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公开(公告)号：CN1203729C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02125166.5
申请日：2002-06-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/042 , C23C14/12 , H01L27/3244 , H01L51/001
Abstract: 本发明提供一种通过屏蔽形成电场发光组件时，可以将屏蔽与基板的定位予以较适合的方式的电场发光显示装置的制造方法。本发明的方法是将玻璃基板1的构成电场发光组件的形成蒸涂发光层面以垂直向下方式插入真空匣(chamber)内。且于该真空匣内配置屏蔽30。通过该屏蔽30开口部将上述发光层材料附着于玻璃基板1形成发光层。而于该玻璃基板1与屏蔽30的定位时，将玻璃基板1上面以静电吸着装置60予以支持。
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公开(公告)号：CN1603923A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410088043.6
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/5234 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F2201/121 , G02F2203/01 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3272 , H01L51/5271 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其实现EL显示装置的高品质化。本发明于基板100，形成有设置在各像素的开关元件TFT110，以及在覆盖TFT110的绝缘膜上，形成与TFT110为绝缘，且能将穿过由ITO等所构成的阴极86而射入的光线予以反射的反射层44。而且形成具有与阴极86相同的工作函数，且以ITO等透明导电材料构成的阳极80，且与TFT110连接。透过该构造，得以通过阳极80、阴极86能以较佳的对称性交流驱动有机元件层88。且阳极80及TFT110通过高融点金属所构成的连接用金属层42而确实予以连接。
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公开(公告)号：CN1195392C
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02125168.1
申请日：2002-06-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , H01L27/32 , H01L51/001
Abstract: 本发明提供一种电场发光显示装置的制造方法，其于经由屏蔽形成电场发光组件之际，能更适于进行屏蔽与基板的对准，其中，玻璃基板(1)是将其蒸镀形成用以构成电场发光组件发光层的面朝垂直下方而插入真空蒸镀室内。该真空蒸镀室内设置有屏蔽(30)。透过该屏蔽(30)的开口部而使上述发光层的材料附着形成在玻璃基板(1)上，即可使发光层附着形成。在进行该玻璃基板(1)与屏蔽(30)对准之际，玻璃基板(1)的该四边由边支持构件(50)所支持。
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公开(公告)号：CN1598651A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410057033.6
申请日：2002-12-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G02F1/133371 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G09G2300/0456 , G09G2320/0247
Abstract: 一种液晶显示装置，在具备第1电极的第1基板、与具备第2电极的第2基板之间封入液晶层，而进行各像素的显示，第1基板具备有反射层，其仅形成于部分的一像素区域内，可将透过第2基板及第2电极而入射的光线反射至液晶层，第1电极使用透明导电材料，由该透明导电性材料所形成的第1电极，覆盖一像素区域内的透过区域，并在反射区域中直接覆盖并积层于反射层上，第1电极侧的液晶配向方位；与第2电极侧的液晶配向方位的差值所形成的扭转角设定在80°以下，形成于反射区域中的反射层下方形成有间隔调整层，由一像素区域内的反射区域中的第1电极与第2电极之间的距离所定出的dr间隔与透过区域中的第1电极与第2电极之间的距离所定出的间隔dt二者的差值，大于反射层的厚度。
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公开(公告)号：CN1186684C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN02159604.2
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L51/5234 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F2201/121 , G02F2203/01 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3272 , H01L51/5271 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其实现反射型或半透过型LCD的高品质化。本发明于第1基板100，形成设置在各像素的开关元件TFT110，并在覆盖TFT110的绝缘膜上，形成与TFT110为绝缘，且能将由第2基板200侧穿过ITO等所构成的第2电极250射入的光线予以反射的反射层44。而于较反射层44更近于液晶层300的一侧方，形成具有与第2电极250相同的功函数，而以ITO等透明导电材料构成的第1电极50，且与TFT110连接。透过该构造，得以藉由第1、第2电极50、250能以较佳的对称性交流驱动液晶层300。且第1电极50及TFT110，藉由高融点金属所构成的连接用金属层42确实予以连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1184524C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02159603.4
