-
-
公开(公告)号：CN112625276A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011053038.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , C08L33/08 , C08L63/00 , C08K13/06 , C08K9/04 , C08K3/36 , C08K7/18 , C08K3/08 , C08K5/544 , C08K3/04 , C08K5/00 , C08K5/3467 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/32 , B32B27/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其利用保护膜的波长2000～3200nm(其中，不包括2701～2999nm)下的吸光度的最小值Xmin与保护膜的100℃下的比热S100，并通过Z100＝Xmin/S100计算出的Z100为0.27以下。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成用膜。
-
公开(公告)号：CN112625273A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011052297.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , C08L33/08 , C08L63/00 , C08K13/06 , C08K9/04 , C08K3/36 , C08K7/18 , C08K3/08 , C08K5/544 , C08K3/04 , C08K5/00 , C08K5/3467 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/32 , B32B27/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其为用于在芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜，利用保护膜的波长1400～1500nm下的吸光度的最小值Xmin与保护膜的60℃下的比热S60，且通过式：Z60＝Xmin/S60计算出的Z60为0.6以下。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成用膜。
-
公开(公告)号：CN112447577A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010896030.0
申请日：2020-08-31
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 米山裕之
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜，所述支撑片对波长为266nm的光的透射率为20％以上，所述保护膜形成用膜对波长为266nm的光的透射率为60％以下。
-
公开(公告)号：CN107001664B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201580063556.8
申请日：2015-11-18
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , B32B27/16 , B32B27/30 , C09J7/30 , C09J133/04 , C09J133/18 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种再剥离性及端部密合性优异的树脂膜形成用片，其是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，该树脂膜形成用片满足下述要件(I)～(III)。要件(I)：待与硅晶片粘贴一侧的所述树脂膜形成用片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为50nm以下；要件(II)：所述树脂膜形成用片的表面(α)相对于硅晶片的粘合力(α1)为1.0～7.0N/25mm；要件(III)：和待与硅晶片粘贴一侧相反侧的所述树脂膜形成用片的表面(β)相对于具有由特定粘合剂形成的厚度10～50μm的粘合剂层的粘合片的该粘合剂层的粘合力(β1)为4.0N/25mm以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106463373B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580025643.4
申请日：2015-05-18
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/20 , C09J7/29 , C09J201/00 , H01L23/00
Abstract: 本发明的保护膜形成用复合片是具备支撑片(4)和叠层于支撑片(4)的第1面侧的保护膜形成膜(1)的保护膜形成用复合片(3)，其中，支撑片(4)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，将支撑片(4)在130℃下加热2小时后，支撑片(4)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。
-
公开(公告)号：CN110211912A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910444689.X
申请日：2015-05-18
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/24 , C09J7/30
Abstract: 本发明为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。
-
公开(公告)号：CN110092937A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910265151.2
申请日：2014-09-03
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。
-
公开(公告)号：CN108778721A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201680082921.4
申请日：2016-09-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , H01L21/301
CPC classification number: B32B27/00
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其在支撑片的一个表面上具备保护膜形成用膜、且在上述支撑片的与具备上述保护膜形成用膜的一侧相反侧的表面上具备涂敷层而成，上述保护膜形成用复合片的从上述涂敷层侧的雾度测定值为47％以下。
-
公开(公告)号：CN107615454A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680032214.4
申请日：2016-06-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具有：基材、具有活性能量线固化性的粘合剂层、及具有热固性的保护膜形成用膜，其中，该保护膜形成用复合片用于通过下述方式制造带保护膜的半导体芯片：将该保护膜形成用复合片通过该保护膜形成用膜而粘贴于半导体晶片的背面之后，使该保护膜形成用膜固化成为保护膜，接着，在对该半导体晶片进行切割而得到半导体芯片之后，使该粘合剂层固化，然后将该半导体芯片连同该保护膜一起进行拾取，由此制造带保护膜的半导体芯片，该粘合剂层至少在与所述保护膜形成用膜接触的层中含有(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物，该共聚物具有由构成烷基酯的烷基的碳原子数为8以上的(甲基)丙烯酸烷基酯衍生的结构单元。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
90
records
(took 0.034 seconds)
