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公开(公告)号：CN116446041A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310265130.7
申请日：2023-03-13
申请人： 武汉大学深圳研究院
摘要： 本发明公开了一种GaN与金刚石复合散热结构的膜层及其制备方法。本发明的膜层使用渐变浓度的AlNGa‑AlN‑AlNC‑NC复合层作为外延金刚石的缓冲层；使用NC材料作为外延金刚石的前一层。采用本发明的膜层设计方案，能提高散热效率，在不损坏GaN器件的情况下提高25％的GaN有效输出功率。提高金刚石薄膜与GaN器件的结合力，进一步提升成功外延金刚石的可能。保护缓冲层不被氢等离子体刻蚀。
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公开(公告)号：CN116288713A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310301399.6
申请日：2023-03-24
申请人： 天津理工大学
IPC分类号： C30B29/10 , C30B28/02 , C30B28/04 , C30B9/12 , C30B9/06 , C30B7/10 , C30B17/00 , G02F1/355 , C01B35/12
摘要： 本发明涉及系列含氟稀土硼酸盐化合物及系列含氟稀土硼酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途，该系列化合物及其晶体化学通式均为A2REB3O6F2，其中A＝Rb，Cs，NH4；RE＝Sc,Y,La，分子量为247.46‑571.14，该系列晶体属于正交晶系，空间群Amm2，晶胞参数Z＝2，该系列含氟稀土硼酸盐化合物采用固相反应法或水热法合成，该系列非线性光学晶体采用高温熔液法、水热法或溶液法生长。该系列材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
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公开(公告)号：CN116288711A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310165884.5
申请日：2023-02-08
申请人： 中南大学
摘要： 本发明提供了一种黑磷砷材料的制备方法，包括：保护性气氛或真空的密闭容器中，将灰砷、红磷和添加剂混合后置于高温区域进行反应，并同步于低温区域结晶沉积，得到黑磷砷材料；其中，所述添加剂包括碘化碲；所述高温区域的温度不低于550℃，所述低温区域的温度为450～530℃；所述黑磷砷材料为黑磷砷单晶。本发明实现了片状黑磷砷单晶的可控合成，且在半导体器件中具有优异的应用性。
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公开(公告)号：CN116219545A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310197762.4
申请日：2023-03-03
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： C30B29/10 , C30B7/00 , H01M6/52 , H01M10/54 , H01M4/36 , H01M4/60 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/054 , H01M6/34
摘要： 本发明公开了一种单晶普鲁士蓝及复合材料的铸造和回收再利用方法，其铸造：1）将普鲁士蓝粉末加入酸溶液中，超声直至完全溶解，得到溶液A；2）将溶液A加入到模具中静置反应，直至普鲁士蓝晶体重新固化；3）再依次离心洗涤以及干燥，制得具有模具形状单晶普鲁士蓝；4）将其他材料加入在溶液A中静置反应，直至普鲁士蓝晶体固化；再依次离心洗涤以及干燥，制得单晶普鲁士蓝复合材料；其回收再利用：1）采用上述单晶普鲁士蓝复合材料组装电池；其电化学性能优异，结构稳定，具有良好的应用前景。2）将使用后的电池中普鲁士蓝复合材料取出，放入酸性溶液中，溶解后可再次得到溶液A，对溶液A进行再次铸造，实现单晶普鲁士蓝回收再利用。
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公开(公告)号：CN113818078B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111106058.0
申请日：2021-09-22
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明涉及激光材料技术领域，尤其涉及一种铕掺杂硼酸盐激光晶体材料及其制备方法和应用。本发明提供的铕掺杂硼酸盐激光晶体材料的化学式为：(EuxLa1‑x)2CaB10O19，其中，x的取值范围为：0.001≤x≤0.999。与现有技术相比，本发明具有以下优势：将铕离子掺杂在所述硼酸钙镧晶体中后，具有宽的吸收和荧光光谱，可实现高效的560～720nm波段的大功率激光输出，并且此材料具有良好的非线性光学效应，高的激光损伤阈值。
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公开(公告)号：CN116121869A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310154647.9
申请日：2023-02-23
