公开(公告)号：CN115820246A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211459965.8

申请日：2022-11-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张法碧 ,  张荣辉 ,  周娟 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  刘兴鹏 ,  李琦 ,  王阳培华 ,  廖清 ,  陈赞辉 ,  首美花 ,  彭英 ,  万荣桥 ,  傅涛 ,  肖功利

IPC: C09K11/62 ,  H01L33/50

Abstract: 本申请提供一种稀土铽掺杂氧化镓荧光材料的制备方法及其应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGa1‑X)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值为8～9，然后将溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽掺杂氧化镓荧光材料。本申请的制备方法制备工艺较为简单，所制备材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光效果较好，可广泛应用于发光领域。

公开(公告)号：CN115697034A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211448231.X

申请日：2022-11-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张法碧 ,  李威 ,  周娟 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  刘兴鹏 ,  李琦 ,  王阳培华 ,  廖清 ,  陈赞辉 ,  首美花 ,  彭英 ,  傅涛 ,  肖功利

IPC: H10N70/20

Abstract: 本申请提供一种阻变选择器及其制备方法，通过磁控溅射法在硅衬底上依次生长形成底电极、阻变层和顶电极，其中，底电极用于接地，阻变层作为介质层，在外加电场的作用下，薄膜材料能表现出两个不同的阻值，顶电极在电流作用下，通过氧化还原反应在薄膜内部形成导电细丝，从而使器件电阻发生跳变。本申请的制备方法简单，易操作，且所制备的器件具有循环次数高、开启电压低、散布性低、无电铸等优点。