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公开(公告)号：CN107017248A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710149961.2
申请日：2017-03-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电保护领域，具体提供一种用于ESD保护的基于浮空阱触发的低触发电压SCR结构，用以进一步降低LVTSCR器件的触发电压。本发明通过内部结构设计，在器件内部引入一个浮空阱结构；该浮空阱结构等效成一个二极管的结构，其阳极与PMOS的多晶硅栅极相连，阴极与SCR的阳极相连；当ESD脉冲到来时，浮空阱的电势相对于SCR器件的阳极电势要低，当两者之间的电势差足够使PMOS开启；P沟道MOSFET开启后，触发SCR器件内部的寄生NPN晶体管开启，进而触发寄生PNP晶体管开启，最后SCR器件开启泄放ESD电流。因此，器件的触发电压由浮空阱结构和寄生PMOS的栅源电容决定，即可实现减小SCR器件触发电压的目的，且该触发电压可调制。
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公开(公告)号：CN104156659B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410401579.2
申请日：2014-08-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式系统的安全启动方法，涉及嵌入式系统的启动安全领域，特别涉及一种基于密码学的方法对镜像进行验证技术以及通过硬件设计来辅助该方法的实现。在芯片设计时通过在芯片内部提供一个安全系统固件，同时利用非对称加密技术对需要加载的镜像进行签名，保障镜像的可信与完整的同时做到镜像可更新。本发明基于硬件的角度来保障安全，但不需要增加额外硬件，大大简化硬件设计难度以及开销，保障安全启动完整性的前提下降低开发难度。
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公开(公告)号：CN105405844A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510974226.6
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L27/0203 , H01L23/60 , H01L29/06 , H01L29/0688
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护电路的设计，具体为一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件。该自偏置堆栈式SCR器件由n个SCR器件串联而成，包括1个主器件和n-1个后级堆栈器件，所述后级堆栈器件为双触发SCR器件、n阱触发SCR器件或衬底触发SCR器件，所述主器件阳极作为自偏置堆栈式SCR器件阳极，主器件阴极连接后级堆栈器件阳极，其他后级堆栈器件依次串联。本发明提供自偏置堆栈式SCR器件维持电压随着堆栈器件的数目的增加而增加，且触发电压保持为主SCR器件的触发电压；另外，本发明无需外加任何偏置电路，能够自偏置，提升堆栈式SCR器件性能的同时大大简化器件结构，有效提高集成电路性价比。
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公开(公告)号：CN105374817A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510980245.X
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L29/87
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，提供一种基于锗硅异质结工艺的SCR器件，用于降低SCR器件的触发电压。本发明包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，两个阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区，第二种导电类型阱区的硅表面上无器件结构区域还设有第一种导电类型锗硅层，第一种导电类型锗硅层上设有第二种导电类型重掺杂多晶硅层，且第二种导电类型重掺杂多晶硅层与阴极相连。本发明将SCR结构与HBT结构结合在一起，有效降低了SCR器件的触发电压，并且本发明的SCR器件能够通过HBT结构调节SCR器件的触发电压。
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公开(公告)号：CN103325784B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310231376.9
申请日：2013-06-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种基于忆阻器的可用于保护特征尺寸低于180nm芯片的静电保护电路。本发明所述基于忆阻器的芯片静电保护电路，特征在于，所述芯片输入端静电保护模块包括第一忆阻器和第二忆阻器，第一忆阻器的正极、第二忆阻器的负极和芯片输入端连接，芯片输出端静电保护模块包括第三忆阻器和第四忆阻器，第三忆阻器的正极和第四忆阻器的负极和芯片输出端连接，芯片电压箝位保护模块由所述第五忆阻器和ESD器件并联构成。本发明的有益效果为，具有结构简单，不占用硅衬底面积，可以有效隔离衬底噪声，不受衬底工艺变化影响，与CMOS工艺兼容。本发明尤其适用于保护特征尺寸低于180nm的芯片不被静电损坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104778410A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510179575.9
申请日：2015-04-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F21/56
Abstract: 本发明提供一种应用程序完整性验证方法。内核层捕获打开文件系统调用后，触发内核层中的验证代理模块；验证代理模块获取当前应用程序的文件描述符，通过该文件描述符查看应用程序，判断应用程序是否有完整性扩展属性值，验证代理模块获取应用程序为完整性验证所添加的扩展属性值，计算当前打开应用程序的完整性校验值，再与获取的扩展属性值进行比较。本发明与文件系统完整性验证方法相比减少了验证开销；通过使用文件系统自带的扩展属性存完整性扩展属性值，不需要辅助硬件的存储支持。
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公开(公告)号：CN104636655A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510063560.6
申请日：2015-02-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F21/44
CPC classification number: G06F21/44 , G06F21/602
Abstract: 本发明提供一种热插拔设备的可信验证方法。嵌入式系统开机上电后，对本地已加密的设备数据库进行解密后，获取已插入的热插拔设备的识别码与设备数据库进行匹配验证，如通过验证则加密设备数据库后执行系统登录操作并允许自动挂载已插入的热插拔设备，否则，拒绝执行系统登录操作；登录成功后，当硬件更换可信验证模块实时监测到当前时刻有热插播设备插入，则对本地已加密的设备数据库进行解密后，获取当前插入的热插拔设备的识别码与设备数据库进行匹配验证，如通过验证则加密设备数据库后允许自动挂载当前插入的热插拔设备，否则，拒绝挂载当前插入的热插拔设备。本发明能有效的对嵌入式系统实施保护，防止硬件设备被非法更换。
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公开(公告)号：CN119247630A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411588813.7
申请日：2024-11-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G02B27/01 , G02B27/18 , G02B27/28 , G02B27/09 , G02B27/42 , G03B21/20 , G03B21/28 , G02B30/00 , G03H1/22
Abstract: 本发明公开了一种多级多维度可控的增强现实近眼显示装置，该装置由显示准直模组、光控模组和显示面板组成。显示准直模组包含显示源、吸收型偏振片和准直镜，显示源根据视觉效果等级投影不同的片源，并经过吸收型偏振片和准直镜调制，投影平行的S偏振光；光控模组包含偏振转换器、反射型偏振片和反射膜，根据视觉效果等级对相应区域的光线进行偏振调制，并改变投影方向；显示面板即光学透明的多路复用型全息光学元件，根据不同投影方向可以实现不同显示功能。该装置可以实现视觉效果的三级控制、二维和三维信息的多维混合显示控制以及显示区域的任意控制。
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公开(公告)号：CN116805022A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310771147.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F16/9535 , G06F16/35 , G06F18/23
Abstract: 本发明公开了一种基于群体传播的特定Twitter用户挖掘方法，首先通过对传播学教程中群体的定义及群体传播的特点进行分析，提出群体平均传播贡献的概念并进行计算，再通过采集Twitter数据，构建关注网络并提取网络属性特征，最后构建群体聚类算法和群体标签重分配算法，完成特定Twitter用户挖掘。本发明的方法通过提出群体平均传播贡献对个体与群体中个体的平均交互密切程度进行了衡量，提出了基于群体特征的Twitter用户传播群体挖掘方法，解决了现有群体聚类算法的聚类结果无法较好地体现群体特征的问题。
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