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公开(公告)号：CN115620770A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210676692.6
申请日：2022-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 皮雄焕
IPC: G11C11/16 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 一种处理装置包括：位单元阵列，所述位单元阵列包括至少一个位单元线，所述至少一个位单元线包括彼此串联电连接的多个位单元，其中所述多个位单元中的每一个包括：第一磁电阻器，所述第一磁电阻器被配置为基于磁畴壁的位置的移动存储第一电阻值；第二磁电阻器，所述第二磁电阻器被配置为存储第二电阻值，其中所述第二电阻值等于或小于所述第一电阻值；第一开关元件，所述第一开关元件被配置为切换施加到所述第一磁电阻器的电信号；以及第二开关元件，所述第二开关元件被配置为切换施加到所述第二磁电阻器的电信号。
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公开(公告)号：CN113675332A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110184630.9
申请日：2021-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储装置包括：磁性轨道层，所述磁性轨道层在衬底上延伸，所述磁性轨道层具有二维绒毛状的折叠结构；多个读取单元，所述多个读取单元包括多个固定层和位于所述磁性轨道层与所述多个固定层中的每个固定层之间的隧道势垒层；和多条位线，所述多条位线在所述多个读取单元中的不同的读取单元上延伸，所述多个读取单元位于所述磁性轨道层与所述多条位线中的相应的位线之间。
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公开(公告)号：CN112397641A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010818608.0
申请日：2020-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件包括：第一单元阵列结构，其包括在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一自由磁性图案和第二自由磁性图案；以及第二单元阵列结构，其包括在第一自由磁性图案与第二自由磁性图案之间的第三自由磁性图案以及与第三自由磁性图案间隔开且第二自由磁性图案在其间的第四自由磁性图案。第一单元阵列结构还包括第一晶体管区域，其包括分别连接到第一自由磁性图案和第二自由磁性图案的第一晶体管。第二单元阵列结构还包括第二晶体管区域，其包括分别连接到第三自由磁性图案和第四自由磁性图案的第二晶体管。第二晶体管区域在第一方向上与第一晶体管区域间隔开。
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公开(公告)号：CN112397640A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010816531.3
申请日：2020-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的第一磁性层、在第一磁性层上并与第一磁性层平行地延伸的第二磁性层、以及在第一磁性层和第二磁性层之间延伸的导电层。第一磁性层包括第一区域，该第一区域具有沿第一方向在第一旋转方向上取向的磁矩。第二磁性层包括第二区域，该第二区域具有沿第一方向在第二旋转方向上取向的磁矩。第二旋转方向不同于第一旋转方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110911550A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910871580.4
申请日：2019-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器装置、用于制造磁性存储器装置的方法以及衬底处理设备，所述装置包括：包括第一存储器区域和第二存储器区域的衬底；位于第一存储器区域上的第一磁性隧穿结图案，所述第一磁性隧穿结图案包括第一自由图案和位于第一自由图案上的第一氧化物图案；以及位于第二存储器区域上的第二磁性隧穿结图案，所述第二磁性隧穿结图案包括第二自由图案和位于第二自由图案上的第二氧化物图案，其中，第一氧化物图案的厚度与第一自由图案的厚度之比不同于第二氧化物图案的厚度与第二自由图案的厚度之比。
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公开(公告)号：CN104051608B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201410083532.6
申请日：2014-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了磁致电阻结构及其制造方法、及磁随机存取存储器件。一种磁致电阻结构包括：第一磁性层，其具有被固定的磁化方向；第二磁性层，其对应于第一磁性层，其中第二磁性层的磁化方向是可变的；以及磁致电阻（MR）增强层和中间层，二者都在第一磁性层和第二磁性层之间。一种磁随机存取存储器件可以包括前述磁致电阻结构。
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公开(公告)号：CN103427017B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310055478.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁阻元件及包括其的存储装置。该磁阻元件包括自由层和从自由层突出的突出元件。该突出元件可以具有封闭的围栏结构。该突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端突出的第二部分。第一部分和第二部分可以具有相同的突出长度。第一部分和第二部分可以具有不同的突出长度。另一方面，突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端的至少之一突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端的至少之一突出的第二部分。
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公开(公告)号：CN104051608A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410083532.6
申请日：2014-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了磁致电阻结构及其制造方法、及磁随机存取存储器件。一种磁致电阻结构包括：第一磁性层，其具有被固定的磁化方向；第二磁性层，其对应于第一磁性层，其中第二磁性层的磁化方向是可变的；以及磁致电阻（MR）增强层和中间层，二者都在第一磁性层和第二磁性层之间。一种磁随机存取存储器件可以包括前述磁致电阻结构。
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公开(公告)号：CN101751988A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253967.X
申请日：2009-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 提供了一种磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法。所述磁轨包括具有不同长度和不同磁畴壁移动速度的第一磁畴区域和第二磁畴区域。第一磁畴区域和第二磁畴区域中较长的磁畴区域用作信息读/写区域。所述信息存储装置包括磁轨。所述磁轨包括多个磁畴区域和在相邻磁畴区域之间形成的磁畴壁区域。所述多个磁畴区域包括第一磁畴区域和至少一个第二磁畴区域，所述至少一个第二磁畴区域的长度小于第一磁畴区域的长度。所述信息存储装置还包括第一单元和磁畴壁移动单元，其中，所述第一单元被构造为在第一磁畴区域上执行信息记录操作和信息再现操作中的至少一个，所述磁畴壁移动单元被构造为移动磁畴壁区域的磁畴壁。
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