成高质量的晶体性半导体膜。由于使本发明适应薄膜晶体管，所以容易制造具有高性能的良好产品。同样适合于太阳能电池，使其能量变换效率高。
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公开(公告)号：CN110097853B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201910073216.3
申请日：2019-01-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/3258 , G09G3/3266
Abstract: 电光装置和电子设备。实现能够低功耗地显示高分辨率、多灰度的高质量图像、更高速地进行动作而得到更加明亮的显示。电光装置(10)具有扫描线(42)、信号线(43)、像素电路(41)、控制线(44)，像素电路(41)包含存储电路(60)、发光元件(20)、第1晶体管(31)，发光元件(20)根据存储电路(60)保持的图像信号改变亮度，第1晶体管(31)对发光元件(20)的发光和不发光进行控制，显示一张图像的场(F)包含子场(SF1)和子场(SF2)，子场(SF1)和子场(SF2)具有使发光元件(20)不发光的非显示期间(P1)和使发光元件(20)能够发光的显示期间(P2)，子场(SF1)的显示期间(P2)的长度和子场(SF2)的显示期间(P2)的长度不同。
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公开(公告)号：CN114664247A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111562117.5
申请日：2021-12-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/3208 , G09G3/3266 , G09G3/32
Abstract: 电光装置和电子设备，能够兼顾与环境的明亮度相应的显示亮度调整和良好的灰度显示。电光装置(15)包含多个数字扫描线、多个模拟扫描线、数字信号线、模拟信号线以及多个像素电路(30)。各像素电路(30)包含发光元件(31)、数字驱动电路(36)和模拟驱动电路(35)。数字驱动电路(36)进行在与灰度值对应的长度的期间将驱动电流供给到发光元件(31)的数字驱动。模拟驱动电路(35)进行基于模拟数据电压设定驱动电流的电流值的模拟电流设定。在与第s数字扫描线和第s模拟扫描线连接的像素电路(30)进行模拟电流设定的期间，与第t数字扫描线和第t模拟扫描线连接的像素电路(30)进行数字驱动。
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公开(公告)号：CN110176212B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910119470.2
申请日：2019-02-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/3225 , H01L27/32
Abstract: 提供电光装置以及电子设备，能够以低功耗显示高分辨率且高质量的图像，动作更高速且可获得更明亮的显示。电光装置(10)的特征在于，具有：像素电路(41G)；像素电路(41B)；高电位线(47G)，其向像素电路(41G)供给高电位(VDDG)；高电位线(47B)，其向像素电路(41B)供给高电位(VDDB)；以及低电位线(46)，其向像素电路(41G)和像素电路(41B)供给第1低电位(VSS1)，像素电路(41G)包含显示G的发光元件(20G)，像素电路(41B)包含显示B的发光元件(20B)，高电位(VDDG)和高电位(VDDB)是相互独立的。
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公开(公告)号：CN105652223B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201510854835.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: A61B5/055
Abstract: 本发明提供磁场测量方法。在光泵浦式的磁测量中，能够在探测光为一个方向的同时，测量多个方向的磁场。在磁场测量装置(1)中，光源(18)针对气室(12)，向Z轴方向照射兼为泵浦光和探测光的直线偏振光，磁场产生器(8)针对气室(12)，分别向X、Y轴方向施加相同周期并且相位不同的交变磁场。运算控制部(30)使用交变磁场的X、Y轴方向成分Ax、Ay、以及相当于磁传感器(10)的测量值W‑的自旋极化度Mx，计算测量区域的磁场C(Cx、Cy、Cz)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106236012A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610405634.4
申请日：2016-06-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: A61B5/00
CPC classification number: A61B5/04007 , A61B5/0046 , A61B5/0064 , A61B5/0077 , A61B5/04008 , A61B5/1072 , A61B5/1077 , A61B5/704 , G01R33/0076 , G01R33/025 , G01R33/0358 , A61B5/00
