处理系统、对应装置及对应方法
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117032042A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311121040.7

    申请日:2020-02-27

    Abstract: 本公开的实施例涉及处理系统、对应装置及对应方法。集成电路包括耦合到参考时钟信号节点的时钟控制电路以及包括电压调节器、数字电路和模拟电路的多个电路。电压调节器在操作中提供经调节的电压。时钟控制电路在操作中生成系统时钟。输入/输出接口电路装置被耦合到多个电路和共用输入/输出节点。输入/输出接口电路装置在操作中将多个电路中的一个电路选择性地耦合到共用输入/输出节点。

    制造半导体器件的方法、对应的器件和系统

    公开(公告)号:CN117012742A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310488039.1

    申请日:2023-05-04

    Inventor: F·V·丰塔纳

    Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法、对应的器件和系统。半导体集成电路芯片被布置在衬底的第一表面上,该衬底包括阵列中的导电引线结构,其中导电引线结构在与第一表面相对的第二表面处被掩模层覆盖。半导体集成电路芯片电耦合到导电引线结构,并且绝缘封装模制在半导体集成电路晶片上。然后,例如通过激光烧蚀从一个或多个导电引线结构选择性地去除掩模层。然后通过施加到衬底的第二表面的蚀刻工艺来去除未被掩模层覆盖的导电引线结构。选择性地去除未掩蔽的导电引线结构用于增加留在原位的那些导电引线结构之间的爬电距离。

    具有快速启动恢复的指向电子设备和对应方法

    公开(公告)号:CN113204285B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202110138973.1

    申请日:2021-02-01

    Abstract: 本文描述了具有快速启动恢复的指向电子设备和对应方法。在指向电子设备的实施例的中,传感器融合处理级基于设想对加速度信号和陀螺仪信号的处理的传感器融合算法,生成指示绕纵轴的取向的取向估计量;以及指向确定级根据取向估计来实现陀螺仪信号的取向补偿,并且基于经取向补偿的陀螺仪信号来生成与指向电子设备的3D空间移动相对应的屏幕框架位移数据。处理块在启动之前的时间间隔期间,通过存储加速度信号的过去值来提供用于减小初始侧倾估计误差的侧倾估计起始值;以及在启动时,取回并处理所存储的过去值以生成经处理的加速度数据,经处理的加速度数据由传感器融合处理级使用以将传感器融合算法初始化并且生成侧倾估计量的起始值。

    随机存取存储器以及用于管理随机存取存储器的对应方法

    公开(公告)号:CN116935908A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202310432140.5

    申请日:2023-04-21

    Inventor: M·卡萨尔萨

    Abstract: 随机存取存储器(RAM)包括按行和列布置的阵列。存储元件的行对应于RAM的相应存储器位置。行中的存储元件具有公共门控时钟输入和相应数据输入,并且存储元件阵列的每个行包括多个D型锁存器。在操作中,RAM的地址输入接收标识RAM中的存储器位置的存储器地址。RAM的时钟门控电路装置基于在地址输入处接收的存储器地址,生成用于存储元件阵列的行的相应的门控时钟信号。存储器操作基于门控时钟信号,使用阵列的存储元件来执行。

    管理集成电路卡中的存储器的方法和对应的集成电路卡

    公开(公告)号:CN116909472A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310399167.9

    申请日:2023-04-14

    Abstract: 本公开的实施例涉及管理集成电路卡中的存储器的方法和对应的集成电路卡。一种管理集成电路卡中的存储器的方法,该集成电路卡包括非易失性存储器部分和RAM存储器部分,该方法包括:在非易失性存储器堆中创建一个或多个数组指针,该一个或多个数组指针对应于待被分配的一个或更多个瞬态数组,每个数组指针包括瞬态数组大小和瞬态数组地址,其中创建包括:创建一个或多个数组指针,该一个或多个数组指针包括RAM存储器部分中待被分配相应瞬态数组的区域的逻辑地址作为瞬态数组地址;以及然后在RAM存储器区域中将存储器仅分配给与相应一个或多个数组指针相对应的瞬态数组,该瞬态数组包括不同于零的至少一个值。

    膜微机电电声换能器
    47.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116896699A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310367376.5

    申请日:2023-04-07

    Abstract: 本公开涉及膜微机电电声换能器。一种微机电电声换能器包括:半导体材料的支撑框架;半导体材料的膜,其沿周界连接到支撑框架并具有中心对称性;以及压电致动器,其在膜的周界部分上。膜具有围绕膜的中心布置的细长形状的贯通狭缝。

    校准时钟信号的方法和系统
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116896358A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310346167.2

    申请日:2023-04-03

    Abstract: 本公开涉及校准时钟信号的方法和系统。根据一个实施例,一种方法包括:产生参考时钟信号的延迟副本集合,其中所述延迟副本集合中的延迟副本具有在时间上延迟了其间的相互时间延迟相应信号边沿;产生边沿检测信号集合,所述边沿检测信号包括指示所述延迟副本集合中的延迟副本的边沿与具有时钟周期的时钟信号的边沿的相应距离的边沿检测信号;基于所述边沿检测信号集合中的边沿检测信号来选择所述延迟副本集合中的延迟副本,所述延迟副本与所述时钟信号边沿的距离短于所述延迟副本集合中的任何其它延迟副本与所述时钟信号边沿的距离。

    具有抗应力性改进的压电致动的微机电镜器件

    公开(公告)号:CN116893504A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310372761.9

    申请日:2023-04-10

    Abstract: 本公开涉及具有抗应力性改进的压电致动的微机电镜器件。一种微机电镜器件在半导体材料的管芯中具有:限定腔体的固定结构;承载反射区域的可倾斜结构,弹性地悬置在腔体上方并且具有在水平面中的主延伸部;承载相应压电结构的至少一对第一驱动臂,压电结构可以被偏置以生成驱动力,该驱动力引起可倾斜结构围绕平行于水平面的第一水平轴的旋转轴的旋转;弹性悬置元件,在旋转轴处将可倾斜结构弹性地耦合到固定结构,并且对于离开水平面的运动是刚性的并且对于围绕旋转轴的扭转是柔顺的。特别地,第一对中的驱动臂磁性地耦合到可倾斜结构,以便在相应压电结构的偏置之后通过磁性相互作用使其围绕旋转轴旋转。

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