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公开(公告)号：CN103605216B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310603561.6
申请日：2013-11-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体波导的阵列化光开关，该光开关包括：硅衬底1，用于承载整个器件结构；二氧化硅衬底2，覆盖于硅衬底1上，用于隔离硅衬底与硅平板；硅平板3，位于二氧化硅衬底上2，用于形成二维硅光子晶体波导、多模干涉波导、续接波导；二氧化硅隔离层4，位于硅平板3上方，并填充于二维硅光子晶体波导的孔内，用于隔离二维光子晶体波导与钛金属电极5，提供光隔离与电绝缘；钛金属平板电极5位于二氧化硅隔离层上，用于加热二维光子晶体波导；铝金属平板电极6位于钛金属平板上，作为接触电极。通过设计光子晶体波导结构实现光通信波段（波长1微米至2微米）特定波长光信号的阵列开关功能，能够增强大调控功率调控下电极的稳定性。
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公开(公告)号：CN103728692B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310743586.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔，包括：硅衬底，用于承载整个光机晶体微腔；二氧化硅隔离层，用于隔离硅衬底和硅平板；硅平板，位于二氧化硅隔离层之上，硅平板包括依次设置的输入波导区、光机晶体微腔区、输出波导区；输入波导区用于接收光信号并将光信号传输至光机晶体微腔区；光机晶体微腔区，包括硅波导和空气孔阵列，用于局域光子和声子缺陷模式，实现光子和声子的耦合；输出波导区用于输出光信号；顶层二氧化硅层，位于硅平板之上，其与二氧化硅隔离层配合以保护硅平板；空气隔离区，位于光机晶体微腔区的上方和下方，且位于二氧化硅隔离层和顶层二氧化硅层之间。
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公开(公告)号：CN103034015A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210587206.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种偏振纠缠双光子产生系统，包括有：泵浦光发生装置，用于生成脉冲泵浦光，并将其输入至全保偏光纤非线性环形光路；全保偏光纤非线性环形光路，由带保偏尾纤的偏振分/合束器和非线性光纤媒质构成，使所述泵浦光分别沿顺时针和逆时针方向，独立激发自发的四波混频过程，产生具有纠缠特性的信号和闲频双光子；分光滤波装置，用于对剩余泵浦光及所述具有纠缠特性的信号和闲频双光子进行分离，得到偏振纠缠双光子。本发明不需要依靠任何偏振态调整装置，且开机不必附加调整操作，具有即插即用、噪声更低的特点，提供能够在常温下工作的高质量的偏振纠缠双光子。
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公开(公告)号：CN101556353B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810186418.0
申请日：2008-12-16
Abstract: 本发明涉及一种短程表面等离子体波与普通介质导波混合耦合结构，包括介质衬底层；位于该介质衬底层上的介质波导层；位于该介质导波层上的耦合匹配层；以及形成于该耦合匹配层上的、用于传导短程表面等离子体波的短程表面等离子体波导部分。采用所述结构可实现高度集成的耦合器，起偏器，调制器以及超薄物质折射率的高灵敏度检测芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102608699A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210009165.6
申请日：2012-01-12
Applicant: 清华大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及短程表面等离子体波导与介质波导混合耦合阵列式结构，其特征在于，所述耦合阵列式结构包括：介质衬底层，以及位于介质衬底上的至少两个耦合结构，所述耦合结构包括：介质波导层，所述介质波导层位于所述介质衬底层上；以及短程表面等离子体波导层，所述短程表面等离子体波导层位于所述介质波导层上，其中，至少一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层与另一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层具有不同厚度。采用所述结构可实现大传感区域的超薄物质折射率的高灵敏度检测芯片。
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公开(公告)号：CN101483315A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910076870.6
申请日：2009-01-23
Applicant: 清华大学
IPC: H01S3/30 , H01S3/067 , H01S3/0941
Abstract: 本发明涉及光纤传感技术领域。本发明提供了一种双方向双波长同时激射的光纤布里渊激光器，所述激光器包括：第一光纤1，集总损耗器件3，第二光纤2，耦合装置4；其中，所述耦合装置4具有第一端口5，第二端口6，第三端口7，第四端口8；所述各器件构成一混合环形腔。所述两段光纤具有不同的布里渊频移特性，两束同样波长的窄线宽激光由耦合装置4的第一和第二端口注入所述环形腔，分别在顺时针和逆时针方向产生两束激射的布里渊斯托克斯波，并分别从第一和第二端口输出，从而实现双方向激射，且每一激射方向仅有一个激射波长。
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公开(公告)号：CN1804587A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610011188.5
申请日：2006-01-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于光电子技术领域，其特征在于，它把半导体激光二极管或者半导体发光二极管与金属薄膜同时集成在同一种衬底材料上，通过结构的设计和工艺调节，将半导体激光二极管或者半导体发光二极管的出射光场控制在金属的端面或者特定的表面位置，使其高效率地激励起金属膜表面的等离子场，这样就不需要外部的激励光源和棱镜等分离元器件，而且，不需要外部位置调节，稳定性好，器件的尺度可以小于1mm，为表面等离子波在信息、传感，特别是光子集成等领域中的实际应用提供可能。
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公开(公告)号：CN114912602B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202110172852.9
申请日：2021-02-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种光人工神经网络冶炼终点监测芯片及制备方法，用于冶炼终点监测任务，本发明将光滤波器层作为人工神经网络的输入层和线性层，将光滤波器层对入射光的滤波作用作为输入层到线性层的连接权重，将图像传感器的平方检波响应作为人工神经网络的非线性层中的第一次非线性激活函数，将处理器作为人工神经网络的全连接、非线性层中的第二次非线性激活函数以及输出层，从而光滤波器层和图像传感器以硬件的方式实现了人工神经网络中输入层、线性层和非线性激活函数的相关功能，从而大幅降低人工神经网络处理时的功耗和延时。
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公开(公告)号：CN116083676B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202111314402.5
申请日：2021-11-08
Applicant: 清华大学
IPC: C21C5/30
Abstract: 本发明实施例提供一种转炉炼钢过程监控方法、装置、设备和系统，其中方法包括：在转炉生产过程中，接收来自光人工神经网络芯片的传输信息，所述光人工神经网络芯片用于实现预先训练的人工神经网络模型的一部分的计算策略，所述传输信息是所述光人工神经网络芯片基于所述计算策略，对采集的所述转炉的炉口火焰的光谱图像处理得到的，所述光谱图像中包含光谱信息；将当前时刻接收的所述传输信息，输入至所述人工神经网络模型的另一部分，得到所述转炉内反应的异常预测结果；生成与所述异常预测结果对应的监控信息。如此，实现了准确且安全可靠的转炉炼钢过程监控。
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