用于获得位置信息的方法及其电子设备

    公开(公告)号:CN107209273A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201680007271.7

    申请日:2016-02-04

    Abstract: 提供了一种电子设备和电子设备的方法。所述电子设备包括:位置测量模块,被配置为测量位置;存储器,被配置为存储应用程序;以及处理器,电连接到位置测量模块和存储器,其中所述存储器存储指令,当被执行时所述指令使得处理器将由位置测量模块获得的位置信息存储在存储器中,处理来自应用程序的用于获得位置信息的请求,并且响应于用于获得位置信息的请求,基于存储器中存储的位置信息的至少一部分,向应用程序提供所存储的位置信息。

    半导体器件及其制造方法
    48.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118555827A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410188695.4

    申请日:2024-02-20

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:下部结构;在下部结构上的电容器,该电容器包括在垂直于下部结构的底表面的方向上延伸的第一底部电极和提供在第一底部电极上的第二底部电极;支撑第一底部电极的底部支撑图案;和提供在底部支撑图案上以支撑第一底部电极的顶部支撑图案。第一底部电极包含第一材料,第二底部电极可以包含第二材料。第二材料的功函数大于第一材料的功函数。

    集成电路装置
    49.
    发明公开
    集成电路装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN118265307A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202311806064.6

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 一种集成电路装置可包括衬底上的晶体管以及电连接至晶体管的电容器结构。电容器结构可包括第一电极、第一电极上的电介质层结构、和电介质层结构上的第二电极。电介质层结构可包括交替地堆叠的多个第一电介质层和多个第二电介质层。多个第一电介质层可包括铁电材料,多个第二电介质层可包括反铁电材料。内部缺陷偶极子的分布比率可在电介质层结构的厚度方向上逐渐变化。

    集成电路器件
    50.
    发明公开
    集成电路器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN117641901A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311075869.8

    申请日:2023-08-24

    Abstract: 集成电路器件可包括在基底上的晶体管和电连接到所述晶体管的电容器结构体。所述电容器结构体可包括第一电极、在所述第一电极上的电介质层结构体和在所述电介质层结构体上的第二电极。所述电介质层结构体可包括交替堆叠的多个第一电介质层和多个第二电介质层。所述多个第一电介质层各自可包括反铁电材料,并且所述多个第二电介质层各自包括其中0

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