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公开(公告)号:CN107256716A
公开(公告)日:2017-10-17
申请号:CN201710454316.1
申请日:2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器(MRAM)、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元,以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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公开(公告)号:CN102025913B
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201010280442.8
申请日:2010-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/232 , G06F3/0484
CPC classification number: H04N5/232 , G06F3/005 , G06F3/04886 , H04N5/23216
Abstract: 本发明提供一种数字摄影设备和一种控制该数字摄影设备的方法,所述数字摄影设备和所述方法通过在所述数字摄影设备中设置触摸保护区域来防止抓握所述数字摄影设备时出现触摸误操作。所述数字摄影设备包括在所述数字摄影设备的一个表面上的大尺寸的触摸屏,其中,所述触摸屏包括:触摸区域,接收来自用户的触摸并执行与该触摸相对应的图标;触摸保护区域,当在触摸屏上输入来自用户的触摸时,所述触摸保护区域不被该触摸激活。
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公开(公告)号:CN103179345A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201210564437.9
申请日:2012-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/232
CPC classification number: H04N5/23245 , H04N5/23293
Abstract: 本发明提供一种数字拍摄设备及其控制方法。可根据用户的条件以多种方式捕获用户期望的内容,作为照片和视频的单个内容的替代,可执行相同类型的内容或不同类型的内容的重叠拍摄以创建新颖且多样的多内容。
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公开(公告)号:CN1892889B
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:CN200510136251.3
申请日:2005-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种相变存储设备及其编程方法。该相变存储设备包括:每个具有多个状态的存储单元、和向存储单元提供电流脉冲的编程脉冲发生器。该编程脉冲发生器通过施加第一脉冲到存储单元而将该存储单元初始化为复位或置位状态,然后施加第二脉冲而将该存储单元编程为所述多个状态之一。根据本发明,当在将存储单元初始化到复位或置位状态之后进行编程时,可以在不受存储单元的先前状态的影响的情况下,对存储单元进行正确编程。
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公开(公告)号:CN101350225A
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200810215428.2
申请日:2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C7/04 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C29/02 , G11C29/026 , G11C29/028
Abstract: 一种非易失性存储装置包括非易失性存储单元、读取电路和控制偏置生成电路。非易失性存储单元具有依赖于所存储的数据而变化的电阻值。读取电路通过接收控制偏置并基于控制偏置为非易失性存储单元提供读取偏置,来读取非易失性存储单元的电阻值。控制偏置生成电路接收输入偏置,基于输入偏置生成控制偏置,并提供控制偏置给读取电路。控制偏置对输入偏置的斜率小于1。
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公开(公告)号:CN1892889A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200510136251.3
申请日:2005-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种相变存储设备及其编程方法。该相变存储设备包括:每个具有多个状态的存储单元、和向存储单元提供电流脉冲的编程脉冲发生器。该编程脉冲发生器通过施加第一脉冲到存储单元而将该存储单元初始化为复位或置位状态,然后施加第二脉冲而将该存储单元编程为所述多个状态之一。根据本发明,当在将存储单元初始化到复位或置位状态之后进行编程时,可以在不受存储单元的先前状态的影响的情况下,对存储单元进行正确编程。
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