用于光刻胶剥除和后金属蚀刻钝化的高室温工艺和室设计

    公开(公告)号:CN101523592A

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200780036531.4

    申请日:2007-09-13

    Abstract: 一种用于钝化和/或剥除形成在半导体基片上的光刻胶层的真空室。该室包括内部室体,其形成腔体以围绕该基片并且具有贯穿延伸至该腔体的多个气体通道以及一个或多个加热器以加热该内部室体。该内部室体可滑动地安装在外部室体上,其围绕该内部室的侧面,其间具有间隙。该装置还包括:排气单元,其运转以从该腔体泵出气体;室顶部,安装在该内部室体上以覆盖该内部室体的顶部表面,其间具有间隙,该室顶部具有开口,其与该气体通道流体连通;以及等离子源,其运转以将该气体激发为等离子态并且连接至该开口以与该腔体流体连通。

Patent Agency Ranking