物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体

    公开(公告)号:CN104949697A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510124806.6

    申请日:2015-03-20

    CPC classification number: G01L9/0052 G01L9/06

    Abstract: 提供物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体。该物理量传感器的检测灵敏度高,该高度计、电子设备以及移动体具有该物理量传感器。本发明的物理量传感器(1)的特征在于具有:可挠曲变形的隔膜(24);以及挠曲量元件,其设置在隔膜(24)上,输出与隔膜(24)的挠曲量对应的信号,挠曲量元件具有:中心侧元件,其被设置为靠近隔膜(24)的中心;以及边缘部侧元件,其被设置为比中心侧元件靠近所述隔膜的边缘部。

    硅器件以及硅器件的制造方法

    公开(公告)号:CN102582263A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201110451287.6

    申请日:2011-12-29

    CPC classification number: B41J2/1612 B41J2/1628 B41J2/1634

    Abstract: 本发明提供硅器件以及硅器件的制造方法。在俯视观察时具有多边形的外形形状的板状的硅器件,其特征在于,上述多边形的角部的至少一个形成为包括:构成上述多边形的多个边中的、位于相互邻接的位置的两个边;以及与两个上述边分别相接并连接上述边的角部曲线部。

    半导体装置的绝缘膜形成方法及半导体装置

    公开(公告)号:CN1617325A

    公开(公告)日:2005-05-18

    申请号:CN200410080998.7

    申请日:2004-10-26

    Inventor: 竹内淳一

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置的绝缘膜形成方法及半导体装置,其可以只在配线间的细微的间隙形成配线间绝缘膜,制造过程中不受绝缘膜产生的气体、水分的吸收及放出的影响,能控制材料、电力、PFC的使用。在由液体材料的涂布形成的配线间绝缘膜(4)(SOG膜)形成前,在配线和衬底表面形成防水膜(7),然后,进行利用毛细现象的狭缝涂布法,液体材料只被有选择地填充到细微的配线(2)之间。还有,因为在形成穴(8)的配线(2)上表面、衬底(1)表面不形成SOG膜,因此,SOG膜不会露出在穴(8)的内壁。

    能量评价支援系统及能量评价支援方法

    公开(公告)号:CN1530867A

    公开(公告)日:2004-09-22

    申请号:CN200410028369.X

    申请日:2004-03-09

    CPC classification number: H02J3/00 H02J2003/003 Y02P90/845 Y04S10/54

    Abstract: 本发明提供一种能有效准确地计算生产工序中每个规定处理单元电力消耗量的能量评价支援系统。该能量评价支援系统(1)的构成,包括:输入部分(20),以输入含有表示用户指定生产条件的生产条件指定的工厂设计要求;存储部分(40),以存储表示生产装置有关数据的生产装置数据库(41)、和表示动力供给装置有关数据的动力供给装置数据库(42);输出部分(30),以根据用户对工厂的设计要求,按照生产装置数据库(41)和动力供给装置数据库(42),运算每个装置和每种动力类别的能量消耗量的处理部分(10)、和以规定形式,向用户提示由处理部分(10)运算能量消耗量。

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