溅射靶及溅射靶的制造方法

    公开(公告)号:CN113490763B

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202080016679.7

    申请日:2020-04-27

    Abstract: 本发明实施例涉及更加可靠地抑制接合材料侵入在相邻的靶部件之间形成间隙。衬管为筒状且在外周面形成有多个凹部。靶主体具有包围衬管的外周面的圆筒状的多个靶部件,多个靶部件分别以分离的方式排列设置。通过在中心轴方向上排列多个靶部件而在相邻的靶部件之间形成的间隙环绕在衬管的中心轴周围,间隙与多个凹部分别交叉。接合材料设置在衬管与靶主体之间,将多个靶部件分别与上述衬管接合。遮挡部件以分别跨过多个凹部的方式配置在接合材料与靶主体之间,从接合材料侧遮挡间隙。

    溅射装置
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114481058A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111281677.3

    申请日:2021-11-01

    Abstract: 本发明提供一种可抑制在被处理基板的外边缘部处的局部升温的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有:将靶(2)和被处理基板(Sw)相对配置的真空室;以及挡板(5),其在真空室内围绕靶和被处理基板之间的成膜空间(1a);所述溅射装置上设置有对挡板进行冷却的冷却单元,挡板具有配置在被处理基板周围的第一挡板部(5a),其具有使被处理基板面向成膜空间的第一开口(51),所述第一开口与该被处理基板具有同样的轮廓,冷却单元具有第一冷媒通道(55),其设置在第一挡板部上,并具有延伸到位于第一开口周围的第一挡板部的部分的通道部分(55a)。

    溅射成膜装置
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111417741B

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN201980006240.3

    申请日:2019-06-28

    Abstract: 本发明提供了能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射靶材的外周部中非腐蚀区域的发生的技术。本发明是在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜的溅射成膜装置。在本发明中,具有:磁控管发生用的磁石装置10,相对于一个溅射靶材7配置在与溅射面7a相反侧,在放电时在沿着该溅射靶材7的溅射面7a的方向上移动;内侧屏蔽部21,接近配置在溅射靶材7的外周部的周围,被设为浮动电位;以及外侧屏蔽部22,设置在该内侧屏蔽部21的周围,被设为接地电位,由导电性材料构成。

    高频电力电路、等离子处理装置、及等离子处理方法

    公开(公告)号:CN114303227A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202180005049.4

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 一种高频电力电路,包含第一天线电路(Lin,VCin1,VCin2)、第二天线电路(Lo,VCo1,VCo2)及控制部(51)。第一天线电路包含用于生成等离子的第一天线(Lin)、第一分配用电容器(VCin1)及第一可变电容器(VCin2)。第二天线电路包含用于生成等离子的第二天线(Lo)、第二分配用电容器(VCo1)及第二可变电容器(VCo2)。控制部依据生成等离子时的第一天线与第一可变电容器的串联部的电流与电压的相位差的检测结果,以该相位差变小的方式设定第一可变电容器的电容值。此外,控制部依据生成等离子时的第二天线与第二可变电容器的串联部的电流与电压的相位差的检测结果,以该相位差变小的方式设定第二可变电容器的电容值。

    真空处理装置
    45.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110678576B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201880036045.0

    申请日:2018-06-13

    Abstract: 在使用多个基板保持器的通过型真空处理装置中,效率良好地对基板的两个表面进行处理,实现装置的小型化以及构成的简单化。运送通路具有将基板保持器(11)分别以水平状态向第一运送方向(P1)运送的往路侧运送部(33a)、向与第一运送方向(P1)相反的第二运送方向(P2)运送的返路侧运送部(33c)、从往路侧运送部(33a)朝向返路侧运送部(33c)的运送折返部(30B),借助基板保持器运送机构(3)的第一驱动部(36)运送基板保持器(11)。将具有第二驱动部(46)的方向转换机构(40)设置在运送折返部(30B)的附近。使基板保持器运送机构(3)的第一驱动部(36)和方向转换机构(40)的第二驱动部(46)同步而动作,将第一以及第二被驱动轴(12、13)沿方向转换机构(40)的第一以及第二方向转换通路(51、52)分别引导运送,将基板保持器(11)在维持了上下关系的状态下从往路侧运送部(33a)向返路侧运送部(33c)交付。

    亚化学计量金属氧化物薄膜

    公开(公告)号:CN114072537A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202080049144.X

    申请日:2020-07-10

    Abstract: 一种沉积亚化学计量金属氧化物的方法,该方法包括:选择包含金属和第一配体的第一前体;选择包含金属和第二配体的第二前体;在原子层沉积循环的第一脉冲期间将衬底(102)暴露于第一前体;在原子层沉积循环的第二脉冲期间将衬底(102)暴露于第二前体,第二脉冲在第一脉冲之后直接发生;在原子层沉积循环的第三脉冲期间将衬底(102)暴露于氧化剂。

    溅射靶及溅射靶的制造方法
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113881923A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202110709756.3

    申请日:2021-06-25

    Abstract: 本发明提供一种绝缘层更难以从靶材剥离的溅射靶。在溅射靶中,氧化物靶材具有作为溅射面的第一主面、与上述第一主面相反的一侧的第二主面以及与上述第一主面和上述第二主面相连设置的侧面。基材设置在上述氧化物靶材的上述第二主面侧。接合构件设置在上述基材与上述氧化物靶材之间,将上述基材和上述氧化物靶材接合。绝缘层设置在从上述氧化物靶材的上述侧面的至少一部分起经过接合构件直到上述基材的表面的至少一部分。对上述氧化物靶材、上述接合构件以及上述基材各自的要与上述绝缘层接触的相接面实施了喷砂处理。

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