公开(公告)号：CN117558782A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202310410999.6

申请日：2023-04-17

Applicant: 宁夏隆基乐叶科技有限公司

Inventor： 史晨燕 ,  陈宇晖 ,  赵赞良 ,  王保生 ,  樊建江 ,  王武林 ,  王靖栋 ,  王茹 ,  魏亮 ,  牛嘉军 ,  张冬冬 ,  赵永涛

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体裸片和基片及制造方法、太阳能电池、光伏组件，涉及光伏技术领域，以使得基于制绒后的半导体裸片制造形成的太阳能电池能够在提高陷光效果的同时，降低电极结构的电阻率。所述半导体裸片具有相对的第一面和第二面。第一面和第二面中的至少一者具有交替分布的第一区域和第二区域。每个第一区域的表面具有沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔分布的多条切割线痕。第一方向为第一区域的延伸方向，第二方向为第一区域和第二区域的排布方向。第二区域的表面不具有切割线痕。或，第二区域的表面具有沿第一方向延伸的至少一条切割线痕，第二区域的切割线痕的分布密度和/或深度分别小于第一区域的切割线痕的分布密度和/或深度。

公开(公告)号：CN114038944B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202111411117.5

申请日：2021-11-25

Applicant: 常州时创能源股份有限公司

Inventor： 陈章洋 ,  王伟亮 ,  曹育红

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0475

Abstract: 本发明公开了一种光伏电池串接方法，在电池层的两侧表面分别铺设下连接件层和上连接件层，形成电池串。本发明能串接交替平铺的两种类型的电池片，如交替平铺的P型电池片和N型电池片；本发明将连接件、电池片分解开，所有连接件、电池分别独立同时抓取、定位，相较于传统焊接，可以节省很多时间，提升产能；同时也减少了连接件和电池片的搬运次数和路径，大大提升了连接件与电池片的对位精度，可以提升组件焊接良率，减少返修。

公开(公告)号：CN113519066B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201980092220.2

申请日：2019-12-26

Applicant: 太阳涂料有限公司

Inventor： 埃兰·迈蒙 ,  拉蒙·约瑟夫·阿尔巴拉克 ,  奥德·罗森贝格 ,  艾斯特·韦斯特莱西

IPC: H01L31/0475 ,  H01L31/05 ,  H01L31/048 ,  H02S30/20

Abstract: 一种装置包括具有多个微型光伏(PV)电池的分段PV电池阵列。PV电池阵列包括以下之一：(I)经由凹坑被分段的单个晶圆，(II)单个晶圆的经由凹坑被分段的部分，(III)经由凹坑被分段的成组的互连晶圆。晶圆是以下之一：(i)具有位于下部的金属化层的复合金属化晶圆，其中每个凹坑穿透晶圆的整个非金属化层，但不穿透位于下部的金属化层；(ii)半导体晶圆，其中每个凹坑穿透到半导体晶圆的整个深度的不超过99％。每个凹坑在两个相邻的微型PV电池之间形成物理凹陷分隔部，所述两个相邻的微型PV电池仍然彼此互连，但所述两个相邻的微型PV电池仅是在所述两个相邻的微型PV电池的高度中的一些高度而非全部高度上互连的。微型PV电池是以机械方式和电方式彼此连接的。

公开(公告)号：CN116632092A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310711732.0

申请日：2023-06-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 马云贵 ,  李欣苒 ,  张森 ,  党雍迪 ,  李雨萱

IPC: H01L31/0525 ,  G16C60/00 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于双曲超材料纳米线阵列的热光伏器件及其制造方法。可以显著提升热电转换性能。本发明包括如下步骤：1)根据辐射热流以及纳米线结构参数限制，确定双曲纳米线阵列填充率；2)根据工艺限制，设计纳米线阵列结构尺寸；3)根据优化的结构参数构建近场热光伏器件；4)利用有限元分析得到基于双曲超材料的近场热光伏器件的热电转换功率性能。本发明将双曲纳米线阵列结构与近场热光伏器件结合，通过参数优化对辐射热光子进行频率调控，使其与电池层半导体的禁带宽度相匹配。纳米线阵列结构能够有效提升对热光子的吸收能力。本发明兼容了现有的半导体制备工艺，在工业废热的回收利用等方面具有广阔的应用。

公开(公告)号：CN112838135B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201911162472.6

申请日：2019-11-25

Applicant: 福建金石能源有限公司

Inventor： 谢志刚

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种边缘钝化修复的柔性太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：提供硅片，在硅片其中一面预切割形成网格状凹槽；将硅片制绒清洗，形成金字塔绒面；在硅片表面形成钝化层及掺杂层；在硅片的正背面沉积透明导电膜层，通过激光开口或印刷掩模的方法在透明导电膜层形成缺口；在硅片表面形成金属电极，N型电极位于电池正面而P型引出电极位于电池的背面；在硅片的背面通过图形印刷的方式，形成多个子电池单元，相邻子电池单元之间预留间隙。本发明在P面切割预设位置附近，通过印刷制作掩模的方式移除该处的ITO膜层，P面切割入光成为可能，不限于只从N面切割HIT电池，且切割深度无限制，增大了由小电池单元组合成柔性组件的工艺选择范围。

