公开(公告)号：CN105978520A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610311205.0

申请日：2016-05-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 帅垚 ,  李杰 ,  吴传贵 ,  罗文博 ,  陈留根 ,  蒲诗睿 ,  潘忻强 ,  白晓圆

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/02574

Abstract: 本发明涉及声表波器件制造领域，特别涉及一种多层结构的SAW器件及其制备方法。该多层结构的SAW器件，从上至下依次包括叉指换能器、压电单晶薄片和Diamond薄膜。压电单晶薄片厚度1‑10nm粗糙度1‑10nm，其上制备有叉指换能器。叉指换能器厚度1‑10nm。Diamond薄膜厚度1‑10μm，粗糙度5‑10nm，制备于硅基上。本发明通过降低压电晶体的厚度，使其只是激发和接收声表面波，而声表面波的传播在金刚石内，在相同的叉指换能器指宽的情况下，能够显著提高器件的工作频率。可满足高频、高机电耦合系数、小体积的声表面波的器件应用领域的需求。