公开(公告)号：CN118562277A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410491302.7

申请日：2024-04-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 袁颖 ,  雒康 ,  王浩 ,  孟祥俊 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C08L71/12 ,  H05K1/03 ,  C08L53/02 ,  C08K9/06 ,  C08K7/18

Abstract: 本发明涉及微波复合基板领域，具体涉及一种高频高速用聚苯醚组合物/二氧化硅复合基板的制备方法。该基板采用聚苯醚组合物作为基体树脂，低介电常数的二氧化硅作为填充材料，获得了具有低介电常数、低介电损耗和良好导热系数的复合基板。该方法选用的原料易得，制备工艺简单可控，且制备过程能耗较低、时耗较短，符合可持续发展的理念。

公开(公告)号：CN118185145A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410295854.0

申请日：2024-03-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 袁颖 ,  卿竹 ,  唐斌 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C08L9/00 ,  C08L23/16 ,  C08K9/06 ,  C08K3/22 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18 ,  B32B15/20 ,  B32B15/06 ,  B32B25/16 ,  B32B25/14

Abstract: 本发明涉及复合介质基板领域，具体涉及一种近零介电常数温度系数的聚烯烃基复合基板及其制备方法。该基板采用聚烯烃树脂作为基体，高介负介电常数温度系数陶瓷填料与多种正介电常数温度系数陶瓷填料组合使用，通过调整陶瓷填料的含量，实现了介电常数精准可调、介电常数温度系数趋近于零的目标。该方法不仅原料丰富，制备工艺简单可控，而且可以获得介电常数较高、近零介电常数温度系数且介电损耗低的复合基板。

公开(公告)号：CN114394833B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210015010.7

申请日：2022-01-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 袁颖 ,  曹磊 ,  唐斌 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 一种钨青铜结构高储能密度及功率密度无铅储能介质陶瓷材料，属于电子信息功能材料与器件技术领域。该陶瓷材料为A2‑3xR2xBNb5‑yTayO15，A为Sr、Ba中的一种，R为La、Nd、Sm、Gd、Dy、Ho、Er、Y中的一种或几种，B为K、Na中的一种，0.02≤x≤0.2，0≤y≤5。本发明介质陶瓷材料具有优异的性能：相对介电常数εr900～2000之间，介电损耗5×10‑4～6×10‑3之间，直流抗电强度28～60kV/mm之间，储能密度最高达2.8J/cm3，储能效率最高达95.6％，功率密度在60MW/cm3以上；性能稳定，制备工艺简单，能够满足现代储能元器件的应用需求。

公开(公告)号：CN114671614B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210391924.3

申请日：2022-04-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  王宇晨 ,  杨鸿程 ,  钟朝位 ,  张树人 ,  孙成礼

IPC: C03C10/02 ,  C03C6/04 ,  C03B19/06

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及其制备方法。本发明通过对钙硼硅基微晶玻璃材料的原料组分以及比例的重大幅度调整，最终以钙、铝、硼和硅为基料，辅以BaCO3、P2O5，并微量添加CeO2、La2O3和Na2CO3作为微量元素，通过将原料熔融、水淬、造粒等工艺，即可在850～950℃的低温下烧结获得低介(εr＝4～5)、低损(Tanδ

公开(公告)号：CN114409389A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210026261.5

申请日：2022-01-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  吴裴 ,  杨鸿程 ,  钟朝位 ,  张树人 ,  孙成礼

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于电子信息陶瓷及其制造领域，具体涉及一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料及其制备方法。本发明充分利用了复杂化学键理论由于Si4+离子极化率低和Si‑O键的共价键性高，所以Si‑O键的晶格能高这一特性，通过调整Ba‑Si基陶瓷原料配方，采用固相法，在850℃～950℃的低温下烧结成型致密的Ba‑Si‑B‑M基微波陶瓷材料。在烧结过程中形成低共熔化合物，从而推动晶粒重排，并且随着烧结的进行析出BaSi2O5相的陶瓷；并且没有二次相，确保了陶瓷材料的介电性能和机械性能优异，具有高Q×f值，6～7.5的低介电常数，介电损耗低至6.13×10‑4，可在LTCC中推广应用。

公开(公告)号：CN112321299B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202011394237.4

