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公开(公告)号：CN102655179A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110050887.1
申请日：2011-03-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明实施例公开了一种制备黑硅方法，包括以下步骤：对硅片表面进行清洁处理；在硅片表面沉积纳米银颗粒，形成纳米银颗粒掩膜；将具有纳米银颗粒掩膜的硅片进行等离子刻蚀，从而在硅片表面形成纳米陷光结构。由于纳米级银颗粒可减少等离子体刻蚀过程中离子轰击对硅片造成的损伤，并可制得均匀分布的绒面结构层，其具有较低的表面反射率和较高的载流子寿命，因此应用该方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性、对光极其敏感的黑硅，同时该方法成本较低，工艺流程简单，且可以直接制备大面积的黑硅，具有较高的制备效率。
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公开(公告)号：CN102512703A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201210006020.0
申请日：2012-01-10
Applicant: 苏州大学
Inventor： 苏晓东
Abstract: 本发明提供一种医用敷料的制备方法，包括如下步骤：(a)对基材进行预处理，所述基材选自猪皮生物敷料或羊膜生物敷料或碳纤维医用布，所述预处理包括对所述基材进行干燥的过程；(b)在真空环境下，通过物理气相沉积方法在基材上复合纳米银颗粒；(c)将复合有纳米银颗粒的基材放入医用碘酒中浸泡。本发明还公开了一种医用敷料。利用该方法可以在基材上获得洁净的且具有一定深度的纳米银颗粒，所获得的医用敷料具有较强的杀菌、抑菌作用，并具有较好的缓释性。
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公开(公告)号：CN101483198A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910028977.3
申请日：2009-02-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/00 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Ag/硅复合结构紫外光探测器，从上至下依次为Ag薄膜层、单晶硅基片和欧姆接触金属电极；所述Ag薄膜层的厚度为20～80nm；所述单晶硅基片的厚度为100～300um；所述欧姆接触金属电极为Au、Pt或Al电极，且为平面接触，厚度为100～500nm；所述Ag薄膜层和单晶硅基片的接触面为抛光面。本发明还公开了上述紫外光探测器的制备方法。本发明将Ag薄膜的光学特性结合到Si的单晶基片上来实现紫外光的光电响应，得到了一种新型的Ag/Si复合结构的紫外光探测器，为紫外光探测技术的发展做出了贡献。
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公开(公告)号：CN114284396B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202111604101.6
申请日：2021-12-24
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/0224 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32
Abstract: 本发明揭示了一种栅线电极制备方法及太阳能电池，所述方法包括：S1、在电池前驱体上涂覆正性UV油墨层；S2、对正性UV油墨层进行加热固化；S3、按照预定栅线图案对正性UV油墨层进行激光曝光；S4、通过第一碱溶液对激光曝光后的正性UV油墨层进行显影，形成贯穿正性UV油墨层的栅线开口；S5、在栅线开口处形成栅线电极；S6、通过第二碱溶液去除正性UV油墨层。由于激光的方向性强、正性UV油墨解像力较高，本发明的栅线开口宽度可达到30μm以下，减少了栅线电极遮光面积，提高了电池的短路电流Isc；与激光烧灼掩膜版获得栅线开口相比，本发明使用激光进行曝光，激光功率较小，不会伤害到电池前驱体，避免了太阳能电池的开路电压Voc损失。
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公开(公告)号：CN113257931B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202110518302.8
申请日：2021-05-12
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: 本发明揭示了一种全角度陷光晶硅太阳能电池绒面的制备方法，所述制备方法包括：S1、制备具有正金字塔结构绒面的单晶硅电池片；S2、将胶水与稀释液混合，配置胶液；S3、将纳米TiO2颗粒与胶液搅拌，配置涂覆液；S4、采用滚筒涂覆方式将涂覆液均匀涂覆于单晶硅电池片表面的正金字塔结构绒面上；S5、将涂覆完的单晶硅电池片进行干燥，形成粘连于正金字塔结构绒面上的TiO2涂层，得到全角度陷光晶硅太阳能电池绒面。本发明在具有正金字塔结构绒面的单晶硅电池片上，通过涂覆纳米TiO2颗粒与胶水的涂覆液，形成的胶涂复合绒面为全角度陷光绒面，可有效解决单晶硅片侧面反光的问题，提高了光电转化效率，且绒面工艺简单，成本低，适合电池片工艺产线的量产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115429878A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211100812.4
