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公开(公告)号：CN119738972A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411355669.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 提供一种能够改善对散斑噪声的降低性能的光学装置。光学装置包括：激光光源；第1积分器光学系统，透射从所述激光光源射出的激光；第2积分器光学系统，透射从所述第1积分器光学系统射出的激光；相位差板，被配置在所述激光光源与所述第2积分器光学系统之间，通过透射所述激光的一部分，使透射的所述激光的偏振光旋转90度。
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公开(公告)号：CN119730488A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411348163.9
申请日：2024-09-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H10H20/811 , H10H20/81 , H10H20/825
Abstract: 提供一种能够以低电流驱动且能够降低正向电压的氮化物半导体发光元件。包括：第一n型半导体层；第一p型半导体层，其配置在第一n型半导体层上，与第一n型半导体层相接；第一超晶格层，其配置在第一p型半导体层上，包含p型杂质；活性层，其配置在第一超晶格层上；第二n型半导体层，其配置在活性层上；第一电极，其与第一n型半导体层电连接；第二电极，其与第二n型半导体层电连接。
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公开(公告)号：CN119703446A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411351000.6
申请日：2024-09-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: B23K26/382 , B23K26/70 , B23K26/0622 , B23K26/402 , B23K103/00
Abstract: 提供一种能够高精度地形成贯穿陶瓷基板的孔的基板的制造方法。基板的制造方法包括：准备陶瓷基板的工序，所述陶瓷基板具有第1面以及位于所述第1面的相反侧的第2面；第1加工工序，通过对所述第1面的第1区域照射第1脉冲宽度的第1激光，来对所述陶瓷基板中的所述第1区域进行烧蚀加工；第2加工工序，在俯视下，将脉冲宽度比所述第1脉冲宽度大的第2脉冲宽度的第2激光照射到与所述第1面或所述第2面某一方的所述第1区域隔开的第2区域，以对包括所述第1区域以及所述第2区域在内的第3区域进行热加工，在所述第2加工工序中，所述第3区域以及被所述第3区域包围的区域形成从所述第1面贯穿至所述第2面的孔。
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公开(公告)号：CN119698157A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411280904.4
申请日：2024-09-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H10H29/855 , H10H29/85 , H10H29/24
Abstract: 提供降低照射面的杂散光的发光模块和覆盖结构体。发光模块具有：光源；配置于上述光源上，透过来自上述光源的光的透镜；以及配置于上述透镜上，包含光入射的下面和光出射的上面的覆盖构件，上述覆盖构件的下面包含来自透过上述透镜的上述光源的光入射的第1区域，以及设置于上述第1区域的周围，与上述第1区域相比光扩散性高的第2区域，上述覆盖构件的上面被硬度比上述覆盖构件高的透光性构件所覆盖。
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公开(公告)号：CN119698151A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411305671.9
申请日：2024-09-19
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H10H29/01 , H10H29/85 , H10H29/852 , H10H29/24
Abstract: 本发明提供一种能够使发光特性良好的发光装置的制造方法及发光装置。发光装置的制造方法具备：准备结构体的工序，所述结构体具有基板和光源部，所述光源部具有元件基板及多个发光部，并且配置于基板上，其中，各发光部具有半导体结构体，所述半导体结构体具有与元件基板对置的第一面、和位于第一面的相反侧的第二面；配置第一树脂部的工序，在上模具和下模具之间配置结构体，并且在由包覆部件包覆元件基板的上表面的状态下，向模具内供给树脂材料，使树脂材料固化之后，除去包覆部件，由此，在各半导体结构体的第二面和基板的上表面之间配置第一树脂部；从光源部除去元件基板的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115717065B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202211303175.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人大阪大学 , 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
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公开(公告)号：CN111326647B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201911292882.2
申请日：2019-12-16
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 中内隆夫
IPC: H10H20/851 , H10H20/856 , H10H20/852
Abstract: 提供发光装置、发光模块及发光装置的制造方法，提高了光的取出量的发光装置等。发光装置具备：透光性粘接部件，其连续覆盖第一侧面的第二主面侧和第三主面；第一光反射性部件，其覆盖设置有透光性粘接部件的第一侧面，且在周围具有第三侧面，第一光反射性部件含有具有光反射性的第一填充物，与第二主面垂直的方向的截面上的第三侧面彼此的距离比第二侧面中第四主面侧的第二侧面彼此的距离小，波长变换部件在第二侧面中与第三主面接近的区域形成从第二侧面的平面倾斜的第一倾斜面，波长变换部件在第一倾斜面的表面附着有反射发光元件发出的光的光反射性粒子。
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公开(公告)号：CN119208471A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202410835048.8
申请日：2024-06-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 冈田卓也
Abstract: 本发明提供一种发光效率提高的发出紫外光的氮化物半导体发光元件。上述发光元件包括n侧半导体层、p侧半导体层、以及位于n侧半导体层和p侧半导体层之间的活性层，在p侧半导体层和活性层之间具备电子阻挡层，其中，活性层从n侧半导体层侧起依次包括包含Al的第一势垒层、包含Al且发出紫外光的第一阱层、包含Al的第二势垒层、以及与电子阻挡层相接、包含Al且发出紫外光的第二阱层，第二阱层的Al组成比大于第一阱层的Al组成比，第二阱层的膜厚小于第一阱层的膜厚。
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公开(公告)号：CN111341901B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN201911297514.7
申请日：2019-12-13
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/64
Abstract: 提供一种能够稳定地实现高散热性能的发光模块。发光模块(1)具备：第1基板(10)，具有第1面(10a)和与第1面(10a)对置的第2面(10b)，在第1面(10a)形成有凹部(11)，在凹部(11)的底面(11a)形成有到达第2面(10b)的开口部(12)；第2基板(20)，配置于凹部(11)内；发光元件(21)，搭载于第2基板(20)，经由开口部(12)能够出射光；以及缓冲材料(30)，设置于第1基板(10)与第2基板(20)之间，且具有弹性。在未施加将第2基板(20)按压于第1基板(10)的力的状态下，第2基板(20)从第1基板(10)的第1面(10a)突出。
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公开(公告)号：CN111403429B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201911374186.6
申请日：2019-12-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 秋元肇
Abstract: 提供一种使制造成品率提高的图像显示装置以及图像显示装置的制造方法。实施方式所涉及的图像显示装置具备分别包含能够以红色、绿色以及蓝色发光的多个第1子像素和能够以蓝色发光的第2子像素的多个像素。所述多个像素中的至少1个像素的所述多个第1子像素中的任1个具有1个缺陷子像素。在所述缺陷子像素为应以红色或者绿色发光的子像素的情况下，所述第2子像素包含发光元件、和设置于所述发光元件且将所述发光元件的发光色转换为所述缺陷子像素应发光的颜色的波长转换层。
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