光学层叠体及其制造方法
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120010045A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202411616878.8

    申请日:2024-11-13

    Abstract: 本发明涉及光学层叠体及其制造方法。课题是提供能简化制造工序并且能实现薄型化的光学层叠体。解决手段为:光学层叠体是基材层、光吸收各向异性层、水平取向层及液晶偏光片依次层叠而得到的。光吸收各向异性层包含聚合性液晶化合物的聚合物及二向色性色素且满足式(1)~(3)的关系。液晶偏光片包含聚合性液晶化合物的聚合物及二向色性色素且在水平方向上具有吸收轴。水平取向层与液晶偏光片直接相接。从光吸收各向异性层的基材层侧的表面至液晶偏光片的与水平取向层侧相反的一侧的表面为止的距离为10μm以下。Az>(Ax+Ay)/2(1);0.001≤Ax≤0.1(2);Ax(z=60°)/Ax≥5(3)。

    聚合性液晶组合物、光学各向异性膜、层叠体、偏光板及图像显示装置

    公开(公告)号:CN119931678A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202411529841.1

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 本发明涉及聚合性液晶组合物、光学各向异性膜、层叠体、偏光板及图像显示装置。课题是提供能够抑制由热引起的相位差变化的光学各向异性膜、层叠体、及包含前述光学各向异性膜的偏光板、以及具有它们的图像显示装置。解决手段是聚合性液晶组合物,其包含至少1种以上的聚合性液晶化合物,所述聚合性液晶组合物具有:ClοgP值为7以上的聚合性液晶化合物;和相对于全部聚合性液晶化合物100质量份而言为3~18质量份的含反应性基团的非液晶化合物,其具有选自丙烯酰氧基及甲基丙烯酰氧基中的至少1种反应性基团。

    缺陷检查方法和缺陷检查装置

    公开(公告)号:CN116648618B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202280008333.1

    申请日:2022-01-14

    Abstract: 本发明是将具有直线偏振板的光学膜作为被检查物的上述直线偏振板的缺陷检查方法,上述光学膜依次具有剥离膜、上述直线偏振板和防护膜,上述缺陷检查方法具有配置工序:沿着光轴依次配置具有第1偏振片的第1滤光片、第1相位差补偿板、上述光学膜、第2相位差补偿板和具有第2偏振片的第2滤光片,并且以上述剥离膜侧的表面与上述第1相位差补偿板对置的朝向配置上述光学膜,上述第1相位差补偿板补偿上述剥离膜所具有的双折射,上述第2相位差补偿板补偿上述防护膜所具有的双折射。

    氮化物晶体衬底的制造方法和氮化物晶体衬底

    公开(公告)号:CN119859847A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202411255957.0

    申请日:2024-09-09

    Abstract: 氮化物晶体衬底的制造方法和氮化物晶体衬底。稳定获得含有AlGaN的氮化物晶体衬底。氮化物晶体衬底的制造方法具备如下工序:(a)准备基底衬底;(b)在衬底的上方形成含有n型的III族氮化物晶体的中间层;(c)在中间层上形成具有低于中间层的载流子浓度的载流子浓度的含有III族氮化物晶体的覆盖层;(d)通过电化学处理,维持覆盖层的表面状态,并通过覆盖层的位错而使中间层成为多孔状;(e)在覆盖层上使III族氮化物晶体所形成的再生长层进行外延生长;(f)以形成多孔状的中间层的至少一部分为界使再生长层从衬底剥离,在(e)中,使Al组成比x为0.05以上且0.8以下的由AlxGa1-xN的组成式表示的晶体作为再生长层生长。

    组合物、固化物、显示装置及固体摄像器件

    公开(公告)号:CN119816544A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202380063216.X

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本发明提供能够供给显示出高折射率的固化物并且固化性也优异的新型组合物。本发明涉及组合物,其包含式(I)表示的化合物和波长550nm处的折射率为1.60以上的树脂。式(I)中,n表示0~6的任意整数,L表示单键或2价基团,存在有多个的L可以相同也可以不同,R11表示1价取代基,R11存在有多个的情况下,多个R11可以相同也可以不同,R12选自由氢原子、式(1a)、及式(1b)组成的组,存在有多个的R12可以相同也可以不同。#imgabs0#

    结构体的制造方法、结构体的制造装置和中间结构体

    公开(公告)号:CN113728417B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202080030617.1

    申请日:2020-03-13

    Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序:准备至少表面由III族氮化物构成的蚀刻对象物的工序;以及,在蚀刻对象物浸渍于包含过二硫酸根离子的蚀刻液中的状态下,隔着蚀刻液对蚀刻对象物的表面照射光,从而由过二硫酸根离子生成硫酸根离子自由基,并使III族氮化物中生成空穴,由此对III族氮化物进行蚀刻的工序,在对III族氮化物进行蚀刻的工序中,通过使III族氮化物的蚀刻的开始时间点的蚀刻液为酸性,从而在III族氮化物被蚀刻的期间内维持蚀刻液为酸性的状态,在表面上形成有抗蚀剂掩膜的状态下进行蚀刻。

    接触辊及卷绕装置
    50.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119637586A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411966627.2

    申请日:2020-04-20

    Abstract: 本发明的一实施方式的接触辊(8)是具有在将长条的树脂膜(4)卷绕于卷绕轴(6)时与树脂膜接触的接触面(8a)的接触辊。该接触辊(8)具备辊主体(18)、在辊主体的径向上配置在辊主体的外侧的第一层(20)及具有接触面且在径向上配置在第一层的外侧的第二层(22)。第二层的A肖氏硬度小于第一层的A肖氏硬度。

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