-
公开(公告)号：CN110021589B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910372425.8
申请日：2019-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率组件以及电压转换方法。其中，该功率组件包括：驱动板、绝缘栅双极型晶体管以及弹簧电阻，其中，弹簧电阻的第一端与驱动板相连接，弹簧电阻的第二端与绝缘栅双极型晶体管的栅极相连接。本发明解决了现有的功率组件中绝缘栅双极型晶体管与弹簧通过邦定线连接，导致功率组件体积大的技术问题。
-
公开(公告)号：CN112786460B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911090219.4
申请日：2019-11-08
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 本发明涉及一种芯片的封装方法及芯片封装模块。该芯片的封装方法包括以下步骤：提供第一芯片，所述第一芯片的表面设有至少一个电极；在所述第一芯片的正面形成胶膜，且在所述电极对应的所述胶膜上开设有电极开口，以在所述电极开口处形成电极槽；在其中至少一个所述电极槽内装设第二芯片，并在所述第一芯片和所述第二芯片之间形成中间电极；在所述第一芯片的背面和侧面形成密封层。利用该封装方法能够解决现有技术中多芯片封装时封装壳体的封装面积较大，且不同芯片依靠导线连接时芯片杂散电感大的问题，达到减小封装体积和降低杂散电感的目的。
-
公开(公告)号：CN115706059A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110918625.6
申请日：2021-08-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/32 , H01L23/40 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供IPM模块与散热器的连接结构及IPM模块、散热器，其中连接结构中，IPM模块的塑封体上与散热器配合的表面上设有凹槽结构，散热器上与IPM模块的塑封体配合的表面上设有与凹槽结构形成配合的卡条结构，散热器上与IPM模块的塑封体配合的表面上设有能够沿竖直方向伸缩的弹性限位装置，弹性限位装置对称布置在IPM模块的两侧。本发明涉及的连接结构，采用卡接结构和弹性限位装置来使IPM模块固定，取代原本的螺钉螺母的安装方式，减少了由于安装失误而导致模块变形断裂损坏的风险，节约了安装成本，提高了安装效率，并且增加了散热片的表面积，能够使模块的散热性能得到提高。
-
公开(公告)号：CN112447532B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201910820781.1
申请日：2019-08-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种封装方法，该方法在对晶圆进行切割前，在晶圆的第一表面和第二表面形成第一保护层，由于晶圆受到第一保护层的保护，在对晶圆切割时不会出现晶圆碎裂和晶圆级芯片损伤的情况，切割得到晶圆级芯片后，再对晶圆级芯片进行侧面封装时，不需要再对晶圆级芯片进行机加工，不会损伤晶圆级芯片。
-
公开(公告)号：CN110828388A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810910248.X
申请日：2018-08-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造封装方法，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本发明将浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112992836B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201911275842.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法，该铜桥双面散热的芯片包括导线框架、芯片本体、环氧树脂胶膜和铜桥，其中，导线框架包括基岛和管脚两个部分，芯片本体设置于基岛上，芯片本体包括位于朝向基岛一侧且与基岛电性连接的第一连接端和位于背离基岛一侧、通过铜桥与管脚电性连接的第二连接端；环氧树脂胶膜设置于芯片本体上且与每个第二连接端相对的位置设有开孔，开孔内设有结合材以将第二连接端与铜桥固定。该铜桥双面散热的芯片将用于固定第二连接端与铜桥的结合材限定在环氧树脂胶膜的开孔内，可以避免结合材溢出而影响铜桥双面散热的芯片的性能，该铜桥双面散热的芯片可靠性更强、散热效果更好。
-
公开(公告)号：CN112216666B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910626038.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及芯片封装技术领域，具体而言，涉及一种元器件电性连接方法及通过该方法制备的芯片封装。元器件电性连接方法包括如下步骤：将芯片焊接在基板上；将芯片及外部引脚塑封成型，塑封过程中，对需要进行电性连接的焊盘处预留填充孔；在封装体上刻蚀用于连通填充孔的沟槽，每个所述沟槽用于连通需要进行电性连接的焊盘对应的填充孔；在导电沟槽和填充孔中填充导电胶；对外露的导电胶部分进行再次封装。本申请技术方案所提供的元器件电性连接方法，由于采用导电胶进行电性连接，不用引线键合的方式，不存在机械应力对芯片的损伤，提高芯片的可靠性。
-
公开(公告)号：CN110767623B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910872432.4
申请日：2019-09-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种基材及其制备方法与电路基板，涉及电子器件领域。该基材包括：用于贴装金属片的贴片区和包围所述贴片区的隔离区；其中，所述隔离区的至少一个表面设有锯齿槽。该基材能够解决现有技术中小型化的功率模块击穿率高的问题，利用该基材制备的功率器件能够提高功率器件的绝缘性能，降低击穿率。
-
公开(公告)号：CN112635430A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910951438.0
申请日：2019-10-08
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块及具有其的电子设备；智能功率模块包括陶瓷基板和分别连接于所述陶瓷基板两侧第一框架和第二框架，所述陶瓷基板包括沿预设方向依次设置的多个陶瓷板块，相邻两个所述陶瓷板块通过连接组件连接。根据本发明提供的智能功率模块，将陶瓷基板分割多个陶瓷板块，多个陶瓷板块通过连接组件拼接形成一整体，避免应力集中，防止陶瓷基板在安装时因受力不均匀而产生裂痕。
-
公开(公告)号：CN111081671A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811222128.7
申请日：2018-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种低应力半导体芯片固定结构、半导体器件及其制造方法，包括芯片、引线框架、导电结合件、陶瓷基板，所述引线框架包括芯片座，芯片座用于承载固定陶瓷基板，陶瓷基板用于固定芯片，包括陶瓷层和金属层，所述陶瓷层面通过导电结合件固定在芯片座上，所述金属层面通过导电结合件与芯片连接。本发明在引线框架上设置陶瓷基板，陶瓷基板包括陶瓷层和金属层，陶瓷层面与引线框架芯片座接触、通过导电结合件将陶瓷基板固定在芯片座上，并将金属层面与芯片连接，利用陶瓷的高机械强度、低热膨胀系数缓冲芯片应力，芯片不易出现翘曲、损坏，提高半导体器件封装良率及可靠性，提高了半导体器件的使用寿命。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
76
records
(took 0.07 seconds)