申请日：2020-12-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  周沫轲 ,  李恩竹 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/505 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种超低损耗的钇铝石榴石微波介质陶瓷材料，材料化学通式为Y3‑xAl5‑yRzO12，R为Mg2+,Ga3+,Si4+,Ti4+或Nb5+多种异价离子中的一种或多种；0≤x≤0.15,0≤y≤0.8且0.03≤z≤1.5；本发明还提供一种具有超低损耗钇铝石榴石微波介质陶瓷材料的制备方法，包括步骤：配料、球磨、烘干过筛、预烧、干压、冷等静压成型、真空烧结、气氛控制退火。本发明制得的材料为典型的超低损耗石榴石型铝基微波介电陶瓷，Q×f在180000GHz～220000GHz之间，相对介电常数εr在8～12之间，频率温度系数τf在‑33ppm/℃～‑22ppm/℃之间。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，原材料在国内供应充足，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。

公开(公告)号：CN109650886B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201811571465.7

申请日：2018-12-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孙成礼 ,  杨雷宇 ,  张树人 ,  唐斌 ,  钟朝位

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Ba‑Mg‑Ta系LTCC材料及其制备方法。所述材料,由质量百分比98.5％～99.7％Ba{[(Mg0.8Zn0.2)1‑xCux]1/3Ta2/3}O3(x＝0.04～0.10)基料和质量百分比0.3％～1.5％的降烧剂组成，通过固相法制备。本发明在Ba[(Mg0.8Zn0.2)1/3Ta2/3)]O3基础上进行离子掺杂CuO，并在离子掺杂的体系上掺杂0.3％～1.5％的降烧剂，本发明通过离子掺杂和降烧剂的使用，实现Ba[(Mg0.8Zn0.2)1/3Ta2/3)]O3陶瓷低于900℃烧结温度下烧结致密，在保证微波介电性能的前提下，取得能够调节且近零的τf值，介电常数20～30，损耗≦104，频率温度系数稳定，制备工艺简单。

公开(公告)号：CN109516799B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201910057967.6

申请日：2019-01-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  李欣源 ,  唐斌

IPC: C03C3/062 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C03C3/064 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091

Abstract: 一种具有高温度稳定性的高介陶瓷电容器材料及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。该陶瓷材料包括基料和掺杂料，所述基料的晶相为SrTiO3，所述掺杂料包括占基料质量分数0.03％～0.35％的Nb2O5，0.02％～0.40％的Ta2O5，0.10％～0.50％的Li2CO3，0.05％～0.35％的CaCO3，0.03％～0.40％的SiO2，0.02％～0.40％的Al2O3和0.05％～0.35％的MnCO3；所述掺杂料与基料经混合、成型、于还原性气氛中烧结，最后经氧化热处理制得。本发明制备出的陶瓷材料在‑55℃‑150℃具有较好的温度稳定性，电容温度变化率ΔC·C‑1(‑55℃～150℃)在±10％以内，符合X8P标准；并且材料的介电常数为16000～19000，损耗值在2.5％以下，绝缘电阻率在1011Ω·cm，非常适用于高品质单层陶瓷电容器的制作。

公开(公告)号：CN108975914B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201811207829.3

申请日：2018-10-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  杨滢峰 ,  张树人 ,  钟朝位

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种ZnO‑TiO2‑Nb2O5基LTCC材料及其制备方法。本发明提供的材料主晶相为Zn0.5Ti0.5NbO4相，次晶相为Zn0.15Nb0.3Ti0.55O2相,在850～875℃烧结时还存在次晶相ZnNb2O6相，烧结温度低至850℃，介电常数40～48，损耗低至2.9×10‑4，频率温度系数τf+60～‑24ppm/℃。制备方法相比现有技术减少了助剂的配制和预烧后的二次配料，简化了制备工艺，且最终制得的ZnO‑TiO2‑Nb2O5基体系LTCC材料性能优于现有技术。

公开(公告)号：CN108911748B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201810991121.5

申请日：2018-08-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  张星 ,  李恩竹 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有孪晶结构的超低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷的化学通式为Li3+aMg2‑b/3X1‑2b/3YbO6，其中，X为Nb5+或Ta5+，Y为Ti4+、Sn4+或Zr4+，0.03≤a≤0.12，0.05≤b≤0.12，本发明经过第一次球磨混合、干燥、过筛，预烧，再经过第二次球磨混合，干燥，造粒，排胶，在空气中烧结制成；其制成品的晶相为有序正交相岩盐结构，本发明提供的微波介质陶瓷材料在少量取代形成孪晶结构后，微波介电性能出现了非常大的提升：其相对介电常数εr在9.8～17.6之间可调，Q×f值达到95000GHz～156000GHz，微波性能优异，谐振频率温度系数τf在‑33ppm/℃～‑5ppm/℃之间可调，制备工艺简单，并且性能稳定，满足现代微波器件的应用需求。