具有双串联冷却槽的气体喷射器

    公开(公告)号:CN214218854U

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202022427120.3

    申请日:2020-10-27

    发明人: 吴铭钦 刘峰

    IPC分类号: C23C16/455 H01L21/67

    摘要: 本实用新型为一种具有双串联冷却槽的气体喷射器,包括一第一冷却模块包括复数第一冷却槽之间以同心圆层叠环绕设置,且相邻的第一冷却槽之间设有一第一导流口,第一冷却模块外环设有一阻隔层,其外更环设有一第二冷却模块,其包括复数第二冷却槽之间以同心圆层叠环绕设置,且相邻的第二冷却槽之间设有一第二导流口,每一第一冷却槽与每一第二冷却槽内还设有多条喷气管,且喷气管的开口露出于第一冷却槽与第二冷却槽外。本实用新型可令每一喷气管浸泡于冷却液中,且能分区控制喷气管的温度。

    一种晶圆周转装置
    42.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217507290U

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202221433043.5

    申请日:2022-06-10

    发明人: 刘峰 吴铭钦

    IPC分类号: H01L21/677

    摘要: 本实用新型公开了一种晶圆周转装置,包括圆晶盒载置台、圆晶盘载置台、晶圆寻边器中转台、晶圆盘寻边器中转台、第一搬运机构、第二搬运机构和第三搬运机构,所述圆晶盒载置台的外侧设置有所述晶圆寻边器中转台;本装置在使用时,在传送环主体上直接设计带平边或凹口的金属框,以遮蔽MOCVD的载盘,避免长晶时载盘上有长晶沉积,晶圆寻边器中转台和晶圆盘寻边器中转台可保证晶圆放置在晶圆盘中的一致性,同时在对传送环主体固定时,可方便地完成定位柱和对应传送环主体位置的固定;本实用新型设置有传送环稳定机构,增大了传送环主体的支撑面积,从而提升了传送环主体使用过程中的稳定性,确保进行晶圆周转时的稳定性。

    气相沉积晶圆撑托结构
    43.
    实用新型

    公开(公告)号:CN214496475U

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202023225247.3

    申请日:2020-12-28

    发明人: 吴铭钦 刘峰

    IPC分类号: C23C16/458 H01L21/673

    摘要: 本实用新型提供一种气相沉积晶圆撑托结构,包含碟盘以及大盘模块,碟盘中央设有一晶圆定位通孔,晶圆定位通孔供一晶圆置入,晶圆定位通孔内设有复数承载指以撑托晶圆的边缘,大盘模块具有至少一碟盘槽以供至少一碟盘定位;实施时,每一承载指具有一倾斜承载面,并以倾斜承载面撑托晶圆的边缘,以极小化晶圆与其他物体的接触部位,以大幅减少晶圆的接触性热传导,使晶圆整体受热效果、成膜效果更为均匀,而提升晶圆的产制品质。

    磁吸式探针卡装置
    44.
    实用新型

    公开(公告)号:CN214374930U

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202120016530.0

    申请日:2021-01-05

    IPC分类号: G01R1/073 G01R1/067

    摘要: 本实用新型为一种磁吸式探针卡装置,包括一探针卡及一测试座。探针卡包括复数探针设置在基板上,且探针向下延伸至基板下表面,每一探针上表面镀有一磁性层。测试座则对应探针卡设置,测试座包括一晶圆测试平台及一电磁铁,电磁铁设置于晶圆测试平台下方,电磁铁能产生磁力,以将复数探针吸附至晶圆测试平台,令复数探针接触到晶圆测试平台上的晶圆,以进行晶圆检测。本实用新型可利用磁力吸附探针接触到晶圆,能有效确保复数探针都接触晶圆探测点,且避免探针被过度施力,减少探针结构的疲劳或断裂,同时减少晶圆测试接点上针痕的产生程度。

    气相沉积晶圆气动控制结构

    公开(公告)号:CN214361683U

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202023222234.0

    申请日:2020-12-28

    发明人: 吴铭钦 刘峰

    IPC分类号: C23C16/458 C23C16/52

    摘要: 本实用新型提供一种气相沉积晶圆气动控制结构,包含:碟盘、大盘模块以及第一供气管;碟盘供一晶圆放置,并于边缘设有一呈环状的衔接部,大盘模块具有至少一个碟盘槽以供至少一碟盘定位,且至少一碟盘槽设有一环槽沟以供衔接部置入,环槽沟衔接一入气引道,以引入气浮气体于环槽沟中施力于衔接部使至少一碟盘悬浮,环槽沟衔接于一导出口,第一供气管衔接设置在入气引道的上游第一供气管具有一第一流量控制阀,以引入气浮气体于环槽沟中施力于衔接部使碟盘悬浮甚至进一步旋转,环槽沟衔接于一导出口,如此使得晶圆的反应过程能通过气动方式进行悬浮或旋转控制,本实用新型可使晶圆的受热效果及成膜效果更为均匀。