-
公开(公告)号:CN101556353B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200810186418.0
申请日:2008-12-16
Abstract: 本发明涉及一种短程表面等离子体波与普通介质导波混合耦合结构,包括介质衬底层;位于该介质衬底层上的介质波导层;位于该介质导波层上的耦合匹配层;以及形成于该耦合匹配层上的、用于传导短程表面等离子体波的短程表面等离子体波导部分。采用所述结构可实现高度集成的耦合器,起偏器,调制器以及超薄物质折射率的高灵敏度检测芯片。
-
公开(公告)号:CN102608699A
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN201210009165.6
申请日:2012-01-12
Applicant: 清华大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及短程表面等离子体波导与介质波导混合耦合阵列式结构,其特征在于,所述耦合阵列式结构包括:介质衬底层,以及位于介质衬底上的至少两个耦合结构,所述耦合结构包括:介质波导层,所述介质波导层位于所述介质衬底层上;以及短程表面等离子体波导层,所述短程表面等离子体波导层位于所述介质波导层上,其中,至少一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层与另一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层具有不同厚度。采用所述结构可实现大传感区域的超薄物质折射率的高灵敏度检测芯片。
-
公开(公告)号:CN1804587A
公开(公告)日:2006-07-19
申请号:CN200610011188.5
申请日:2006-01-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于光电子技术领域,其特征在于,它把半导体激光二极管或者半导体发光二极管与金属薄膜同时集成在同一种衬底材料上,通过结构的设计和工艺调节,将半导体激光二极管或者半导体发光二极管的出射光场控制在金属的端面或者特定的表面位置,使其高效率地激励起金属膜表面的等离子场,这样就不需要外部的激励光源和棱镜等分离元器件,而且,不需要外部位置调节,稳定性好,器件的尺度可以小于1mm,为表面等离子波在信息、传感,特别是光子集成等领域中的实际应用提供可能。
-
公开(公告)号:CN114912602B
公开(公告)日:2025-05-20
申请号:CN202110172852.9
申请日:2021-02-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种光人工神经网络冶炼终点监测芯片及制备方法,用于冶炼终点监测任务,本发明将光滤波器层作为人工神经网络的输入层和线性层,将光滤波器层对入射光的滤波作用作为输入层到线性层的连接权重,将图像传感器的平方检波响应作为人工神经网络的非线性层中的第一次非线性激活函数,将处理器作为人工神经网络的全连接、非线性层中的第二次非线性激活函数以及输出层,从而光滤波器层和图像传感器以硬件的方式实现了人工神经网络中输入层、线性层和非线性激活函数的相关功能,从而大幅降低人工神经网络处理时的功耗和延时。
-
公开(公告)号:CN116083676B
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202111314402.5
申请日:2021-11-08
Applicant: 清华大学
IPC: C21C5/30
Abstract: 本发明实施例提供一种转炉炼钢过程监控方法、装置、设备和系统,其中方法包括:在转炉生产过程中,接收来自光人工神经网络芯片的传输信息,所述光人工神经网络芯片用于实现预先训练的人工神经网络模型的一部分的计算策略,所述传输信息是所述光人工神经网络芯片基于所述计算策略,对采集的所述转炉的炉口火焰的光谱图像处理得到的,所述光谱图像中包含光谱信息;将当前时刻接收的所述传输信息,输入至所述人工神经网络模型的另一部分,得到所述转炉内反应的异常预测结果;生成与所述异常预测结果对应的监控信息。如此,实现了准确且安全可靠的转炉炼钢过程监控。
-
公开(公告)号:CN118410725B
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202410876871.3
申请日:2024-07-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及激光器设计技术领域,提供一种基于神经网络算法的激光器逆向设计方法及系统,包括:获取目标激光器的输出特性参数,并将所述输出特性参数作为已完成训练的激光器设计模型的输出特性参数;其中,所述激光器设计模型基于预设神经网络,通过多组激光器的物理特性参数样本以及对应的输出特性参数样本训练而成;输入至少一组激光器的物理特性参数至所述激光器设计模型,获取所述激光器设计模型实际的输出特性参数;获取实际的输出特性参数与所述目标激光器的输出特性参数之间的偏差,生成偏差结果;基于所述偏差结果调整激光器的物理特性参数,完成目标激光器的逆向设计。本发明解决了现有激光器设计成本高、效率低的问题。
-
公开(公告)号:CN118410725A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202410876871.3
申请日:2024-07-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及激光器设计技术领域,提供一种基于神经网络算法的激光器逆向设计方法及系统,包括:获取目标激光器的输出特性参数,并将所述输出特性参数作为已完成训练的激光器设计模型的输出特性参数;其中,所述激光器设计模型基于预设神经网络,通过多组激光器的物理特性参数样本以及对应的输出特性参数样本训练而成;输入至少一组激光器的物理特性参数至所述激光器设计模型,获取所述激光器设计模型实际的输出特性参数;获取实际的输出特性参数与所述目标激光器的输出特性参数之间的偏差,生成偏差结果;基于所述偏差结果调整激光器的物理特性参数,完成目标激光器的逆向设计。本发明解决了现有激光器设计成本高、效率低的问题。
-
公开(公告)号:CN118091845A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410177731.7
申请日:2024-02-08
Applicant: 清华大学
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明涉及芯片集成光电子器件技术领域,尤其涉及一种芯片集成光缓存器及其工作方法。该芯片集成光缓存器包括:光波导器件,用于输入和输出光信号;微环谐振腔,微环谐振腔能够在指定谐振频率下发生光学谐振;光环路,光环路和光波导器件分别位于微环谐振腔的两个不同方向上,且光环路和光波导器件分别与微环谐振腔耦合。本发明提供的一种芯片集成光缓存器及其工作方法,通过微环谐振腔谐振频率的调控实现光开关功能,利用微环谐振腔与光环路之间采用模式耦合原理进行功率交换,两者不接触,微环谐振腔不需要直接接入光环路中,大大减小了光开关对光环路损耗的影响,有助于提升芯片集成光缓存器的存储时间。
-
公开(公告)号:CN115032724B
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202210704770.9
申请日:2022-06-21
Applicant: 清华大学
IPC: G02B1/00
Abstract: 本申请涉及一种双曲超材料的制备方法。所述方法包括:确定目标双曲区间,其中,该目标双曲区间为目标器件所工作的光波波段;根据该目标双曲区间,确定适用于该目标双曲区间的目标金属材料以及目标介质材料,并获取该目标金属材料的第一介电常数以及该目标介质材料的第二介电常数;确定待制备的目标双曲超材料的多个不同方向上的介电常数设计值,其中,该目标双曲超材料应用于该目标器件中;根据该第一介电常数、第二介电常数以及多个不同方向上的介电常数设计值,确定该目标双曲超材料的制备参数,并基于制备参数、目标金属材料以及目标介质材料制备该目标双曲超材料。采用本方法能够为工作于各波段的器件制备双曲超材料。
-
公开(公告)号:CN116086608A
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202111315911.X
申请日:2021-11-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种转炉炼钢过程炉内反应监测系统及方法,本发明提供的转炉炼钢过程炉内反应监测系统及方法,通过快照式光谱成像芯片与镜头组配合获取炉口火焰的光谱图像,通过光谱分析获得炉内反应状态,进而实现对转炉炼钢过程中炉内反应状态的实时监测,由于整个监测过程无过多的人为干预,监测结果更加准确,同时,由于快照式光谱成像芯片具有成像速度快的特性,可以有效提高炉内反应监测过程的效率,实现了对炉内反应的高效、准确、实时监测。
-
-
-
-
-
-
-
-
-