公开(公告)号：CN103414447B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201310355803.4

申请日：2013-08-15

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞成电华瓷电子科技有限公司 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 李元勋 ,  左林 ,  陈振威 ,  张怀武 ,  苏桦 ,  滕林 ,  黄树峰 ,  沈健 ,  康建宏 ,  李广新

IPC: H03H7/12

Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器，包括内设有无源器件的LTCC陶瓷基板、金属外壳器件和金属外壳，在LTCC陶瓷基板的表面设有源元件，所述有源元件包括两支PIN二极管，二极管正极通过微带线并联在90O相位转移的主传输线的两端，负极通过金属过孔接地，LTCC陶瓷基板内嵌带通滤波器。本发明低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器采用基于LTCC工艺的多层陶瓷基板进行layout封装，从电路结构模型和封装工艺上进行创新设计，极大程度上达到了小型化的设计目的，同时让滤波器具备了传统器件没有保护电路的限幅功能，本发明可以在微波接收系统中广泛使用。

公开(公告)号：CN104829239B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201510140967.4

申请日：2015-03-27

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 李元勋 ,  邓龙超 ,  王旭 ,  苏桦 ,  沈健 ,  韩莉坤 ,  李颉 ,  张怀武

IPC: C04B35/64 ,  C04B35/26 ,  C04B35/16

Abstract: 本发明提供一种LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法，由低温烧结NiCuZn铁氧体材料和陶瓷硅酸盐材料通过LTCC湿法流延工艺进行匹配共烧；本发明应用LTCC工艺实现NiCuZn铁氧体与硅酸盐介质匹配，其中将硅酸盐作为非磁性气隙层来调节整个共烧体的磁性能和器件的电性能，得到一种能够在低温900℃烧结、无分层开裂、无翘曲变形且结合良好的叠层共烧体；并且以该共烧体为基体材料制作的叠层功率电感的直流特性相较于无介质气隙的电感有更好的直流特性。

公开(公告)号：CN103647635B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310713483.5

申请日：2013-12-23

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 毕闯 ,  张千 ,  向勇 ,  范正航

IPC: H04L9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于阶梯波的多卷波的产生电路，该电路由包括阶梯波序列产生电路和卷波信号输出电路，通过改变阶梯波的阶梯数量可以控制卷波的数量，所述阶梯波序列产生电路包括直流电源和阶梯波信号源，所述卷波信号输出电路包括加法器、第一积分器、第二积分器、乘法器、反向器、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容C1和第二电容C2。本发明的有益效果为，相比传统的混沌卷波信号，本发明的信号更具有确定性和唯一性，且本发明提出的电路结构更加简单，在工程中也更容易实现，本发明尤其适用于多卷波的产生电路。

公开(公告)号：CN106332102A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610718291.7

申请日：2016-08-24

Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 李迅波 ,  赵志宇 ,  曹厚华 ,  母国才 ,  许智良

IPC: H04W16/18 ,  H04W84/18 ,  H04L12/24

CPC classification number: H04W16/18 ,  H04L41/145 ,  H04W84/18

Abstract: 本发明涉及一种无线网络及物联网技术领域，具体涉及一种物联网中的异构网络架构，包括第一级网络和第二级网络，第一级网络包括sink层，第二级网络包括中继层和传感层，中继层和传感层融合在一起，中继层包括中继节点，传感层包括传感节点；传感节点组成至少一个的传感器子网；中继节点接入至少一个传感节点，中继节点具有多信道接口结构和多协议栈结构，信通的类型和数量与接入的传感器子网类型和数量相匹配，协议栈的数量与接入的传感器子网数量相匹配。该网络格构实现了组网方式的统一，达到兼容多种传感器网络的效果，可在任何一种或多种传感器网络环境下应用，并优化了中继节点部署，降低中继节点的部署成本。

公开(公告)号：CN106254115A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610640554.7

申请日：2016-08-05

Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院 ,  广东铂亚信息技术有限公司

Inventor： 汤露阳 ,  廖丹 ,  谭智 ,  赵东成

IPC: H04L12/24 ,  H04L29/08

CPC classification number: H04L41/0893 ,  H04L41/0896 ,  H04L67/1008 ,  H04L67/1031

Abstract: 本发明公开了一种虚拟数据中心的跨域映射方法，将虚拟数据中心映射到底层的分布式的多个数据中心，并且最小化总的映射成本和节约能耗，为了适应VDC映射的灵活性，一个简单而常见的解决方案是从头开始重映射VDC，而动态的VDC映射是将新增加的虚拟资源映射到底层物理基础设施上，为新增加的虚拟节点或虚拟链路分配物理资源，同时将减少的虚拟资源从物理基础设施上删除，释放其占用的物理资源。

