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公开(公告)号：CN116520114A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310225572.9
申请日：2023-03-09
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开提供一种MOS型半导体器件测试设备。该包括：载台，用于承载被测MOS型半导体器件，并与被测MOS型半导体器件的漏/集电极导电接触；基板，包括绝缘基底，设置在绝缘基底上的驱动电路、切换控制电路、和阈值测量电路；一对或多对探针，固定在绝缘基底上，且与切换控制电路电连接，切换控制电路用于控制任意一对探针与驱动电路的通断以及与阈值测量电路的通断，其中，任意一对探针用于分别导电接触一个被测MOS型半导体器件的栅极和源/发射极，且基板可移动以使探针脱离或接触被测MOS型半导体器件。该设备测试准确性较高。
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公开(公告)号：CN116366044A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310311223.9
申请日：2023-03-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种通过调节栅极电压提高功率器件过载的栅极驱动电路，它包括电流传感器、控制器、继电器、驱动芯片、脉冲发生器、开通栅极电压源VGSon1和VGSon2、两个栅极电阻以及被控器件；脉冲发生器与驱动芯片连接，驱动芯片通过两个栅极电阻与被控器件的栅极连接，被控器件的漏极与电流传感器连接，电流传感器与控制器连接，驱动芯片和继电器公共触点连接，继电器动断常闭触点与开通栅极电压源VGSon1连接，继电器动合常开触点与开通栅极电压源VGSon2连接，控制器控制继电器状态。本发明通过分阶段调控或者连续调控两种方式来抬升被控器件栅极电压，降低导通电阻RDS和被控器件的导通损耗，提高被控器件短时过载能力。
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公开(公告)号：CN116068354A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211677673.1
申请日：2022-12-26
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开提供一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备。在过渡阶段的连续的3个子阶段中向待测试MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加三种恒定电压的驱动信号，三种恒定电压的驱动信号的电压值依序单调变化，连续的3个子阶段中第一个子阶段与第三个子阶段的驱动信号的电压极性相反且驱动信号的绝对值不等，第二个子阶段的电压极性与第一个子阶段和第三个子阶段的电压绝对值较大一者的极性相同；或者，连续的3个子阶段中第一个子阶段与第三个子阶段的驱动信号的电压极性相反且驱动信号的绝对值相等，第二个子阶段的电压极性与使得待测试MOS型半导体器件充分导通的电压极性相同。如此设置有助于提高测试的可靠性和效率。
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公开(公告)号：CN112968007B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110149779.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 本申请涉及一种功率半导体结构及直流断路器。该功率半导体结构包括第一金属组件层、半导体芯片组件、第一冷却件、第二金属组件层和第二冷却件；半导体芯片设于第一金属组件层上；芯片门极线的第一端连接半导体芯片；第一冷却件设于半导体芯片上；第二金属组件层包括设于第一冷却件上的第一金属层，以及设于第一金属层上的第二金属层；其中，第一金属设有容纳腔；第二冷却件设于容纳腔内；芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出，实现在电网发生短路等故障时，可通过第一冷却件和第二冷却件快速降低半导体芯片温度，同时提升芯片的温度均匀性，进而提高了应用模块的安全可靠性。
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公开(公告)号：CN112968007A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110149779.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 本申请涉及一种功率半导体结构及直流断路器。该功率半导体结构包括第一金属组件层、半导体芯片组件、第一冷却件、第二金属组件层和第二冷却件；半导体芯片设于第一金属组件层上；芯片门极线的第一端连接半导体芯片；第一冷却件设于半导体芯片上；第二金属组件层包括设于第一冷却件上的第一金属层，以及设于第一金属层上的第二金属层；其中，第一金属设有容纳腔；第二冷却件设于容纳腔内；芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出，实现在电网发生短路等故障时，可通过第一冷却件和第二冷却件快速降低半导体芯片温度，同时提升芯片的温度均匀性，进而提高了应用模块的安全可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112731095A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011503267.4