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明提供一种化合物羟基氟化硼酸铵双折射晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为(NH4)2B3O3F4(OH)，分子量为209.52，采用水热法或室温溶液法制成，属于单斜晶系，空间群为C2/c，晶胞参数为a=20.151(9)Å，b=7.770(3)Å，c=11.519(5)Å，α=90°，β=117.225(5)°，γ=90°，单胞体积为1603.7(12)Å3,采用水热法或室温溶液法生长晶体，通过该方法获得的(NH4)2B3O3F4(OH)双折射晶体，紫外截止边低于200 nm，双折射率为0.049@1064 nm，该晶体的化学稳定性良好，能够用于制作各种用途的偏光棱镜，相位延迟器件和电光调制器件，例如，格兰棱镜、偏振分束器、补偿器、光隔离器环形器和光学调制器等，在光学和通讯领域有重要作用。
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公开(公告)号：CN116119720A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310059981.6
申请日：2023-01-17
申请人： 福州大学
摘要： 本发明公开了一种主族‑过渡异金属簇嵌入的锰钼多酸化合物，其分子式为(MV)2[Cu2I3](MnMo6O18L2)·nCH3CN，其中，L＝2‑(hydroxymethyl)‑2‑(pyridine‑4‑yl)‑1,3‑propanediol，MV＝1,1′‑dimethyl‑4,4′‑bipyridine‑1,1′‑diium；所述主族‑过渡异金属簇嵌入的锰钼多酸化合物的结构特征为双三羟基功能化的锰钼酸盐，通过铜卤簇[Cu2I3]连接形成一维无限链状结构；所述主族‑过渡异金属簇嵌入的锰钼多酸化合物的三维堆积结构中存在一维孔道，孔道中填充了质子化的紫精阳离子作为抗衡阳离子和数个乙腈溶剂分子；本发明所制备的主族‑过渡异金属簇嵌入的锰钼多酸化合物可作为非易失性存储材料，其具有结晶度好，稳定性高，且具有合成工艺简单，产率高等优点，可应用于催化、电化学传感器、电容器等领域。
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公开(公告)号：CN116103745A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211726317.4
申请日：2022-12-30
申请人： 上海电机学院
摘要： 本发明公开了一种Mg3Sb2晶体材料的制备方法，采用坩埚下降法在助熔剂的协助作用下生长得到Mg3Sb2单晶材料，包括：选取高纯单质元素Mg、Sb、Bi、Y为起始原料，按Mg3Sb2Yx:(Sb/Bi)＝1:1～5的摩尔比配料，Mg、Sb、Bi、Y依次放入高纯氮化硼坩埚中，坩埚放置于石英管内抽真空至10‑3‑10‑1Pa，封装，放入垂直布里奇曼生长炉中，炉温为800‑900℃，升温速率为50‑200℃/h，保温5‑15h，保证充分熔化均匀；石英管以0.2‑0.5mm/h的速度向下移动，当溶质在溶剂中达到饱和，晶体在坩埚内通过自发成核不断长大，获得高质量、大尺寸的Mg3Sb2单晶材料。
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公开(公告)号：CN113481596B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110614756.5
申请日：2021-06-02
申请人： 四川师范大学
摘要： 本发明公开了一种非线性光学晶体氟氧铌酸钾及其制备方法和应用，其非线性光学晶体化学式为K5Nb3OF18，属于四方晶系，空间群为I4cm，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，z＝4，单胞体积为该非线性光学晶体氟氧铌酸钾用于激光器激光输出的频率变换。使用粉末倍频测试方法测量了K5Nb3OF18的相位匹配能力，其粉末倍频效应为它的倍频系数是KH2PO4(KDP)的2.2倍。它的紫外吸收边为238nm。另外，K5Nb3OF18单晶无色透明，化学稳定性好。所以可以预见，K5Nb3OF18将在紫外领域中获得应用，并将开拓紫外波段的非线性光学应用。
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公开(公告)号：CN115991481A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111219639.5
申请日：2021-10-20
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明涉及化合物氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧及氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该化合物和晶体化学式通式均为A3La4B3O13Cl，其中A＝Sr，Ba，空间群为P63，属于六方晶系，晶胞参数为Z＝2。化合物氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧采用固相反应法合成，氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧非线性光学晶体采用高温熔液法生长，该材料可应用于制造二次谐波发生器、上下频率转换器，光参量振荡器等。
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