公开(公告)号：CN103489915B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310421765.8

申请日：2013-09-16

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 乔明 ,  章文通 ,  黄军军 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体的说是涉及一种电荷补偿的横向高压超结功率半导体器件。本发明的横向高压超结功率半导体器件，在P型衬底层表面覆盖一层N型电荷补偿层的结构，N型电荷补偿层有多种掺杂方式，包括均匀掺杂、线性掺杂及离散掺杂等。线性掺杂可以使衬底辅助耗尽作用明显减小。本发明的有益效果为，在线性掺杂的基础上使用注入选择函数对掺杂浓度进行调整得到一种优化的掺杂方式，其充分考虑理想衬底条件以及等效衬底本身的电荷平衡条件，可以更好地克服衬底辅助耗尽作用的影响，使超结LDMOS得到最优的耐压性能。本发明尤其适用于横向高压超结功率半导体器件。

公开(公告)号：CN103578959B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201310585511.X

申请日：2013-11-19

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 陈万军 ,  肖琨 ,  王珣阳 ,  杨骋 ,  张波

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种FS-IGBT器件阳极的制造方法。本发明的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，主要步骤为：对硅片1背面进行减薄处理；清洗硅片1背面并注入N型杂质，高温推结形成场阻止层2和表面牺牲层3；翻转硅片1完成正面制作工序；去掉硅片1背面的表面牺牲层3；清洗硅片1背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区10；背面金属11积淀。本发明的有益效果为，在不破坏FS层杂质分布前提下，能有效去除背部表面沾污、缺陷，并且实现方式简便、容易控制。本发明尤其适用于FS-IGBT器件阳极的制造。

公开(公告)号：CN103280775B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201310263167.2

申请日：2013-06-27

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 李泽宏 ,  吴明进 ,  曾智 ,  宋文龙 ,  宋洵奕 ,  刘广涛

IPC: H02H7/20

Abstract: 本发明涉及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动控制技术，特别涉及IGBT并联输出动态延时过流保护电路。本发明针对现有技术IGBT并联使用时的过流保护问题，公开了一种IGBT并联输出动态延时过流保护电路，根据过流电流的大小动态调整延迟时间。本发明的技术方案是，绝缘栅双极型晶体管并联输出动态延时过流保护电路，由N个模块并联组成，N为整数，N≥2；其中每个模块包括：电流变化采样单元、电流还原单元、过流承受时间计算单元、固定关断时间控制单元、驱动单元和IGBT，每个模块的IGBT集电极通过负载与电源连接。本发明的过流保护抗干扰能力强，不会误关断，过流信号解除后，自动恢复正常工作，易于小型化和集成化。

公开(公告)号：CN105069500A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510394486.6

申请日：2015-07-06

Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 向勇 ,  王维 ,  魏乐乐 ,  苏阳

IPC: G06K19/077 ,  G06K7/00

Abstract: 本发明涉及高安全性RFID标签天线，包括基板，基板作为衬底，并设置有功率比较芯片、信号处理芯片、开关模块和多个天线，多个天线分别通过导线与功率比较芯片、信号处理芯片连接，信号处理芯片与开关模块连接；开关模块用于当按钮时，将信号传给多个天线；多个天线用于接收信号，并将信号发送给功率比较芯片；功率比较芯片对多个天线的功率比较，选择出功率最大的天线，并将功率最大的天线的信息发送给信号处理芯片；信号处理芯片接收功率比较芯片发送的信息，并连通功率最大的天线。本发明还涉及高安全性RFID标签，涉及射频方法。本发明高安全性RFID标签天线、RFID标签及射频方法，提高了RFID天线安全可靠性，且能够增大RFID标签天线的发射效率和接收效率。

公开(公告)号：CN104992978A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510290509.9

申请日：2015-06-01

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 邓小川 ,  梁坤元 ,  甘志 ,  萧寒 ,  李妍月 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种射频LDMOS晶体管及其制造方法。本发明的技术方案，主要为将传统的LDMOS法拉第罩设置为多段结构，分段后的金属相互独立，从而使靠近漏端处的金属块浮空，能够改善浮空后金属与其下面漂移区的电势差，从而降低靠近漏端边缘的电场峰值，提高击穿电压。本发明的有益效果为，能够有效改善N型轻掺杂漂移区的电场分布，使之更加均匀，从而可以在保持击穿电压不变条件下提高漂移区掺杂浓度，降低导通电阻。本发明尤其适用于射频LDMOS晶体管及其制造。