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公开(公告)号：CN119604162A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411574923.8
申请日：2024-11-06
Applicant: 温州锌芯钛晶科技有限公司 , 浙江大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/40 , H10K50/115 , H10K85/50 , C30B29/22
Abstract: 本发明涉及一种通过界面质子化反应辅助生成钙钛矿原位成膜的方法，包括如下步骤：S1、旋涂：在酸性衬底上旋涂钙钛矿前驱体溶液，形成配合物中间相；所述钙钛矿前驱体溶液包括锡的卤化物、一价阳离子卤化物、硫氰酸盐、以及乙二胺衍生物；S2、退火：在热台上对配合物中间相加热退火，通过酸性衬底与乙二胺衍生物之间的质子化反应诱导配合物中间相向锡基钙钛矿薄膜转化；所述锡基钙钛矿的化学结构为ASnX3。本发明通过利用酸性衬底与钙钛矿界面的质子化反应，辅助生成高质量钙钛矿，有效改善薄膜形貌，从而进一步制备高亮度的PeLED器件。
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公开(公告)号：CN118102767B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410486827.1
申请日：2024-04-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H10K50/84 , H10K50/805 , H10K50/10 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种光通信的LED半导体装置及其制备方法，该LED半导体装置包括：基底；第一电极，该第一电极沿第一方向设置于基底上；发光二极管堆叠结构，该发光二级管堆叠结构位于第一电极上；绝缘材料层，该绝缘材料层位于基底和第一电极上，且包裹发光二极管的侧面，绝缘材料层上表面的高度高于发光二极管上表面的高度；第二电极，该第二电极沿第二方向沉积在绝缘材料层和发光二极管堆叠结构的上表面，所述第二方向与第一方向不平行。该LED半导体装置具有较高的响应速度、发光效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN115960339A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111187968.6
申请日：2021-10-12
Applicant: 浙江大学 , 东莞伏安光电科技有限公司 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种电荷传输薄膜，电荷传输材料及含其的组合物、电子器件。该电荷传输薄膜包括聚合物的电荷传输材料，电荷传输薄膜的禁带宽度范围为3.0–3.5eV，通过紫外光电子能谱测得电荷传输薄膜的HOMO能级态密度分布的高斯标准偏差为σ，σ小于等于0.3eV。较宽的禁带宽度和低的能量无序度的电荷传输材料或电荷传输薄膜共同实现低的电子泄漏，从而提高了应用电荷传输材料或电荷传输薄膜的电子器件的效率。
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公开(公告)号：CN113594396B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110772017.9
申请日：2021-07-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种溶剂氛围控制的钙钛矿原位成膜方法，包括：在具有溶剂气体分压的气氛下，将钙钛矿前驱体溶液旋涂到基底上，加热退火结晶得到钙钛矿薄膜；溶剂气体与钙钛矿前驱体溶液中的溶剂为同种物质。本发明还公开了所述钙钛矿原位成膜方法制备得到的钙钛矿薄膜及其在制备钙钛矿发光二极管中的应用。
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公开(公告)号：CN113471369B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202010242291.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光器件的制备方法及发光器件，该发光器件的制备方法包括：准备钙钛矿前体液，准备发光器件的功能基板，将钙钛矿前体液覆盖于功能基板的上表面，得到钙钛矿前体液态层，对钙钛矿前体液态层进行加热，从而形成包括纳米片的钙钛矿发光层；钙钛矿前体液包括至少一芳香族化合物，调节该芳香族化合物在钙钛矿前体液中的摩尔比例从而调节钙钛矿发光层中纳米片的平行于功能基板的水平偶极比例，使得水平偶极比例为大于67％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113109282A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110529166.2
申请日：2021-05-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种广波长覆盖的光热偏转光谱测试装置，包括沿光路依次布置的泵浦光源、单色仪、光学斩波器和分束器；分束器的反射光路上布置有光电探测器，分束器的透射光路上布置有吸收池；光电探测器的信号输出端与电脑连接；吸收池在与分束器透射光路相垂直的两侧面分别布置有探测光源和位敏探测器；位敏探测器的信号输出端依次与锁相放大器和电脑连接；吸收池内用于容纳导热介质，底部固定有样品台，样品台用于固定待测薄膜；吸收池与分束器之间设有聚焦透镜，透射过分束器的泵浦光通过聚焦透镜进入吸收池；泵浦光源采用激光驱动宽带光源，用于发射170nm～2100nm的泵浦光。利用本发明，可以同时满足从窄带隙材料到宽带隙材料的测试需求。
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公开(公告)号：CN107565033B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201610525274.1
申请日：2016-07-01
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件。该氧化镍薄膜包括：氧化镍膜层；具有吸电子基团的有机分子，该有机分子连接设置在氧化镍膜层表面上。该有机分子利用吸电子基团与氧化镍薄膜表面的羟基自由基形成化学键稳定连接，且由于该具有吸电子基团的有机分子的存在，相当于在氧化镍表面建立起一个反向氧化镍的电场，进而提高了氧化镍薄膜的表面功函数。进而将本申请具有高表面功函数的氧化镍薄膜应用到QLED器件和OLED器件时，使得空穴注入率提高，进而可以避免使用对器件有损害的PEDOT：PSS，从而提高了器件的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN112111277A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010983758.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种单光子源和QLED。该单光子源和QLED均包括量子点，量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
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公开(公告)号：CN112067963A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010773243.4
申请日：2020-08-04
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种电致发光器件工况原位分析系统及分析方法，其中，系统包括激发光路部分、电激发源部分、收集光路部分、信号探测和解析部分、频率调制和同步部分，以及仪器机械控制部分。本发明的系统是多模式、多维度、多尺度的，将多种先进光谱学测试、锁相放大技术、半导体器件电学测试、自动化二维位移系统、显微镜系统与仪器控制系统等有机结合，有助于直接揭示器件的能量损失途径、单分子层面工作机制与器件老化机制，并指导未来材料化学和器件结构创新。
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公开(公告)号：CN110484233A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810285557.2
申请日：2018-04-03
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氧化锌纳米晶体、氧化锌纳米晶体组合物、其制备方法和电致发光器件。该氧化锌纳米晶体包括氧化锌纳米晶主体和表面配体，该表面配体包括一种或多种巯基醇配体，巯基醇配体具有如下结构式：-S-R-OH，其中，R代表直链烷基链或支链烷基链。S元素与Zn元素的配位能力要强于O元素，因此，选择巯基醇来对氧化锌纳米晶表面Zn元素初始的羧酸根和氢氧根进行配体交换，最终形成表面为Zn-S-ROH的氧化锌纳米晶。纳米晶经过配体交换后有效解决了由于羧酸根和氢氧根容易脱落或配位不完全导致的表面缺陷发光，同时改进了氧化锌纳米晶膜的电学性质，进而解决了电致发光器件中的延时发光问题。
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