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公开(公告)号：CN111081862B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201911411514.5
申请日：2019-12-31
Applicant: 清华大学 , 浙江清华柔性电子技术研究院
IPC: H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/25 , H01L41/27
Abstract: 本发明提供一种基于介电效应的电致变形装置及其制作方法，电致变形装置包括载体层(13)和复合层(F)，所述复合层(F)附着于所述载体层(13)，所述复合层(F)包括三层结构，依次为电极层(11)、介电材料层(12)和电极层(11)，所述电极层(11)由导体制成，所述介电材料层(12)由具有介电性能的材料制成，当所述装置未通电时，所述载体层(13)呈螺旋形，当给所述装置通电后，所述装置能发生扭转。根据本发明的电致变形装置，其结构简单且能实现扭转和/或弯曲变形。根据发明的电致变形装置的制备方法，其工艺简单、可操作性强。
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公开(公告)号：CN110767349B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810848155.9
申请日：2018-07-27
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01B7/00 , H01B7/02 , H01B7/06 , H01B13/00 , H01B13/008
Abstract: 本发明涉及一种应用于可延展电子器件中的导线以及可延展电子器件和制备方法，在所述导线上设有容许导线延展形变的镂空区。本发明通过薄膜结合镂空区的形式对电子器件中的功能元件进行连接，在增加器件延展性的同时，还保证了功能密度，实现了柔性电子器件对延展性和便携性需求。
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公开(公告)号：CN110753442A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201811240172.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种电路转换单元、电子器件及温控设备，所述电路转换单元包括：形状记忆聚合物层；液态金属，所述液态金属封闭于所述形状记忆聚合物层；其中，所述形状记忆聚合物层能够改变自身形状，以改变所述液态金属于所述形状记忆聚合物层的分布，所述液态金属于所述形状记忆聚合物的不同分布构成不同的导电路径。上述电路转换单元使用形状可随外部条件变化的形状记忆聚合物，使形状记忆聚合物腔体内的液态金属形成的电路随所述形状记忆聚合物形状的变化而变化，以改变电路的连接方式，从而实现器件的模式转换，结构简单，成本较低，通用性强。
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公开(公告)号：CN110753441A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810814826.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种电路转换单元及其制造方法、电子器件及温控设备，所述电路转换单元包括：形状记忆聚合物层；液态金属，所述液态金属封闭于所述形状记忆聚合物层；其中，所述形状记忆聚合物层能够改变自身形状，以改变所述液态金属于所述形状记忆聚合物层的分布，所述液态金属于所述形状记忆聚合物的不同分布构成不同的导电路径。上述电路转换单元使用形状可随外部条件变化的形状记忆聚合物，使形状记忆聚合物腔体内的液态金属形成的电路随所述形状记忆聚合物形状的变化而变化，以改变电路的连接方式，从而实现器件的模式转换，结构简单，成本较低，通用性强。
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公开(公告)号：CN109616449A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811321073.5
申请日：2018-11-07
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种柔性电子器件及其制造方法，包括第一柔性基板，在所述第一柔性基板上设置有电路及第一流道，所述第一流道呈蜿蜒状延伸，在所述第一流道内填充有非牛顿流体。该柔性电子器件在保证弯折性能的同时，能够为电路提供较好的抗冲击能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110890443B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201811049971.X
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/225 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：提供硅片以及扩散源，其中所述扩散源包括扩散元素；采用打印方法将扩散源置于所述硅片上而形成预制层，所述预制层的厚度大于等于2μm；对带有所述预制层的硅片进行退火处理，使所述扩散元素扩散进入所述硅片中，以形成扩散层；以及采用刻蚀溶液去除所述硅片上残留的预制层。本发明的制备方法不受硅片厚度的限制，可实现扩散层的可控制备，不仅工艺简单、成本低，还可以保证硅片的完整性和工艺稳定性，可重复性好，得到的晶体硅太阳能电池扩散层的方阻为20Ω/□～110Ω/□，具有很好的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN110896116B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201811050376.8
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：(1)提供硅片以及扩散源，其中扩散源包括扩散元素；(2)采用打印方法将扩散源置于硅片一表面上而形成第一预制层；(3)对带有第一预制层的硅片进行退火处理，使扩散元素扩散进入硅片中，以形成预制扩散层；(4)采用打印方法将扩散源置于预制扩散层上而形成间隔的第二预制结构；(5)对带有第二预制结构的硅片再次进行退火处理，使扩散元素扩散进入预制扩散层中，得到扩散层；其中，扩散层包括多个连续的单元，每一单元包括相邻的第一扩散结构和第二扩散结构，第一扩散结构的方阻大于第二扩散结构的方阻。本发明在第二扩散结构对应的区域制备电极，可提升接触性能。
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公开(公告)号：CN110753443B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201811240199.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种电路转换单元的制造方法，所述电路转换单元包括：形状记忆聚合物层；液态金属，所述液态金属封闭于所述形状记忆聚合物层；其中，所述形状记忆聚合物层能够改变自身形状，以改变所述液态金属于所述形状记忆聚合物层的分布，所述液态金属于所述形状记忆聚合物的不同分布构成不同的导电路径。上述电路转换单元使用形状可随外部条件变化的形状记忆聚合物，使形状记忆聚合物腔体内的液态金属形成的电路随所述形状记忆聚合物形状的变化而变化，以改变电路的连接方式，从而实现器件的模式转换，结构简单，成本较低，通用性强。
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公开(公告)号：CN110753442B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201811240172.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种电路转换单元、电子器件及温控设备，所述电路转换单元包括：形状记忆聚合物层；液态金属，所述液态金属封闭于所述形状记忆聚合物层；其中，所述形状记忆聚合物层能够改变自身形状，以改变所述液态金属于所述形状记忆聚合物层的分布，所述液态金属于所述形状记忆聚合物的不同分布构成不同的导电路径。上述电路转换单元使用形状可随外部条件变化的形状记忆聚合物，使形状记忆聚合物腔体内的液态金属形成的电路随所述形状记忆聚合物形状的变化而变化，以改变电路的连接方式，从而实现器件的模式转换，结构简单，成本较低，通用性强。
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