基于分类字典的稀疏表示图片文字检测方法

    公开(公告)号:CN101719142B

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN200910227172.1

    申请日:2009-12-10

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 李树涛 赵明 杨斌

    CPC classification number: G06K9/3258 G06K9/4609 G06K2209/01

    Abstract: 本发明提供了一种基于分类字典的稀疏表示图片文字检测方法。它包括以下步骤:(1)使用指定小波基的小波变换提取输入图像中的边缘信息;(2)利用基于分类字典的稀疏表示在边缘信息中提取候选文字区域;(3)在候选文字区域中进行水平投影分析和垂直投影分析,最终定位图片中的文字。本发明方法使用基于分类字典的稀疏表示分类方法将文字从图片中分离出来,从而使图片文字区域的检测更加准确和鲁棒。

    基于混合多分辨率分解的图像融合方法

    公开(公告)号:CN101504766B

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN200910042956.7

    申请日:2009-03-25

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 李树涛 杨斌

    Abstract: 本发明公开了一种基于混合多分辨率分解的图像融合方法。它包括以下步骤:将两幅源图像进行非下采样轮廓波分解,得到高频和低频子带系数;根据高频子带系数计算其能量值,选择能量值最大的系数作为融合的高频轮廓波变换系数;对低频子带系数进一步进行静态小波变换,对其高频分量,采用选择小波系数能量值最大的方法进行融合,对其低频分量通过求平均的方法进行融合,得到静态小波变换系数,对静态小波变换系数进行逆变换,得到低频轮廓波变换系数;对轮廓波变换系数进行逆变换,得到融合的图像。本发明结合了静态小波变换和轮廓波变换能表达不同图像特性的优点,可有效提高融合结果图像的质量,达到比较理想的融合效果。

    基于同步正交匹配追踪的多源图像融合方法

    公开(公告)号:CN101540045B

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200910042957.1

    申请日:2009-03-25

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 李树涛 杨斌

    Abstract: 本发明公开了一种基于同步正交匹配追踪的多源图像融合方法。它包括以下步骤:通过一固定尺寸大小的滑动窗口将源图像逐像素交叠的采样为大小相同的图像块,并将每一个图像块按列展开为列向量;通过同步正交匹配追踪算法求解每个对应向量在过完备原子库上的稀疏表示系数;利用绝对值最大法融合对应的系数;根据过完备原子库将融合的稀疏表示系数逆变换为对应向量的融合结果向量;将全部融合结果向量还原为图像块再重构得到融合图像。本发明充分考虑了图像的内在稀疏特性,采用稀疏表示的方法能够更有效地表达各源图像的有用信息,获得了较好的融合效果,对于各种应用系统的后续处理和图像显示具有重要意义和实用价值。

    一种CaBi2Nb2O9陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119118649A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202410590348.4

    申请日:2024-05-13

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 张层

    Abstract: 本发明提供了一种CaBi2Nb2O9陶瓷,所述CaBi2Nb2O9陶瓷的任一截面中铁电畴的面积占截面面积的14‑18%;并且所述CaBi2Nb2O9陶瓷中铁电畴的长度为234‑596nm,厚度为41‑196nm;并且所述CaBi2Nb2O9陶瓷的零电场振幅外推的逆压电系数6.5‑6.8pm/V;并且所述CaBi2Nb2O9陶瓷的瑞利系数为0.15‑0.18×10‑17m2/V2;并且所述CaBi2Nb2O9陶瓷在常温下的d33为13‑13.5pC/N。本发明还公开了所述CaBi2Nb2O9陶瓷的制备方法和应用。

    一种CsPbBr3陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118084491A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410189933.3

    申请日:2024-02-20

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 李骏驰

    Abstract: 本发明提供了一种CsPbBr3陶瓷,所述CsPbBr3陶瓷为孪晶;所述CsPbBr3陶瓷为正交晶系Pnma空间群;所述CsPbBr3陶瓷的晶胞参数为a=8.2339(3)埃,b=11.7593(4)埃,c=8.2447(4)埃,V=798.29(6)埃;所述CsPbBr3陶瓷有制备方法包括将CsBr粉体和PbBr2粉体混合并模压成型后,进行第一烧结后自然冷却,然后进行第二烧结的步骤;所述第一烧结的温度为360‑460℃;所述第二烧结的温度为480‑560℃。本发明还提供所述CsPbBr3陶瓷的制备方法和应用。

    陶瓷压力传感器及其制造方法
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117191231A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202310574526.X

    申请日:2023-05-22

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 蓝镇立

    Abstract: 本申请公开一种陶瓷压力传感器及其制造方法,属于电气元件技术领域。所述陶瓷压力传感器包括:陶瓷底座和膜片;所述陶瓷底座的正面设置有空腔,所述陶瓷底座的背面设置有通气腔,所述空腔和所述通气腔通过通气孔连通;所述通气腔的腔体表面覆盖有第一金属化层;所述膜片的其中一面设置有应变电路,所述陶瓷底座的正面与所述膜片设置有应变电路的一面粘合连接。通过本申请提供的陶瓷压力传感器,通用性较高,且能够被封装为多种压力类型的压力传感器,应用场景更加广泛。

    一种高韧性氧化铝薄片的制备方法

    公开(公告)号:CN116283243B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202310552660.X

    申请日:2023-05-17

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌

    Abstract: 本发明提供了一种高韧性氧化铝薄片的制备方法,包括如下步骤:将氧化锆粉体、氧化铝粉体、粘接剂和铝镍锆合金粉混合后进行干压,得到生坯;将生坯在惰性气氛下排胶后在惰性气氛下升温至700‑750℃后在氧化性气氛下升温至1450~1520℃后保温,即得。本发明提供的方法简单,制备到得的氧化铝陶瓷的晶界交汇处存在氧化锆增强,因此其抗冲击性能高,且韧性高。

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