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公开(公告)号：CN203406281U
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201320385610.9
申请日：2013-06-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为512K×40bit的立体封装MRAM存储器，包括五个容量为512K×8bit的MRAM芯片，其特征在于，还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和五个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，每个芯片层上置放一个所述MRAM芯片；所述堆叠的一个引线框架层和五个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和五个芯片层上露出的电气连接引脚进行关联连接以形成：五个MRAM芯片相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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