一种热蒸发制备氧化镓薄膜的方法及其存储器应用

    公开(公告)号:CN117305773A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311268328.7

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 一种热蒸发制备氧化镓薄膜的方法,包括以下步骤;步骤1,将Ga2O3源放入金属舟内,将金属舟置于真空蒸镀设备中的放入真空镀膜设备中;步骤2,将清洗、吹干后的衬底放在真空蒸镀设备内的基片上,放入真空蒸镀设备内抽真空;步骤3,调节蒸镀电流使得电流流经金属舟两边接点从而对金属舟进行加热,蒸发镓源;步骤4,当金属舟上通过的电流到达步骤3所述程度,升华的气态Ga2O3上浮并凝华于膜厚仪的检测设备,通过调控蒸镀电流间接控制蒸镀速率,蒸镀速率和蒸镀时间控制最后沉积形成的Ga2O3薄膜厚度;步骤5,薄膜沉积完成后,利用管式炉对所述Ga2O3薄膜进行退火处理;得到Ga2O3薄膜。本发明能够较为准确的控制薄膜厚度,成膜速率快、效率高,且薄膜生长机理简单。

    具有衬底上复合半导体层的氮化镓异质结场效应晶体管

    公开(公告)号:CN114447102A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202210085762.0

    申请日:2022-01-25

    Abstract: 本发明提供一种具有衬底上复合半导体层的氮化镓异质结场效应晶体管,从下至上依次包括:衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层,铝镓氮势垒层上方设有源极、漏极、P型氮化镓层、栅极,器件上表面源极与栅极之间、以及栅极与漏极之间都覆盖有一层钝化层;在氮化镓缓冲层与衬底之间设有一层由P型掺杂区域和N型掺杂区域横向排列而成的复合半导体结构层,通过在氮化镓缓冲层与衬底之间引入P型掺杂区域和N型掺杂区域组成的复合结构,可以有效降低缓冲层的泄漏电流和改善沟道与缓冲层的电场分布,从而提高器件的击穿电压,同时不会增加器件的导通电阻。

    一种防偷窥的密钥输入系统和方法

    公开(公告)号:CN108229217A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201711188041.8

    申请日:2017-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种防偷窥的密钥输入系统和方法,解决了使用移动支付输入密钥时容易被偷窥的问题。本发明的系统包含一个安全密钥输入软键盘,设有数字、字母、特殊符号集合按键和功能按键,用户使用软键盘输入支付密钥。移动支付时,用户设置语音播放速率和特殊符号处理方式,选择符号集合按键,结合语音提示,确认单位密钥输入,反复循环,完成整体密钥输入,保证用户输入密钥时的安全。本发明设置了两种特殊符号处理方式,提供了简单和复杂的处理方式。本发明可以防止任何角度的不法分子的偷窥和摄像头的拍摄,用户使用时也不需要复杂的操作,安全、方便,用于移动支付的防偷窥的密钥输入。

    基于超材料的射频识别分形天线

    公开(公告)号:CN103531898B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201310482276.3

    申请日:2013-10-15

    Abstract: 本发明公开一种基于超材料的射频识别分形天线,主要解决现有双频射频识别天线结构复杂,效率低的问题。其包括树枝状分形超材料介质板(1)、辐射贴片(2)、同轴馈线(3)和天线底板(4),树枝状超材料介质板(1)的上、下两面均刻蚀有M行N列形状相同的树枝状阵列单元(5),每个单元均采用具有自相似特征的分形结构,且上、下两面的单元在垂直空间面严格重叠,形成有透射禁带特性的树状分形超材料。该树枝状超材料介质板(1)固定在辐射贴片(2)与底板(4)之间,实现840~845MHz和920~925MHz双频段工作。本发明天线具有驻波比低,增益高,方向图良好,且辐射效率高的优点,可用于中国射频识别RFID通信系统。

    一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103276360B

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201310234737.5

    申请日:2013-06-14

    Abstract: 一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法,属于电子功能材料技术领域。包括MgAl2O4单晶基片、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体和NiFe2O4纳米线;NiFe2O4纳米线均匀分布在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体中,形成沉积于MgAl2O4单晶基片(001)取向表面的磁性纳米线阵列薄膜。该薄膜采用PZT-NFO靶材和(001)取向MgAl2O4单晶基片,采用90度离轴磁控溅射工艺制得,具有铁磁共振线宽小、铁磁共振频率高、晶格失配小,可自组装外延生长的特点,是一种用于微波非互易性器件的重要材料。其制备方法容易实现,参数控制方便,操作简单,成本低。

    一种制造薄膜复合材料的方法

    公开(公告)号:CN103426640A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310296805.0

    申请日:2013-07-16

    Abstract: 本发明实施例公开了一种制造薄膜复合材料的方法,包括:制备氧化石墨烯分散液;将氧化石墨烯分散液还原获得石墨烯分散液;用石墨烯分散液在基板上形成石墨烯层;用硫酸盐和3,4-乙撑二氧噻吩单体溶液在石墨烯层上电化学聚合形成聚3,4-乙撑二氧噻吩层;用硫酸锰溶液在聚3,4-乙撑二氧噻吩层上电化学聚合形成二氧化锰层,从而形成石墨烯/聚3,4-乙撑二氧噻吩/二氧化锰薄膜。本发明的实施例中的制备薄膜复合材料的方法,效率高,过程简单,其制得的薄膜复合材料综合性能优异,适用于电化学电容器电极材料。

    北斗二代卫星定位多模多频圆极化接收天线

    公开(公告)号:CN102709677A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210160278.6

    申请日:2012-05-22

    Abstract: 本发明属于天线技术领域,特别涉及多模多频圆极化接收天线,主要解决现有技术无法兼顾天线性能和制备工艺的问题。本发明包括空心天线支架、辐射单元和馈线,空心天线支架(1)采用上部为圆台形、下部为圆柱形的一体结构;辐射单元采用对称的两个金属带线辐射体(2)和辐射体(3),两辐射体的金属带线宽度为:4mm≤W≤8mm,并以均衡的等宽间隔按照螺旋角55°≤α≤70°自天线支架的下端缠绕至天线支架(1)的顶端;馈线(4)采用渐变线的形式,从天线支架内部升至顶端进行平衡馈电,金属带线辐射体(2)和辐射体(3)分别与馈线(4)的外导体、芯线相连。本发明具有带宽宽,方向图好,圆极化轴比小,制作工艺简单的优点,可用于北斗二代卫星定位。

    一种可平衡代价的前向安全数字签名方法与系统

    公开(公告)号:CN101707523A

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200910216530.9

    申请日:2009-12-03

    Inventor: 许春香 张辉

    Abstract: 本发明属于信息安全技术领域,涉及对数字信息进行签名问题,更确切地说是涉及一种能够减轻签名密钥泄露影响的更适于应用的数字签名方法与系统。该签名方法与普通数字签名相比,增加了一个密钥更新算法,实现了签名密钥的前向安全,即:即使敌手获得当前时间段的签名密钥,敌手也不能够通过该密钥伪造出一个属于前一时间段的合法签名,保护了以前的签名的有效性,降低了密钥泄露的损失。另外,该方案可以根据具体的应用情况,在同等的安全性基础上,允许工程设计人员可以根据硬件条件选择适合的密钥存储代价和计算代价,充分利用硬件的存储能力和计算能力,使密钥存储代价和计算代价达到完美平衡。

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