一种层状钛/氧化铝复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103935077B

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201410126508.6

    申请日:2014-04-01

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种层状钛/氧化铝复合材料及其制备方法,属于层状复合材料的制备技术领域。本发明采用流延法制备氧化铝薄片和钛薄片,然后将氧化铝薄片和钛薄片交替层叠之后排胶、烧结。本发明通过对粘结剂、增塑剂和溶剂及其用量进行限定,对排胶温度进行限定,对烧结温度和烧结压力进行限定,从而使制备的层状复合材料的层间结合为物理化学共同结合,其界面粘结强度比单纯的范德华力结合要高,但是又没有形成过多脆性Al-Ti金属间化合物;所以其界面结合强度适中,一方面整个层状材料结构紧密,不易于脱落,另一方面,对裂纹扩展的阻碍能力较高,断裂韧性高。

    一种具有花状团簇的介孔催化剂涂层及其制备的催化剂

    公开(公告)号:CN116474800A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310411735.2

    申请日:2023-04-12

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明属于催化剂技术领域,具体涉及一种具有花状团簇的介孔催化剂涂层及其制备的催化剂。涂层,包括改性组分和主催化组分;改性组分包括非金属元素改性的γ‑Al2O3和变价金属氧化物或其他具备丰富活性位点的碱土、稀土金属氧化物;主催化组分为具有某种高效催化作用的金属氧化物。采用多步浸渍、一次焙烧的方法,利用多元金属氧化物对应的硝酸盐和氨水等完成涂层成分转换,实现了涂料合成和涂层沉积过程的结合。且利用铵根与弱酸根调控纳米氧化铝形貌获得花状团簇,使涂层具有均匀介孔和大量气体通道。相对于直接用氧化物涂覆,原料成本降低,无需考虑喷涂固化,合成的涂层更薄,时间和经济成本较低,耗能减少。

    一种高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109180161B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN201810974282.3

    申请日:2018-08-24

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种金属掺杂制备陶瓷复合材料,公开了一种高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料及其制备方法,其以生成目标产物体积钛硅化碳:氧化铝=1:3~2:3为基础,以摩尔比为3:1:1~3:1.1:0.5称取钛粉,碳化硅粉和石墨粉;以氧化铝球为球磨介质,酒精为分散介质,在聚四氟乙烯罐球中以200r/min的速度球磨磨4h,目标生成钛硅化碳和氧化铝粉的体积比为1:3~2:3,硅粉与外掺铝粉的摩尔比为1:0~1:0.3;球磨后进行干燥、破碎得到混合粉料;然后在温度为1400~1650℃,压力为20~50MPa以及保温1‑4h的烧结工艺下完成样品烧结,得到高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料。本发明制得的钛硅化碳/氧化铝陶瓷复合材料,具有高纯度、高致密度、晶粒大小均匀,物相之间结合紧密且力学性能优异的特点。

    一种Si3N4/SiC复合吸波陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN108178636B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201810140991.1

    申请日:2018-02-11

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种Si3N4/SiC复合吸波陶瓷及其制备方法,属于吸波透波陶瓷复合材料制备技术领域,该复合吸波陶瓷物相组成为Si3N4、SiC和石墨烯;所述Si3N4、SiC和石墨烯的质量比为95:5:0‑0.3。本发明采用石墨烯对Si3N4/SiC复合吸波陶瓷进行改性,得到了性能优良的Si3N4/SiC复合吸波陶瓷材料;本发明相较于其他烧结工艺制备的Si3N4/SiC复合吸波陶瓷的过程中,原材料之间没有发生任何反应;通过严格控制原料配比及烧结制备条件,避免了石墨烯的石墨化。

    一种Al/SiC金属陶瓷复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108315629B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201810148011.2

