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公开(公告)号：CN118862936A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410861511.6
申请日：2024-06-28
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本申请的实施例涉及反向散射通信领域，公开了一种无电池的传感器辅助通信标签电路，包括：共口径的正交双极化天线、正交平衡耦合器、对偶整流电路和传感器接口；共口径的正交双极化天线包含水平极化端口和垂直极化端口；正交平衡耦合器的输入端和隔离端依次与水平极化端口和垂直极化端口连接，正交平衡耦合器的直通端和耦合端依次与对偶整流电路的第一输入端和第二输入端连接，对偶整流电路的负载两端和传感器接口连接。本申请的实施例提供的一种无电池的传感器辅助通信标签电路通过反向散射的方式进行通信，不需要内部信号源，不需要电池，同时可工作于高速运动物体，且可应用于各种恶劣环境，本申请系统结构简单，工作寿命较长。
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公开(公告)号：CN115084261A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210777579.7
申请日：2022-07-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种基于InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管器件及其制备方法，该器件包括GaAs衬底、AlGaSb缓冲层、p型GaSb插入层、下势垒层、InAs沟道层、上势垒层、InAlAs空穴阻挡层、InAs帽层、源极、漏极和栅极，其中，GaAs衬底、AlGaSb缓冲层、p型GaSb插入层、下势垒层、InAs沟道层、上势垒层、InAlAs空穴阻挡层、InAs帽层依次层叠；源极和漏极均位于InAs帽层上，且源极和漏极之间相距一定距离；InAs帽层中设置有栅槽，栅槽位于源极和漏极之间且位于InAlAs空穴阻挡层上，栅极位于栅槽中。该射频场效应晶体管器件中，在AlGaSb缓冲层和下势垒层之间插入p型GaSb插入层，p型GaSb插入层可以消除一些由碰撞电离效应引起的空穴，抑制空穴向衬底方向的运动，从而改善器件的直流特性，提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN110911565B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911228621.4
申请日：2019-12-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于N型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底表面使用第一掩模版生长电子传输层；在所述电子传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述钙钛矿光吸收层表面生长绝缘层；在所述绝缘层表面生长栅电极；在所述碳化硅衬底表面使用第二掩模版生长源漏电极，最终形成所述基于N型碳化硅/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件。由于本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/电子传输层来为沟道提供相同极性光生载流子，提高了现有技术中的碳化硅晶体管器件的迁移率、开关速度等其他重要参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111081886A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911166662.5
申请日：2019-11-25
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体提供了一种基于氧化镓钙钛矿多层堆叠结构的PIN二极管，包括最底层的Ga2O3衬底、生长在Ga2O3衬底表面一侧的CsPbI3层和另一侧的底电极、生长在CsPbI3层表面的钙钛矿层、生长在钙钛矿层表面的本征Ga2O3层以及生长在Ga2O3层表面的顶电极；本发明的PIN二极管具有使载流子快速分离和传导的性能，应用在光电探测器中可以使光电探测器实现紫外-可见光的双波段探测。
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公开(公告)号：CN111029461A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911229898.9
申请日：2019-12-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于P型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底表面使用第一掩模版生长空穴传输层；在所述空穴传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述钙钛矿光吸收层表面或所述衬底下表面生长绝缘层；在所述绝缘层表面生长栅电极；在所述碳化硅衬底表面使用第二掩模版生长源漏电极，最终形成所述基于碳化硅/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件；由于本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/传输层来为沟道提供相同极性光生载流子，提高了现有技术中的碳化硅晶体管器件的迁移率、开关速度等其他重要参数。
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公开(公告)号：CN111029460A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911229888.5
申请日：2019-12-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于互补型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取SiC衬底，中部用绝缘阻挡层分开；在所述SiC衬底一侧表面生长N型SiC外延层及电子传输层，在所述SiC衬底另一侧表面生长P型SiC外延层及空穴传输层；在所述两侧传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述两侧钙钛矿光吸收层表面生长绝缘层；在所述两侧绝缘层表面生长栅电极；在所述SiC衬底两侧表面分别生长源漏电极，最终形成所述基于互补型SiC/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件。本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/传输层来为沟道提供光生载流子，提高了现有技术中的SiC晶体管器件的迁移率、开关速度等重要参数，增加了器件集成度，降低器件功耗。
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公开(公告)号：CN110993707A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911166673.3
申请日：2019-11-25
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体提供了一种基于氧化镓多层堆叠结构的PIN二极管，包括最底层的Ga2O3衬底、生长在所述Ga2O3衬底表面一侧的CsPbI3层和另一侧的底电极、生长在所述CsPbI3层表面的钙钛矿层、生长在所述钙钛矿层表面的本征ZnO层以及生长在所述ZnO层表面的顶电极；本发明的PIN二极管具有使载流子快速分离和传导的性能，应用在光电探测器中可以使光电探测器实现紫外-可见光的双波段探测。
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公开(公告)号：CN107904659A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711184193.0
申请日：2017-11-23
Applicant: 西北工业大学
Inventor： 关赫
CPC classification number: C30B29/02 , C30B25/02 , C30B25/105 , C30B25/14 , C30B25/18
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的外延生长设备，由源气体供给与气体运输系统(1)、外延生长反应室系统(2)、尾气处理系统(3)、安全保障系统(4)、冷却系统(5)、自动控制系统(6)组成；所述源气体供给与气体运输系统(1)与外延生长反应室系统(2)通过管道连通。本发明提出将SiC衬底上石墨烯材料的形成过程分解为两步：首先是通过氯化处理在SiC表面形成一定结构碳层，然后是通过退火使碳层在SiC衬底的诱导下重构成石墨烯晶体。减少了SiC分解过程和无定型碳层重构过程的互相干扰，反应过程清晰，机理明确，便于进行生长动力学理论研究和工艺控制；具有较强的创新性。
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