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公开(公告)号:CN101110439B
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN200710128377.5
申请日:2007-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: 示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块,每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括:两个具有六边形形状的光电二极管;由两个单元像素共享的浮置扩散;分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管;连接到浮置扩散的重置晶体管;栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管;和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。
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公开(公告)号:CN1819630A
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN200610006730.8
申请日:2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603
Abstract: 一种CMOS有源像素传感器,其包括:光电二极管、传输晶体管、复位晶体管、叉指型源极跟随器晶体管和选择晶体管,其中,所述光电二极管响应入射光产生电荷,所述传输晶体管将存储在所述光电二极管中的电荷传输至感测节点,所述复位晶体管耦合至电源电压,其对所述感测节点的电压进行复位,使所述感测节点基本上具有电源电压的电平,所述叉指型源极跟随器晶体管对所述感测节点的电压进行放大,所述选择晶体管响应于选择信号将所述叉指型源极跟随器晶体管的源电极电压传输至内部电路,因此,可以增大所述源极跟随器晶体管的沟道长度,并降低由源极跟随器晶体管引起的MOS器件噪声。
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