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公开(公告)号：CN107808767A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710934027.1
申请日：2017-10-10
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: H01F41/0253 , H01F1/34
Abstract: 本公开涉及一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法，包括：1、利用多温区气氛炉制备单层二硫化钼薄膜；2、制备不同浓度的锰离子溶液，将制备好的单层二硫化钼薄膜分别浸入不同浓度的锰离子溶液中，然后对锰离子溶液进行密封处理；3、将浸有单层二硫化钼薄膜的锰离子溶液在50℃-300℃加热装置中加热1-4小时；4、将单层二硫化钼薄膜从锰离子溶液中取出吹干。经本公开所述方法处理后的单层二硫化钼具有较强的铁磁性，可从侧面证明掺杂后的单层二硫化钼薄膜发生谷劈裂，跟已有的理论计算结果一致，使单层二硫化钼薄膜具备应用在谷电子学器件的可能。
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公开(公告)号：CN107723579A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710822410.8
申请日：2017-09-13
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C30B29/52 , C22C33/06 , C22C38/005 , C30B28/06 , H01L41/20 , H01L41/35 , H01L41/39
Abstract: 本发明公开了一种获得低驱动场大磁致应变磁致伸缩材料的方法及材料，该方法包括：对材料进行改性，使得其具备纳米马氏体畴，并且以满足低驱动场大磁致应变效应为准。本发明还分别公开了低驱动场大磁致应变磁致伸缩材料的多晶样品和定向凝固样品的制备方法，采用该方法可以获得具有独特的低驱动场大磁致应变性能的新型磁致伸缩材料，方法明确易行，简单实用；上述制备方法具有工艺简单、可重复性好、生产良品率高等优点，获得的Fe100-xPdx合金在性能上具有饱和磁场小(饱和磁场 300ppm)等特点。
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公开(公告)号：CN103789597B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410022995.1
申请日：2014-01-17
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公布了一种高阻尼形状记忆合金及其制备方法，该形状记忆合金的化学式为Ni55-xCuxMn25Ga20(0≤x≤6)；按照Ni55-xCuxMn25Ga20的化学计量比，将Ni、Cu、Mn和Ga单质放入电弧熔炼炉中，并抽真空再充入氩气在110A下熔炼得到铸锭，并将铸锭反复熔炼后经高温固溶处理后淬火至室温，得到高阻尼形状记忆合金。对Ni55-xCuxMn25Ga20形状记忆合金体系的阻尼测试表明，这些样品具有高阻尼峰，阻尼峰值Q-1均大于0.03，最大峰值达到0.0771。阻尼峰的温度范围很宽，可达到200K-430K，完全覆盖环境温区，且阻尼峰不随频率变化、稳定性高，具有实际应用价值。
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公开(公告)号：CN104630562A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510023890.2
申请日：2015-01-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高阻尼形状记忆合金的应用，该形状记忆合金的化学式为Ni55-xFexMn20Ga25。按照Ni55-xFexMn20Ga25的化学计量比，将Ni、Fe、Mn和Ga单质放入电弧熔炼炉中，抽真空后充入氩气，熔炼最终的铸锭经高温固溶处理后淬火至室温，得到了形状记忆合金。对Ni55-xFexMn20Ga25形状记忆合金体系的阻尼测试表明，合金样品具有高阻尼平台(Q-1≥0.05)。当x＝0时，得到了宽温度区间150K-340K的高阻尼合金；当0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102650066A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210154158.5
申请日：2012-05-17
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯降压扩孔制备氧化铝模板的方法，包括1）抛光后的铝箔作为阳极，铂电极作为阴极，将阳极、阴极放入酸性电解溶液中并连通电源后，进行第一次阳极氧化，氧化时间为1～5h；2）第一次阳极氧化完成后，除去阳极表面的氧化铝膜后，进行第二次阳极氧化，氧化时间为1～5小时；3）第二次氧化完成后，进行阶梯降压处理：阳极、阴极之间的电压按0.5～3V/min的速率降压，直至降到16V以下，然后断开电源；4）阶梯降压处理完成后，将铝箔清洗后放入扩孔液中进行扩孔处理10～60min。该方法能够实现对氧化铝模板的阻挡层厚度、模板孔洞的长度和直径的精确控制；所需设备简单，操作工艺便利，参数易于控制。
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公开(公告)号：CN119932445A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510083618.7
申请日：2025-01-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于材料技术领域，公开了一种低膨胀恒模量合金及其制备方法，该方法中低膨胀恒模量合金通过在Fe‑Ni‑Co基合金中掺杂元素Cr和Cu制备所得，所述低膨胀恒模量合金的化学通式Fe54‑2xNi23‑2xCo17Cr6+xCu3x，0≤x≤2，所述方法包括：根据化学通式按重量百分比分别称取Fe、Ni、Co、Cr和Cu，混合均匀，获得第一物料；将所述第一物料置于电弧熔炼炉中反复熔炼至少5次，得到合金铸锭；将所述合金铸锭热轧成板材，得到低膨胀恒模量合金。该方法通过元素的掺杂，改变了合金的微观结构，实现了可调控的低膨胀系数，并且其合金兼具恒模量的特性，采用本发明的方法能制备获得一系列的低膨胀性能兼具恒模量的合金。
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公开(公告)号：CN116639682B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202310525225.8
申请日：2023-05-11
IPC: C01B32/15 , C01B32/16 , C01B32/168 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , D06M11/74 , D01F9/22 , D06M101/40
Abstract: 本发明公开了一种多孔碳纤维‑碳纳米管三维网络骨架薄膜及其制备方法，通过静电纺丝制得聚丙烯腈纳米纤维薄膜，将金属离子吸附至所述聚丙烯腈纳米纤维薄膜表面，之后将其与三聚氰胺进行热解制备得到。所述方法通过静电纺丝法结合热解制备表面均匀生长多壁碳纳米管的多孔碳纳米纤维薄膜，最终制得的多孔碳纤维‑碳纳米管三维网络骨架薄膜具有更大的比表面积和优异的电性能；所述方法具有操作简单、安全性高、成本低的优势，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119724800A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411905572.4
申请日：2024-12-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本公开涉及一种烧结钕铁硼磁体及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：在真空下，对沉积有重稀土元素膜的钕铁硼磁体进行扩散热处理和退火热处理，得到所述烧结钕铁硼磁体；其中，所述扩散热处理的温度小于所述退火热处理的温度。本公开限定的制备方法既能够节约重稀土的用量还能够提高磁体的磁性能。
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公开(公告)号：CN118726816B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410723089.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于磁致伸缩材料领域，具体涉及一种磁致伸缩合金及其制备方法，包括所述合金原子百分比是Ni55‑xCuxMn25Ga20，其中12≤x≤21。本发明选取Ni55Mn25Ga20为基体，并利用Cu元素取代Ni从而引入点缺陷，获得了Ni55‑xCuxMn25Ga20(12≤x≤21)的合金体系。通过Cu的掺杂，既可改善Ni‑Mn‑Ga合金的强韧性；也能作为点缺陷的引入使奥氏体基体产生局域晶格畸变，从而能够获得具有随机分布纳米畴的铁磁应变玻璃态，其在磁场的作用下能发生翻转，从而能获得优异的磁致伸缩性能。当Cu掺杂量14≤x≤17时，相比其它区间，其能够获得具有更低结构各向异性和更小转动能垒的多态纳米畴结构，并使合金的磁致伸缩性能得到了更大提高，有望用于微型智能磁致伸缩器件中。
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