公开(公告)号：CN116836443A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202210296718.4

申请日：2022-03-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 卢曼婷 ,  何弈 ,  马晓萍 ,  邓丽丽 ,  辛煜

IPC: C08J7/12 ,  C08L27/18

Abstract: 本发明公开了一种增强聚四氟乙烯材料表面粘接性能的两步等离子体处理方法，所述处理方法包括以下步骤：(1)采用第一等离子体对聚四氟乙烯进行表面处理，所述第一等离子体的放电气体为氩气或包含氩气的混合气体；(2)采用第二等离子体轰击步骤(1)表面处理后的聚四氟乙烯材料表面，在聚四氟乙烯表面形成碳氮交联层，得到具有高粘结性能的聚四氟乙烯，所述第二等离子体的放电气体为氩气、甲烷和氨气的混合气体。本发明通过上述方法处理后的聚四氟乙烯样品具有良好的亲水性能和极强的粘接性能，无任何处理的情况下置于空气中3个月，样品表面始终保持良好的亲水性，且处理后的聚四氟乙烯与专用胶的粘结强度高达77N/10mm‑1。

公开(公告)号：CN113113500A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110383960.0

申请日：2021-04-09

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴成坤 ,  操礼阳 ,  顾思维 ,  卢曼婷 ,  辛煜 ,  苏晓东

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明揭示了一种全角度陷光绒面及晶硅太阳能电池的制备方法，所述全角度陷光绒面的制备方法包括：S1、采用碱刻蚀制绒工艺，在单晶硅片表面形成正金字塔结构绒面；S2、在制绒后的单晶硅片表面沉积介质层；S3、采用湿法沉积工艺，在介质层表面沉积金属纳米颗粒；S4、采用退火工艺，对金属纳米颗粒进行修饰以形成金属掩膜颗粒；S5、采用等离子体刻蚀工艺，以金属掩膜颗粒作为掩膜，对单晶硅片表面的介质层进行等离子体刻蚀；S6、去除介质层表面残留的金属掩膜颗粒，形成全角度陷光绒面。本发明在具有正金字塔结构绒面的硅片上，通过等离子体刻蚀介质层的方式能够制备均匀的全角度陷光微纳复合绒面，提高了太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN113257931A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110518302.8

申请日：2021-05-12

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴成坤 ,  顾思维 ,  卢曼婷 ,  辛煜 ,  苏晓东

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明揭示了一种全角度陷光晶硅太阳能电池绒面的制备方法，所述制备方法包括：S1、制备具有正金字塔结构绒面的单晶硅电池片；S2、将胶水与稀释液混合，配置胶液；S3、将纳米TiO2颗粒与胶液搅拌，配置涂覆液；S4、采用滚筒涂覆方式将涂覆液均匀涂覆于单晶硅电池片表面的正金字塔结构绒面上；S5、将涂覆完的单晶硅电池片进行干燥，形成粘连于正金字塔结构绒面上的TiO2涂层，得到全角度陷光晶硅太阳能电池绒面。本发明在具有正金字塔结构绒面的单晶硅电池片上，通过涂覆纳米TiO2颗粒与胶水的涂覆液，形成的胶涂复合绒面为全角度陷光绒面，可有效解决单晶硅片侧面反光的问题，提高了光电转化效率，且绒面工艺简单，成本低，适合电池片工艺产线的量产。

公开(公告)号：CN113257931B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202110518302.8

申请日：2021-05-12

Applicant: 苏州大学

Inventor： 苏晓东 ,  吴成坤 ,  顾思维 ,  卢曼婷 ,  辛煜

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明揭示了一种全角度陷光晶硅太阳能电池绒面的制备方法，所述制备方法包括：S1、制备具有正金字塔结构绒面的单晶硅电池片；S2、将胶水与稀释液混合，配置胶液；S3、将纳米TiO2颗粒与胶液搅拌，配置涂覆液；S4、采用滚筒涂覆方式将涂覆液均匀涂覆于单晶硅电池片表面的正金字塔结构绒面上；S5、将涂覆完的单晶硅电池片进行干燥，形成粘连于正金字塔结构绒面上的TiO2涂层，得到全角度陷光晶硅太阳能电池绒面。本发明在具有正金字塔结构绒面的单晶硅电池片上，通过涂覆纳米TiO2颗粒与胶水的涂覆液，形成的胶涂复合绒面为全角度陷光绒面，可有效解决单晶硅片侧面反光的问题，提高了光电转化效率，且绒面工艺简单，成本低，适合电池片工艺产线的量产。

公开(公告)号：CN113113500B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202110383960.0

申请日：2021-04-09

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴成坤 ,  操礼阳 ,  顾思维 ,  卢曼婷 ,  辛煜 ,  苏晓东

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明揭示了一种全角度陷光绒面及晶硅太阳能电池的制备方法，所述全角度陷光绒面的制备方法包括：S1、采用碱刻蚀制绒工艺，在单晶硅片表面形成正金字塔结构绒面；S2、在制绒后的单晶硅片表面沉积介质层；S3、采用湿法沉积工艺，在介质层表面沉积金属纳米颗粒；S4、采用退火工艺，对金属纳米颗粒进行修饰以形成金属掩膜颗粒；S5、采用等离子体刻蚀工艺，以金属掩膜颗粒作为掩膜，对单晶硅片表面的介质层进行等离子体刻蚀；S6、去除介质层表面残留的金属掩膜颗粒，形成全角度陷光绒面。本发明在具有正金字塔结构绒面的硅片上，通过等离子体刻蚀介质层的方式能够制备均匀的全角度陷光微纳复合绒面，提高了太阳能电池的光电转换效率。