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公开(公告)号：CN109585823A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811404591.3
申请日：2018-11-23
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 一种硒化钴/石墨碳复合材料的制备方法是以Co(NO3)2·6H2O、2-甲基咪唑、甲醇、硒粉为原材料，分别经过多面体形金属有机骨架化合物ZIF-67的制备、基于MOFs模版构筑硒化钴/石墨碳复合材料的制备等步骤制得。本发明制备的ZIF-67为菱形十二面体，其骨架粒径小、可控制在300nm左右且均匀，比表面积大，整体分布也均匀。本发明复合材料，结晶度高，具有较高的比表面积和多孔性，可形成均相分布，制备骨架粒径小，整体分布均匀；同时，触电容量大，寿命长，具有优良的储锂性能，最多可经过200次充放电循环后不衰减，使用过程稳定性好，不会出现电流忽大忽小的状况，且产物纯度高，本发明制备方法产量高、可达高70%以上，制备工艺简单可行，值得市场推广。
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公开(公告)号：CN109400905A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811419191.X
申请日：2018-11-26
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C08G83/00
Abstract: 一种金属有机骨架Mn-BTC的制备方法是以Mn(CH3COO)2·4H2O、PVP-30、乙醇与水的混合溶液、均苯三甲酸为原料，分别经过溶液A的制备、溶液B的制备、混合老化、离心洗涤、真空干燥等步骤制得。本发明制备的MOFs球形完整，具有球形形貌，产品分散性好，未见粘连状况结晶度高，利用其制备的微球状硒化锰/碳复合材料，具有较高的比表面积和多孔性，表现出优良的储锂性能，产物纯度高,纯度可高达99.2%，产率高，可高达70%以上，储电容量大，循环寿命长，工艺流程简单可行，值得市场推广。
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公开(公告)号：CN105185470B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510647160.X
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公布了一种即用即撕的银纳米线透明导电薄膜的制备，其制备步骤为：将保护膜进行清洗；在保护膜上涂覆一层粘合力低的粘结剂，红外灯烘干；将银纳米线导电墨水涂覆在保护膜上，干燥后得到银导电网络；将高粘合力的粘结剂涂覆在基底上，然后将保护膜平放在基底上方，干燥得到有保护膜的即用即撕的银纳米线透明导电薄膜。该方法制备的银透明导电薄膜拥有长久的双面保护，能长期存储；和衬底的粘结性好，导电透光性高、保护膜能轻易撕下，可用于电子信息产业的很多方面。
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公开(公告)号：CN105139924B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201510646334.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公布了一种双保护膜的银纳米线透明导电薄膜的制备，其制备步骤为：将保护膜进行清洗并等离子处理；将银纳米线导电墨水涂覆在保护膜上，干燥后得到银导电网络；将高粘合力的粘结剂涂覆在基底上，初步干燥后将保护膜平放在基底上方，进一步干燥后得到双层保护膜银纳米线透明导电薄膜。该方法制备的银透明导电薄膜拥有长久的双面保护，能长期存储；和衬底的粘结性好，导电性高、透光率高、保护膜能轻易撕下，可以用于电子信息产业的很多方面。
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公开(公告)号：CN105185432A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510648293.9
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公布了一种多重保护的银纳米线透明导电薄膜，其制备步骤为：将保护膜进行清洗；在保护膜上涂覆一层粘合力低的粘结剂，红外灯烘干；将银纳米线导电墨水涂覆在保护膜上，干燥后得到银导电网络；在银导电网络上涂覆一层导电物质；将高粘合力的粘结剂涂覆在银导电网络上，然后将基底平放在粘结剂上方，干燥得到一种多重保护的银纳米线透明导电薄膜。该方法制备的银透明导电薄膜拥有多层保护，能长期存储；和衬底的粘结性好，导电性高、透光率高、保护膜能轻易撕下，可以用于电子信息产业的很多方面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105139924A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510646334.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公布了一种双保护膜的银纳米线透明导电薄膜的制备，其制备步骤为：将保护膜进行清洗并等离子处理；将银纳米线导电墨水涂覆在保护膜上，干燥后得到银导电网络；将高粘合力的粘结剂涂覆在基底上，初步干燥后将保护膜平放在基底上方，进一步干燥后得到双层保护膜银纳米线透明导电薄膜。该方法制备的银透明导电薄膜拥有长久的双面保护，能长期存储；和衬底的粘结性好，导电性高、透光率高、保护膜能轻易撕下，可以用于电子信息产业的很多方面。
