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公开(公告)号：CN112490001B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202011316705.6
申请日：2020-11-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种片式电容器的制备方法，其中包括预置模块和制备片式电容器单体，预置模块为能将多片电容器单体并联连接且即插即用任意调整电容容量的装置，根据需要将多片电容器单体插入预置模块中构成所述片式电容器，片式电容器单体的制备方法包括了电容器主体介质材料制备、表面电极制备、表面沉积钝化层和制作电接触窗口等步骤。本发明可与半导体芯片微纳加工工艺兼容，适用于各种陶瓷及微晶玻璃电介质材料，所制备的单片式微晶玻璃电容器在预置模块中可实现即插即用的简便化操作，易于实现对电容器的快速维护保养，解决了目前具有独石结构的片式电容器或薄膜电容器制备工艺无法兼容微晶玻璃电介质材料且难于维护保养的问题。
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公开(公告)号：CN109912224B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910076707.3
申请日：2019-01-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光学测温的氟磷灰石纳米玻璃陶瓷材料及制备方法。所述纳米玻璃陶瓷材料包括氧化物玻璃基体，所述氧化物玻璃基体中含有掺杂了Yb3+和Er3+的Ca5(PO4)3F纳米晶体；氧化物玻璃基体的组成中至少含有15～25mol％的CaF2、25～35mol％的ZnO、6～12mol％的P2O5和34～44mol％的B2O3，外加占上述氧化物总量0.5～1.5mol％的Yb2O3和0.04～0.08mol％的Er2O3。所述纳米玻璃陶瓷材料的制备方法：按照氧化物玻璃基体的组成配比，配制成的混合粉体研磨混合均匀后置于坩埚中，加热到1100～1250℃，保温1～2小时；然后将所得玻璃熔液快速倒入420～450℃预热的铜模中成型并退火10小时得到基质玻璃；退火后的基质玻璃继续在660～680℃保温2～6小时使之发生晶化。
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公开(公告)号：CN108706971B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810670093.7
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：Bi0.53Na0.5TiO3+0.05wt%LiVO3+0.1wt%MnO2。用微波快速烧结结合快速水冷制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变记忆特性，最大压电应变记忆效应ΔS=0.46%，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN108191246B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201810151932.4
申请日：2018-02-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低介低烧基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：7.0～9.0 mol%的MgO，43.0～45.0 mol%的ZnO，13.0～15.0 mol%的B2O3，34.0 mol%的P2O5，0.5～1.0mol%Ga2O3和0.5mol%Sc2O3。所述基板材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（15‑16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至3.02‑3.15，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至57‑70 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到11500‑14000GHz。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107151138B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201710301046.0
申请日：2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B41/88 , C04B41/80 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法，配方为：0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu，通过加入Bi2WO6，促进烧结，获得致密，晶粒均匀的陶瓷材料，结合化学包覆法，在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面，采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒，合成时形成梯度分级结构，抑制Sn的变价，即克服了该体系漏电流大的问题，也同时提高压电性能，降低介电损耗，解决了该体系绝缘性差，难以极化等难题。该陶瓷材料具有超高压电性能，同时具有超低介电损耗，环境友好型、稳定性好。
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公开(公告)号：CN108558391A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810668020.4
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B41/88
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/622 , C04B35/62842 , C04B35/62886 , C04B35/62894 , C04B41/5116 , C04B41/88 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3241 , C04B2235/3293 , C04B2235/656 , C04B2235/667 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，材料组成为：Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3+0.05wt%Co+0.05wt%Cu。其中Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3通过固相合成法，Co与Cu分别以沉淀的形式在表面二次包覆形成，通过烧结技术产生特殊的分级次梯度结构，产生巨压电效应，这些性能目前超过了所有报道的无铅压电陶瓷。产品经实验测量，具有非常优异的压电性能，准静态压电常数d33=1820pC/N，压电应变常数 =2032pm/V，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107572827A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710998285.6
申请日：2017-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微晶玻璃基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：9～10 mol%的CaO，40～42 mol%的ZnO，13～15 mol%的B2O3，35 mol%的P2O5和0～1.5mol%的TiO2。所述基板材料是一种具有低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（13-15GHz）下的相对介电常数（Er）低至4.18-4.76，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至13-28 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到9100-25000GHz。
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公开(公告)号：CN107032786A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710330694.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种同时具有高压电性能与高机械品质因数的低烧无铅压电陶瓷，其特征在于，组成通式为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)1‑2y(LiAl0.5Y0.5)yTiO3‑ xBa(Ti0.9Mn0.1)O3+z(0.6BiVO4‑0.4CuO)来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN104649660B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201510103955.4
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/64 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋基高温压电与高储能密度无铅介电陶瓷材料，成分以通式(1‑u)BiFe1‑xMexO3–uBaTi1‑ y(Zn1/3Nb2/3)yO3来表示，其中Me为三价金属元素Al、Ga、Y、Sc、Cr、Co中的一种或两种，x、y、u表示摩尔分数，0.01≤x≤0.4，0.01≤y≤0.3，0.1≤u≤0.5。本发明采用分步合成结合微波烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达0.90J/cm3，压电常数d33可达236pm/V、应变可达0.19%，居里温度可达452oC，应变滞后小，实用性好。
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