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公开(公告)号：CN106782932A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611238475.X
申请日：2016-12-28
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于高压绝缘领域的高梯度表面微带绝缘子及其制备方法，主要解决现有技术制备工艺复杂、绝缘子可靠性差、耐表面击穿电压较低，难以满足高压装置对真空绝缘要求等问题。所述绝缘子本体表面雕刻有周期性微槽阵列，微槽中有原位生长的金属微带。所述制备方法包括以下步骤：[1]按照设计的绝缘子外形尺寸加工出绝缘子本体；[2]在绝缘子本体表面雕刻出周期性微槽阵列；[3]配制PdCl2/PVP/乙醇或AgNO3/PVP/乙醇胶液，对刻槽后绝缘子本体进行浸渍或涂覆后自然晾干；[4]采用激光诱导活化的方法在微槽表面上形成金属颗粒；[5]采用化学镀的方法在微槽中原位生长出金属微带。本发明可应用于高功率微波技术、高功率激光器、介质壁加速器等尖端设备绝缘领域。
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公开(公告)号：CN103280280A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310148288.2
申请日：2013-04-25
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01B19/04
Abstract: 本发明属于高压电气绝缘材料技术领域，特别涉及一种用于提高聚合物绝缘子真空沿面闪络性能的有效方法。该方法采用在一定温度下，以一定比例的含氟气体与聚合物绝缘子接触发生氟化反应，在聚合物表面形成一定厚度的氟化层。本发明的特点是，通过气体氟化反应在聚乙烯、聚丙烯、尼龙等聚合物表面形成氟化层，改善了绝缘体的真空沿面闪络特性，提高了绝缘体的表面击穿电压，使氟化后绝缘子的表面绝缘强度为未氟化绝缘子的1.2～1.6倍。
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公开(公告)号：CN102634124A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210124202.8
申请日：2012-04-25
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种纤维增强热塑性聚合物基复合材料，由热塑性聚合物、增强纤维和占增强纤维重量比为0.2％～1％的偶联剂制成，所述热塑性聚合物和增强纤维的重量比为1∶1～9∶1，其中热塑性聚合物为聚苯乙烯(PS)、聚苯醚(PPO)、聚苯硫醚(PPS)中的任一种或其中任意两种或三种聚合物的混合物，增强纤维为石英纤维或氮化硼纤维或两种纤维的混合物，偶联剂为硅烷偶联剂或钛酸酯偶联剂；该材料具有绝缘强度高、介电常数小、拉伸强度和弯曲强度高等特点，可用于高压绝缘器件、卫星通讯窗口、雷达罩等功能结构件；本发明还提供了这类复合材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN101806675A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010013586.7
申请日：2010-01-12
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种气控式地下水定深取样装置，包括依次连通的气源(1)、减压阀(2)、气体控制器(3)、气管(5)和采样器，所述采样器包括样品管(7)，其特征在于：所述采样器还包括设置在样品管(7)上端的浮力阀(8)以及设置在样品管(7)下端的进水止逆阀(6)。本发明解决了现有气控式不连续取样器易泄露、无法用于浑浊地下水场合、需对获取的水样品过滤处理等技术问题，本发明实现了定深取样功能并且性能可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117292905A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311496589.4
申请日：2023-11-10
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种高梯度真空绝缘子及其制备方法，用以解决现有高梯度真空绝缘子因气密性差导致其耐压稳定性差和高压装置的运行稳定性差，及难以满足高压装置对真空绝缘强度要求的技术问题。该绝缘子包括：具有真空腔的柱状绝缘子本体和多个均压环；绝缘子本体的外壁沿周向开设有多个相互平行且同心的环槽，相邻环槽的轴向间距相等；环槽的形状、尺寸分别与均压环的形状、尺寸相适配，多个均压环分别镶嵌在多个环槽内，均压环的外表面与绝缘子本体的外表面平齐。制备方法步骤为：加工绝缘子本体；在绝缘子本体外壁加工环槽；在模具中浇注金属液制备均压环；加工形成最终高梯度真空绝缘子。
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公开(公告)号：CN113097032B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110443718.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微波激射器，具体涉及一种微波激射器用长寿命微柱阵列石墨和金属的复合阴极结构及其制备方法。本发明的目的是解决现有微柱石墨阴极结构存在凸起发射结构消耗严重，甚至完全失去凸起发射结构，从而失去稳定发射电子束流的作用，并且石墨材料自身的多孔结构经电子束轰击后易释气，导致系统的真空度下降、束波的耦合效率降低以及系统器件绝缘性下降的技术问题。该阴极结构包括微柱阵列石墨阴极，该微柱阵列石墨阴极包括刀口状环形石墨阴极基体，以及阵列式设置于刀口状环形石墨阴极基体刀口处表面的多个石墨微柱，其改进之处在于：所述刀口状环形石墨阴极基体的表面以及各个石墨微柱的顶端和侧壁都均匀粘附有金属涂层，所述金属涂层采用难熔金属。
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公开(公告)号：CN113120915B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110442214.4
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷涂层制备方法，具体涉及一种纳米TiB2涂层的制备方法。本发明的目的是解决现有TiB2涂层制备方法存在采用化学气相沉积法时，BCl3对设备及管路的腐蚀性极强，导致成本高、难度大，而采用渗Ti和B的包埋法时，涂层结构致密度差，表面粗糙度大，涂层易残留杂质元素，降低了涂层高温性能的技术问题。通过化学沉积法在样件表面沉积TiC涂层；将沉积有TiC涂层的样件和BN粉料均加入石墨坩埚中，使BN粉料将沉积有TiC涂层的样件完全覆盖；在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛或Ar、O2和H2的混合气氛下，以恒定升温速率升至600～2000℃，进行硼化反应；在Ar气氛下自然降温至室温，取出试样，清除其表面附着的BN粉料，获得沉积有纳米TiB2涂层的样件。
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公开(公告)号：CN113593791B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110808779.X
申请日：2021-07-16
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面具有二级微结构的绝缘子的制备方法。该绝缘子包括绝缘子基体与绝缘子表面的二级微结构；二级微结构的第一级结构为槽结构，第二级结构为通过喷丸处理工艺存在于第一级结构内表面，以及绝缘子基体表面未刻槽区域的粗糙结构；槽结构的尺寸为数十微米至数毫米；粗糙结构的尺寸为数百纳米至数微米。通过这种设计，闪络发展中二次电子的发射会在不同尺度上分别受到槽结构与表面粗糙结构的双重抑制，达到对闪络发展的多级抑制，提升绝缘子闪络电压的目的。
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公开(公告)号：CN112652430B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202011551276.0
申请日：2020-12-24
Abstract: 本发明属于真空高压绝缘技术领域，是一种表面具有微阵列结构的真空绝缘子及其制备方法。该绝缘子表面为阵列的微空腔结构，相邻空腔间为竖直的薄壁结构，薄壁与空腔组合形成六边形蜂窝状、方形蜂窝、三角形蜂窝及圆孔蜂窝结构。由于空腔壁较薄，使得整个幅面绝大部分面积被空腔占据。该绝缘子可采用激光微刻蚀的方法，通过在绝缘子表面刻蚀出相应形状的空腔结构，并在阵列空腔之间预留一定的薄壁结构，最终得到表面具有蜂窝状微阵列的绝缘子。该绝缘子真空沿面耐压强度较原始绝缘子提高了80％～100％，可应用于真空高压绝缘器件及其他环境下的高压绝缘器件。
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