公开(公告)号：CN1574238A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048782.2

申请日：2004-06-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 所公开的是一种CMP浆料，其所含第一种胶粒的初级粒子直径范围从5nm到30nm并且平均粒径为d1，掺入的第一种胶粒的重量为w1，第二种胶粒的初级粒子直径比第一种的大并且其平均粒径为d2，第二种胶粒是用与第一种胶粒相同的材料制成，掺入的重量为w2，其中所选择的d1、d2、w1、w2应同时满足下列条件(A)和(B)，排除d1、d2、w1、w2同时满足下列条件(C)和(D)的情形：3≤d2/d1≤8 (A)；0.7≤w1/(w1+w2)≤0.97 (B)；3≤d2/d1≤5 (C)；0.7≤w1/(w1+w2) ≤0.9 (D)。

公开(公告)号：CN1487585A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03148279.1

申请日：2003-07-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  福岛大 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基板、层间绝缘膜以及在层间绝缘膜中形成的埋入布线，其中，层间绝缘膜包括在基板上形成的并且相对介电常数小于2.5的第一绝缘膜，以及为覆盖第一绝缘膜而形成的并且相对介电常数大于第一绝缘膜的相对介电常数的第二绝缘膜。第二绝缘膜的底部在数个点埋入在第一绝缘膜中。