申请日：2022-09-09
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了具有微米金字塔形结构和p‑n结的抗菌表面及制备方法，抗菌表面包括硅衬底、形成于硅衬底表面的抗菌功能层及形成于抗菌功能层表面上的介质保护层，抗菌功能层包括形成于硅衬底表面的微米金字塔及形成于微米金字塔表层的p‑n结。本发明中微米金字塔形结构为抗菌表面提供引发细菌形变的接触表面和出色的陷光能力，而p‑n结的光生伏特效应则为抗菌表面附加电学作用。采用上述的抗菌表面设计，可以实现同时对表面细菌产生机械损伤和光电损伤，大大提升持续抗菌效果。本发明为制造具有制造工艺简单且便宜、适用场景更广以及广谱抗菌效果出色的大尺寸实用型抗菌表面提供了一种有前景的策略。
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公开(公告)号：CN115418638A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211100274.9
申请日：2022-09-09
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有光干预机制的抗菌内壁及其制备的方法，抗菌内壁包括硅衬底、形成于硅衬底上表面的陷光结构功能层以及形成于硅衬底下表面上的内壁层。本发明中的陷光结构功能层为抗菌内壁提供外部环境对内壁表面细菌生存的干预作用，而内壁层本身也存在物理抗菌的效果。采用上述的抗菌内壁设计，可以实现对器件内壁细菌生存的光干预破坏，在内壁本身抗菌性能的基础上，实现大幅强化抗菌效果。
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公开(公告)号：CN113113500B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110383960.0
申请日：2021-04-09
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明揭示了一种全角度陷光绒面及晶硅太阳能电池的制备方法，所述全角度陷光绒面的制备方法包括：S1、采用碱刻蚀制绒工艺，在单晶硅片表面形成正金字塔结构绒面；S2、在制绒后的单晶硅片表面沉积介质层；S3、采用湿法沉积工艺，在介质层表面沉积金属纳米颗粒；S4、采用退火工艺，对金属纳米颗粒进行修饰以形成金属掩膜颗粒；S5、采用等离子体刻蚀工艺，以金属掩膜颗粒作为掩膜，对单晶硅片表面的介质层进行等离子体刻蚀；S6、去除介质层表面残留的金属掩膜颗粒，形成全角度陷光绒面。本发明在具有正金字塔结构绒面的硅片上，通过等离子体刻蚀介质层的方式能够制备均匀的全角度陷光微纳复合绒面，提高了太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN113421972B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110758617.X
申请日：2021-07-05
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种本征可拉伸柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上制备底电极；在底电极上制备空穴传输层；在空穴传输层上制备钙钛矿层，其中，将钙钛矿前驱体混合溶液旋涂至空穴传输层的过程中，在钙钛矿前驱体混合溶液中滴加热塑性弹性体材料的反溶剂溶液，退火结晶，形成钙钛矿薄膜；在钙钛矿薄膜上制备电子传输层；在电子传输层上制备背电极，得到本征可拉伸柔性钙钛矿太阳能电池。通过本发明的上述制备方法可以获得更加稳定的钙钛矿薄膜，提高得到的钙钛矿太阳能电池的电池光电效率和机械稳定性。
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公开(公告)号：CN114512397A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210139073.3
申请日：2022-02-15
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/311 , H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明揭示了一种晶硅扩散死层处理方法及晶硅太阳能电池，所述方法包括：S1、通过第一溶液对晶硅表面进行腐蚀，去除晶硅表面在PN结扩散工艺中形成的PSG层；S2、通过第二溶液对晶硅表面进行刻蚀，去除晶硅表面的扩散死层；S3、通过第三溶液对晶硅表面进行腐蚀，去除晶硅表面形成的纳米尺度多孔硅结构。本发明可有效去除晶硅表面的扩散死层，降低表层的磷掺杂浓度及光生载流子的复合速率，提高电池片的开路电压，同时对原有的绒面结构无影响，保持着良好的陷光效果，保证了电池片的光电转换效率；本发明可与现行量产工艺兼容，主要工序在常温下即可进行，可以较好地控制反应速度和刻蚀程度，操作简单，能耗低。
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