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公开(公告)号：CN105131881A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510646972.2
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C09J163/00 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08
Abstract: 本发明公布了一种低固含量的中常温快速固化的导电银胶，其组成包括：银纳米线，1-2%；片状银粉，13-29%；双酚A环氧树脂，20-30%；快速中常温固化剂，5-10%；快速中常温固化促进剂，0.5-1%；稀释剂，1-3%；K-570或K-550，1-3%；对苯二甲酸，0.5-1%；纤维素，20-56.3%；纳米二氧化硅，0.5-1%；消泡剂，0.1-0.5%；ICAM8401或8402，0.1-0.5%。该导电银胶在中常温下即可快速固化、银含量低而成本较低，大大扩展了其应用范围。
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公开(公告)号：CN116516309B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310520440.9
申请日：2023-05-10
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种核用锆合金表面单层富Cr掺N涂层，所述单层富Cr掺N涂层中，N的掺杂量为8~15at.%，具体是通过磁控溅射，以Cr靶为溅射靶，溅射时通入N2制备得到。本发明中通过磁控溅射制备出单层富Cr掺N涂层，提高了涂层的机械性能，增强了涂层的硬度，硬度最高达到25.16Gpa，从而提高了涂层的耐磨性能；通过N原子的少量掺杂，改善了涂层的形貌和微观组织，将涂层的晶粒结构为无柱状晶特征的纳米晶结构，有效提高了高温抗氧化性能，氧化增重仅仅是15.63mg/m2，同时减缓了涂层的失效，此外，这样的纳米晶结构在高温蒸汽环境下有利于在合金与涂层界面形成连续致密的孪晶，有效阻挡了Zr和Cr的相互扩散。
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公开(公告)号：CN116516309A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310520440.9
申请日：2023-05-10
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种核用锆合金表面单层富Cr掺N涂层，所述单层富Cr掺N涂层中，N的掺杂量为8~15at.%，具体是通过磁控溅射，以Cr靶为溅射靶，溅射时通入N2制备得到。本发明中通过磁控溅射制备出单层富Cr掺N涂层，提高了涂层的机械性能，增强了涂层的硬度，硬度最高达到25.16Gpa，从而提高了涂层的耐磨性能；通过N原子的少量掺杂，改善了涂层的形貌和微观组织，将涂层的晶粒结构为无柱状晶特征的纳米晶结构，有效提高了高温抗氧化性能，氧化增重仅仅是15.63mg/m2，同时减缓了涂层的失效，此外，这样的纳米晶结构在高温蒸汽环境下有利于在合金与涂层界面形成连续致密的孪晶，有效阻挡了Zr和Cr的相互扩散。
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公开(公告)号：CN116516291A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310520282.7
申请日：2023-05-10
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种核用锆合金表面的Cr‑Si系涂层，是以Cr靶和Si靶通过磁控溅射制得，涂层中Si的含量控制在7.5~22.0 at.%，所述Cr靶和Si靶的电源驱动分别为直流电源和射频电源，其中Cr靶的溅射功率为300W，Si靶的功率为100~300W。本发明通过在锆合金基体表面制备的Cr‑Si涂层，具有优异的高温抗氧化性能，氧化过程中，在基体和涂层的界面形成了Cr2O3/SiO2双氧化层，有效延缓了Cr2O3的失效，在1200℃水蒸气环境下进行氧化，氧化增重低至1.4mg/cm2，同时通过Si的掺杂，有效提高了涂层的机械性能，硬度达到14.64GPa，增强了其耐磨减摩性能。
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