申请日：2020-12-18
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤光栅传感器的IGBT结温监测系统，包括光纤光栅传感器和光纤光栅解调仪，光纤光栅传感器有两个，每个光纤光栅传感器包括光纤和毛细玻璃管，光纤上刻写有一段光纤光栅，毛细玻璃管同轴套装在光纤光栅外，且两端通过胶体与光纤粘接为一体，光纤光栅位于毛细玻璃管的中心，其中一个光纤光栅传感器粘贴在IGBT功率模块的IGBT芯片表面，另一个光纤光栅传感器粘贴在IGBT功率模块的二极管表面，两个光纤光栅传感器与光纤光栅解调仪连接；光纤光栅解调仪中的信号处理模块被编程以执行结温监测步骤。其能解决IGBT结温监测结果不准确以及监测系统无冗余问题。
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公开(公告)号：CN112578255A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011503268.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤光栅传感器的电动汽车IGBT健康监测系统，包括电机控制器、光纤解调系统、整车控制器、热管理系统和仪表，热管理系统与电机控制器的冷却通道连接，电机控制器包括IGBT功率模块总成、驱动电路模块和控制电路模块，IGBT功率模块总成包括光纤光栅传感器以及六个IGBT芯片和六个二极管，光纤光栅传感器包光纤和光纤接头，光纤上刻写有六个光纤光栅，六个光纤光栅分别对应粘贴在六个IGBT芯片表面。本发明可以在IGBT功率模块总成长时间运行后，进行IGBT热性能蜕化程度评估，根据蜕化程度，重新匹配热管理系统的冷却水温目标值，为IGBT功率模块总成的稳态运行营造更好的散热环境。
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公开(公告)号：CN116743134A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310699398.1
申请日：2023-06-13
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/14 , H03K17/687
Abstract: 本公开提供了一种绝缘栅型半导体器件的阈值电压恢复方法及相关产品。该方法包括：在加热过程，利用所述绝缘栅型半导体器件的导通电流对所述绝缘栅型半导体器件进行自加热，以使所述绝缘栅型半导体器件的温度上升至阈值恢复温度，其中，在所述加热过程的至少部分时段导通电流大于额定电流；在冷却过程，关断所述绝缘栅型半导体器件，以使所述绝缘栅型半导体器件的温度降低至常温。本公开提供的方法中，半导体器件的阈值电压恢复所需的时间短，也不需要将半导体器件放入专用设备进行阈值电压的恢复处理，节省了半导体器件从其应用设备上拆卸和安装的时间，大大提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN116718884A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310457863.0
申请日：2023-04-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本公开提供一种绝缘栅型半导体器件的导通压降检测电路、设备和电力变换装置。导通压降检测电路，包括：测量电路，具有串联连接的可变电阻器和采样电阻，所述可变电阻器与所述采样电阻所在串联支路的两端分别连接被测器件的第一极和第二极；其中，所述被测器件为绝缘栅型半导体器件；其中，在所述被测器件的第一极与第二极之间的电压差为其工作电压差的情况下，并且所述可变电阻器的电流值与所述可变电阻器两端的电压值正相关，并且所述可变电阻器的电阻值与所述可变电阻器两端的电压值正相关，并且所述采样电阻两端电压绝对值与所述被测器件的第一极和第二极之间的电压绝对值正相关。
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公开(公告)号：CN116317480A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310311219.2
申请日：2023-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M1/08 , H03K17/687 , G05B19/04 , H02M1/00 , H02M1/32
Abstract: 本发明涉及一种通过降低栅极电阻提高功率器件过载的栅极驱动电路，它包括电流传感器、控制器、继电器、驱动芯片、脉冲发生器、可调栅极电阻RG以及被控器件；脉冲发生器与驱动芯片连接，驱动芯片的开通端口和关断端口与可调栅极电阻RG连接；被控器件的漏极与电流传感器连接，电流传感器与控制器连接，栅极与继电器的公共触点K连接，继电器的动断常闭触点和动合常开触点与可调栅极电阻RG连接，所述控制器与继电器电磁铁线圈连接，控制继电器工作状态。本发明通过分阶段调控或者连续调控两种方式来降低被控器件栅极的电阻，以提高被控器件的开关速率，降低被控器件的开关损耗，提高被控器件短时过载能力。
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