    申请日:2018-02-13

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种Al/SiC金属陶瓷复合材料的制备方法,属于金属陶瓷复合材料制备技术领域。具体步骤为:分别称取铝粉和碳化硅粉,放置于研磨体中,采用行星式球磨机对混合物料进行球磨,球磨后物料在真空干燥箱内进行干燥,干燥后物料研磨后使粉料全部过100目筛备用;将粉磨好的物料置于放电等离子烧结所用的石墨模具中按进行烧结。本发明利用放电等离子烧结技术,在高温高压下制备Al/SiC金属陶瓷复合材料,打破了Al/SiC金属陶瓷复合材料传统制备方法;制备的Al/SiC金属陶瓷复合材料体系相对于铝基金属来说,它有更高的使用温度,而且铝/碳化硅有更好的耐磨性能、断裂韧性、耐腐蚀性能,拓宽了铝/碳化硅的应用范围。

    一种低介电、高强度多孔氮化硅陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN109369194A

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201811331959.8

    申请日:2018-11-09

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明公开了一种通过微观结构调控制备低介电、高强度的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺,包括如下步骤:凝胶的制备、坯体成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。本发明为了提高β-Si3N4的转化率,在浆料中添加硼化锆促进α-Si3N4向β-Si3N4的转化,可以形成高长径比β-Si3N4柱状晶相互搭接构成多孔氮化硅陶瓷的孔隙骨架,提高了其强度。本发明提供的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺成本低,工艺简单,所制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率高、低介电常数且力学性能好。孔隙率在≥50%,介电常数3.3±0.1,抗弯性能在99.89~131.67MPa。最终多孔氮化硅陶瓷微观结构如附图。

    一种高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109180161A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201810974282.3

    申请日:2018-08-24

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种金属掺杂制备陶瓷复合材料,公开了一种高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料及其制备方法,其以生成目标产物体积钛硅化碳:氧化铝=1:3~2:3为基础,以摩尔比为3:1:1~3:1.1:0.5称取钛粉,碳化硅粉和石墨粉;以氧化铝球为球磨介质,酒精为分散介质,在聚四氟乙烯罐球中以200r/min的速度球磨磨4h,目标生成钛硅化碳和氧化铝粉的体积比为1:3~2:3,硅粉与外掺铝粉的摩尔比为1:0~1:0.3;球磨后进行干燥、破碎得到混合粉料;然后在温度为1400~1650℃,压力为20~50MPa以及保温1-4h的烧结工艺下完成样品烧结,得到高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料。本发明制得的钛硅化碳/氧化铝陶瓷复合材料,具有高纯度、高致密度、晶粒大小均匀,物相之间结合紧密且力学性能优异的特点。

    一种层状碳化硅/碳化锆超高温陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN104478436B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201410666300.3

    申请日:2014-11-20

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明属于超高温陶瓷的制备技术领域,具体涉及一种层状碳化硅/碳化锆超高温陶瓷的制备方法。本发明采用流延法制备出碳化硅流延片和碳化锆流延片,然后将其交替层叠,之后进行排胶、真空烧结。本发明通过对聚甲基丙烯酸酯、聚乙二醇、乙醇及正辛醇的用量进行限定,制备得到的流延片表面光滑且无气泡产生;对排胶、烧结温度及升温速度、烧结压力进行调控限定,制备得到的层状超高温陶瓷界面清晰,强度适中,陶瓷的致密性好,能改变裂纹传播路径从而增强断裂韧性。

    一种层状钛/氧化铝复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103935077A

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201410126508.6

    申请日:2014-04-01

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种层状钛/氧化铝复合材料及其制备方法,属于层状复合材料的制备技术领域。本发明采用流延法制备氧化铝薄片和钛薄片,然后将氧化铝薄片和钛薄片交替层叠之后排胶、烧结。本发明通过对粘结剂、增塑剂和溶剂及其用量进行限定,对排胶温度进行限定,对烧结温度和烧结压力进行限定,从而使制备的层状复合材料的层间结合为物理化学共同结合,其界面粘结强度比单纯的范德华力结合要高,但是又没有形成过多脆性Al-Ti金属间化合物;所以其界面结合强度适中,一方面整个层状材料结构紧密,不易于脱落,另一方面,对裂纹扩展的阻碍能力较高,断裂韧性高。

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