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L51/5271 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , H01L27/3244 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明是以实现高品质化的反射型及半透过型LCD为目的。其特征为：在第1基板100上，形成依各像素所设置的TFT 110、覆盖此的绝缘膜34、38、以及在绝缘膜上与TFT 110绝缘并将来自第2基板200侧的入射光予以反射的反射层44。反射层44是由保护膜46所覆盖，在此保护膜46上形成由具备有与第2电极250同样工作函数的ITO等透明导电材料所构成的第1电极50并与TFT 110连接。借由覆盖反射层44的保护膜46而可使反射层44的反射面，在处理TFT 110与第1电极50之间的接触时，受到保护并防止反射特性的恶化。而且，借由特性类似的第1、第2电极50、250可以良好对称性地交流驱动液晶层300。
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公开(公告)号：CN1540416A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410037220.8
申请日：2004-04-22
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133371
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可抑制因配向膜的厚度不均等而引起显示质量降低的显示装置。该显示装置包含一具有反射区域与通过区域的显示区域者，且包括：凸状区域，其具有形成于与基板上的反射区域对应的区域上的凸状绝缘膜；以及以覆盖凸状绝缘膜的方式所形成的配向膜。而且，未形成有凸状绝缘膜的凹状区域，是以在相邻像素间连续的方式所形成。
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公开(公告)号：CN1452000A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03107054.X
申请日：2003-03-04
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1343 , H01L21/3205
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553
Abstract: 本发明提供一种具备反射层的显示装置，其在第1基板上形成反射层，该反射层在覆盖于每一像素中设置的开关元件的绝缘膜上与开关元件绝缘，而由第2基板侧将透过由ITO等所形成的第2电极而入射的光予以反射；而在比反射层更靠近液晶层侧之处形成有具备与第2电极相同的功率函数且由ITO等透明导电材料所构成的第1电极，并与开关元件相连接。第1电极的膜厚设定在100以下，或是750至1250之间的程度。借此，不但可防止因第1电极所引起的颜色不均或反射率的降低，同时可借由第1、第2电极，在良好的对称性下交流驱动液晶层。此外，亦可使开关元件与反射电极相连接，并使挟持绝缘膜而形成的第1电极与反射电极形成电容结合，再借由该电容，由反射电极驱动第1电极。
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公开(公告)号：CN100514138C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200410088043.6
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/1335 , H01L21/32 , H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5234 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F2201/121 , G02F2203/01 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3272 , H01L51/5271 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其实现EL显示装置的高品质化。本发明于基板100，形成有设置在各像素的开关元件TFT110，以及在覆盖TFT110的绝缘膜上，形成与TFT110为绝缘，且能将穿过由ITO等所构成的阴极86而射入的光线予以反射的反射层44。而且形成具有与阴极86相同的工作函数，且以ITO等透明导电材料构成的阳极80，且与TFT110连接。透过该构造，得以通过阳极80、阴极86能以较佳的对称性交流驱动有机元件层88。且阳极80及TFT110通过高融点金属所构成的连接用金属层42而确实予以连接。
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公开(公告)号：CN1282023C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN02108439.4
申请日：2002-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G02F1/136213
Abstract: 一种在像素部，各像素具有顶栅极型TFT、补助电容Csc、液晶电容Clc的有源矩阵型显示装置，补助电容Csc第1电极(30)由TFTp-Si有源层(14)兼用，第2电极(32)在有源层(14)下层，并在其间挟持绝缘层(12)而成，以使与有源层(14)至少一部份相重叠。在内藏驱动部情况下，驱动部TFT与像素部TFT同为顶栅极型，且有源层(140)与有源层(14)为同一材料，并在有源层(140)下层具挟持绝缘层(12)并与第2电极(32)同一材料构成导电层(32D)。在像素部将防止开口率下降并同时形成补助电容，且可通过像素部TFT与驱动部TFT使有源层多结晶化退火时条件相同，并获得特性一致的TFT。
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