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公开(公告)号：CN1286116C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN02159389.2
申请日：2002-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日高秀人
IPC: G11C11/15
Abstract: 选择列的位线(BL)通过根据列选择结果有选择地通路的第1及第2写字列选择门电路的一方(WCSGo，WCSGe)，与对应的电流回路配线RL同端之间电耦合。数据写入电路(51)通过第1及第2数据总线(DBo，DBe)的一方及反转数据总线(/WDB)，把选择列的位线(BL)的另端及电流回路配线(RL)的另端根据写入数据(DIN)的电平设定到电源电压(Vcc)及接地电压(GND)的每一方。
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公开(公告)号：CN1280830C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN02150228.5
申请日：2002-11-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日高秀人
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 本发明是一种通过外加磁场实行数据写入的薄膜磁性体存储装置，其中各写入字线(WWL)的一端，通过写入驱动电路(WWD)有选择地与电源电压(Vcc)连接，另一端与接地电压(Vss)连接。写入驱动电路(WWD)，在各写入字线的一端或另一端，按每1行交互配置。写入驱动电路(WWDj)具有在选择对应的存储单元行(第j行)时，为了提供数据写入电流Iww而将对应的写入字线(WWLj)与电源电压(Vcc)连接的第1晶体管(101)；在选择相邻行时，将对应的写入字线(WWLj)与电源电压(Vcc)连接的第2晶体管(102)。通过由第2晶体管(102)流过的磁场消除电流(△Iww)，消除来自相邻行的数据写入电流的泄漏磁场。
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公开(公告)号：CN1263040C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02147057.X
申请日：2002-10-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日高秀人
IPC: G11C11/15
Abstract: 周边电路(5)与存储阵列(2)邻接配置，对于存储阵列(2)进行数据读出以及数据写入，用于向周边电路(5)供给动作电压的电源电压布线(PL)以及接地布线(GL)分别供给电源电压(Vcc)以及接地电压(GND)，电源电压布线(PL)以及接地布线(GL)配置成使得由流过电源电压布线(PL)产生的磁场与流过接地布线(GL)的电流产生的磁场在存储阵列(2)中相互抵消。
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公开(公告)号：CN1213435C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN01137288.5
申请日：2001-11-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日高秀人
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 分别与配置成行列状的存储单元(MC)的行对应地配置读出字线(RWL)，分别与列对应地配置位线(BL)和基准电压布线(SL)。在从数据读出电路(52a)至读出基准电压(Vss)之间，在经数据总线(DB)、列选择门(CSG)、位线(BL)、基准电压布线(SL)形成的、通过所选择的存储单元的电流路径中流过数据读出电流(Is)。数据读出电路检测由数据读出电流在所选择的存储单元中产生的电压变化，输出读出数据(DOUT)。将位线(BL)和基准电压布线(SL)中的电流路径中包含的部分的电阻值之和设定成与所选择的存储单元所属的行无关，大体为恒定的值。
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公开(公告)号：CN1210718C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN01123108.4
申请日：2001-07-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日高秀人
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C5/025 , B82Y10/00 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , H01L27/228
Abstract: 一种具备高集成化的存储器阵列的薄膜磁性体存储器，与MTJ存储单元的行对应地配置读出字线(RWL)和写入字线(WWL)，与MTJ存储单元的列对应地配置位线(BL)和基准电压布线(SL)。邻接的MTJ存储单元共有这些信号布线中的至少1条。其结果，由于可缓和在存储器阵列(10)的整体中配置的信号布线间距，可有效地配置MTJ存储单元，故可使存储器阵列(10)实现高集成化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1199186C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01125558.7
申请日：2001-08-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日高秀人
CPC classification number: G11C7/12 , G11C7/14 , G11C11/1653 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C2207/002
Abstract: 一种备有具有磁隧道接合部的存储单元的薄膜磁性体存储装置，数据读出时，存储单元(MC)及空存储单元(DMC)分别被耦合在位线(BL、/BL)中的各一条上，流过数据读出电流。在所选择的存储单元列中，读出门(RG)根据两条位线(BL、/BL)的电压，驱动对应的两条读出数据总线(RDB、/RDB)的电压。数据读出电路55a放大读出数据总线(RDB、/RDB)之间的电位差，输出读出数据(DOUT)。利用读出门(RG)能将读出数据总线(RDB、/RDB)和数据读出电流路径切断，所以能使位线(BL、/BL)中的电压迅速变化，使数据读出高速化。
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公开(公告)号：CN1467746A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03120514.3
申请日：2003-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日高秀人
IPC: G11C11/34
CPC classification number: G11C29/808 , G11C29/846 , G11C29/848
Abstract: 在存储单元阵列14中设置了配置备用存储单元的备用列。存储单元阵列14可在存储单元阵列的右半部分和左半部分中变更根据同一行地址一并地选择的子字线的分配。可通过切断在SD发生电路4中内置的熔断元件来进行该分配的变更。即使是多个不良存储单元集中在同一存储单元行的情况，由于可利用地址分配的变更使与不良存储单元的行地址对应的选择单位中的数目分散，故也可利用备用存储单元来增加能补救的芯片。因而，在不增加备用存储单元的数目的情况下可提高不良芯片的补救率。
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公开(公告)号：CN1467743A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03119971.2
申请日：2003-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日高秀人
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 电阻高的源线(SL1～SLn、SLd0、SLd1)沿与基准单元(RMC)相同的方向配置。在通过选择存储单元(RMC#)与选择基准单元(RMC#)的电流路径之间，在与基准单元(RMC)交叉的方向配置的布线上的路径长度自然地达到均衡，而与地址选择结果无关。因此，这些电流路径间的电阻差反映了选择存储单元(RMC#)与选择基准单元(RMC#)的电阻差而与地址选择无关，从而提高了数据读出容限。
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公开(公告)号：CN1395253A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02124495.2
申请日：2002-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日高秀人
IPC: G11C11/15
Abstract: 在数据读出之前被预充电到预充电电压(Vpr)的数据总线(DB)在数据读出时经过选择存储单元，与预充电电压相同的电压进行电耦合。驱动晶体管(62a)由于在数据读出时流过读出电流，把数据总线与电源电压(驱动电压)相耦合。电荷传输型放大单元(100)把数据总线的电压维持为预充电电压的同时，根据流过数据总线的读出电流(数据读出电流)的积分值生成输出电压(Vout)。传输门(130)、差分放大器(140)以及闩锁电路(145)根据规定时序中的输出电压，生成输出数据(DOUT)。
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