Abstract: 提供一种磁场计测装置及磁场计测方法，能够在不受被检体体型的影响下，精度良好地检测被检体的磁矢量分布。磁场计测装置具备：检测来自被检体(6)的磁场的磁传感器(4)，设置有被检体(6)的台(3)，测定被检体(6)的表面形状的形状测定装置(5)，计算表面形状的平均平面的平均平面运算部，以及对台(3)进行控制以使磁传感器(4)的相对面与平均平面平行的控制部。
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公开(公告)号：CN106166064A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610341892.0
申请日：2016-05-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: A61B5/04 , A61B5/00 , G01R33/032
CPC classification number: A61B5/04007 , A61B5/0044 , A61B5/04008 , A61B5/7214 , A61B2562/0223 , A61B2562/04 , A61B2576/023 , G01R33/0023 , G01R33/028 , A61B5/04005 , A61B5/4064 , A61B5/72 , A61B5/7235 , G01R33/032
Abstract: 本发明提供一种磁计测系统，即使是在存在比作为计测对象的微弱磁场大的外部磁场的情况下，该磁计测系统也能够精度良好地计测作为计测对象的磁场。磁计测系统(1)具备：心磁传感器(10)，计测第一磁场和第二磁场；噪声磁传感器(30)，计测第二磁场；以及磁计测装置(2)，使用噪声磁传感器(30)的计测值和多变量多项式计算心磁传感器(10)中的第二磁场的近似值。磁计测装置(2)从心磁传感器(10)的计测值中减去第二磁场的近似值。
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公开(公告)号：CN102081907B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110042345.X
申请日：2006-02-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/34
CPC classification number: G09G3/344 , G09G2300/08 , G09G2310/061 , G09G2320/0257
Abstract: 一种电泳显示装置及其驱动方法、控制器、电子书籍，这种电泳显示装置，具备：多根扫描线；多根信号线，其与所述多根扫描线交叉；多个像素，其设于与所述多根扫描线和所述多根信号线的交叉位置相对应的位置，且具有分散有带电微粒的分散系，其中，使用包含L个帧期间的图像制作期间显示一个图像，其中，L为2以上的整数，在各所述帧期间，选择所述多根扫描线，所述多个像素分别在经过所述L个帧期间后进行明显示或暗显示的任意一个。因此，以高分辨率的电泳显示装置可以舒服地切换图像。
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公开(公告)号：CN101859545A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010159466.8
申请日：2007-04-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/34
CPC classification number: G09G3/344 , G09G3/2011 , G09G3/2022 , G09G3/2081 , G09G2300/08 , G09G2310/061
Abstract: 本发明的目的是提供可以使电泳显示装置的画质提高的技术。电泳显示装置具备：数据线；与数据线交叉的多条扫描线；像素，设置在对应于数据线与多条扫描线中的一条的交叉点的位置；设置在像素中的像素电极；与像素电极相对的共用电极；配置在像素电极与共用电极之间的电泳微粒；通过驱动数据线和多条扫描线而对像素供给数据输入脉冲的驱动机构；控制驱动机构的控制机构，其中，在将多条扫描线被选择一次的期间作为1帧期间时，基于控制机构的工作，利用包含多个帧期间的图像信号导入期间重写显示；在第1帧期间中，第1数据输入脉冲被提供给像素；在第1帧期间之后的第2帧期间中，第2数据输入脉冲被提供给像素；第2数据输入脉冲的脉冲宽度与第1数据输入脉冲的脉冲宽度不同。
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公开(公告)号：CN101546775A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127587.1
申请日：2009-03-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/786 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了半导体装置、电光装置及电子设备，即使在树脂层等的柔性层上形成时可靠性也优异。本发明的在树脂层(S)上形成的半导体装置，包含多个底栅型薄膜晶体管，该半导体装置至少具有构成该底栅型薄膜晶体管的半导体层(17)、第一布线(GL1，GL2)、第二布线(SL)、第一绝缘层(15)以及栅极绝缘膜(19)，在该半导体层和该第一布线和第二布线的下部，存在该第一绝缘层和该栅极绝缘膜，在未形成该半导体层和该第一布线和第二布线的处所，该第一绝缘层和该栅极绝缘膜的一部分被去除。由于该第一绝缘层和该栅极绝缘膜的一部分被去除，因此，即使在半导体装置施加了机械或热应力的情况下，也使该应力缓和，可以降低第一绝缘层等中裂纹的发生。
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