公开(公告)号：CN116014000A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211590174.9

申请日：2015-12-07

Applicant: 迈可晟太阳能有限公司

Inventor： 本杰明·伊恩·赫西亚 ,  加布里埃尔·哈利 ,  金泰锡 ,  理查德·汉密尔顿·休厄尔 ,  金成德

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0475

Abstract: 本发明公开了用于基于箔的太阳能电池金属化的激光挡板层。制造太阳能电池的方法涉及在基板中或基板上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域。该方法还涉及在交替的N型半导体区域和P型半导体区域的相邻者之间形成糊剂。该方法还涉及固化糊剂以形成与交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置对齐的非导电材料区域。该方法还涉及将金属箔粘附至交替的N型半导体区域和P型半导体区域。该方法还涉及激光烧蚀穿过与交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置对齐的金属箔，以隔离与交替的N型半导体区域和P型半导体区域对齐的剩余金属箔的区域。在激光烧蚀期间，非导电材料区域用作激光挡板。

公开(公告)号：CN114503288A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080067919.6

申请日：2020-10-01

Applicant: 克利尔维技术有限责任公司

Inventor： 杰米·莱福德 ,  维克托·罗森贝格 ,  史蒂文·库南

IPC: H01L31/05 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0468 ,  H02S20/26 ,  H01L31/0475

Abstract: 本公开内容提供了一种用于发电的装置。装置包括面板，该面板具有对可见光的至少一部分透明的区域并且具有光接收表面。面板包括至少一个太阳能电池串，每个太阳能电池具有相对的主表面，相对的主表面具有相反的电极性，每个太阳能电池与太阳能电池中的另一太阳能电池交叠并且串联电连接。至少一个太阳能电池串被定位成：沿面板的边缘且在面板的边缘附近、沿对可见光的至少一部分为透明的区域并且基本上平行于面板的光接收表面。

公开(公告)号：CN114068761A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111369837.X

申请日：2021-11-18

Applicant: 无锡奥特维科技股份有限公司

Inventor： 仇科健 ,  赵玉吉

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0475 ,  G01R31/36 ,  B23K3/08

Abstract: 本发明提供了一种电池串虚焊检测装置、检测方法及串焊机，其中的电池串虚焊检测装置电池片导通机构和红外成像机构，其中：电池片导通机构用于导通电池串内的相邻电池片；红外成像机构设置在电池片导通机构的下方，红外成像机构用于获取被导通的相邻电池片的红外图像以获取相邻电池片上的虚焊点。本发明一次仅电导通电池串上的一对相邻的电池片，红外成像机构一次仅获取一对相邻的电池片的红外图像，最终通过多次电导通、拍照实施对整条电池串的虚焊点检测。与传统的EL检测方式相比，本发明能够大幅度提升虚焊点的检测精准度。

公开(公告)号：CN111599804A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN202010108971.3

申请日：2020-02-21

Applicant: 马维尔亚洲私人有限公司

Inventor： V·阿西瓦 ,  S·V·罗特拉 ,  N·N·库德 ,  B·H·莱姆

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11519 ,  H01L31/02 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0475 ,  G11C7/10 ,  G11C11/40

Abstract: 本公开的各实施例涉及用于太阳能和数据存储的两用半导体器件。本公开描述了用于太阳能和数据存储的两用半导体器件的各方面。在一些方面，两用半导体器件被选择性地配置为通过耦合具有相同掺杂类型的区域以形成PN结来生成功率，该PN结通过响应于光而生成功率。所生成的功率可以被提供给耦合到两用半导体器件的触点(例如，前触点和后侧触点)的负载。通过将相同掺杂类型的区域解耦以提供相的数据存储访问端子以用于通过两用半导体器件的浮栅结构访问(例如，写入或读取)作为电荷水平存储的位值。通过这样做，利用两用半导体器件实现的太阳能阵列也可以提供数据存储功能。

公开(公告)号：CN105934881B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201580006029.3

申请日：2015-03-24

Applicant: 太阳能公司

Inventor： 戈帕尔·克里尚·加尔格 ,  林承笵 ,  彼得·约翰·卡曾斯

IPC: H01L31/0475 ,  H02S40/38 ,  H02S40/32

Abstract: 本发明公开了一种光伏模块，所述光伏模块可包括高压光伏层压板，所述高压光伏层压板包括多个高压光伏电池，所述多个高压光伏电池中的每一者包括多个子电池。所述光伏模块还包括无升压转换装置，所述无升压转换装置可被配置为将来自所述高压光伏层压板的第一电压转换为第二电压。