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公开(公告)号：CN103996843B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410221391.X
申请日：2014-05-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔锰酸锂纳米片及其制备方法，本发明是采用甘蔗渣作为还模板制备多孔锰酸锂纳米片，工艺步骤为：（1）甘蔗渣处理，（2）制备混合液，（3）吸附，（4）煅烧，（5）清洗。经过检测本多孔锰酸锂纳米片厚度尺寸为20-50纳米，因其具有良好的电化学性能，可用作水系锂电电极材料。本发明与现有技术相比，制备工艺简单、低成本、绿色环保、资源丰富，产品具有应用优势，有较好的经济效益、社会效益和生态效益。
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公开(公告)号：CN105097276A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510449224.5
申请日：2015-07-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法。该方法先配制纳米金属粉体浆料或采用溶胶凝胶法制备非金属导电氧化物胶体，并均匀涂覆在基片上，然后通过可控温度的红外光斑对基片定向扫描加热，从而使浆料或胶体在干燥、挥发过程中发生定向收缩并形成初始电极图案，最后采用激光光斑加热，使金属电极材料发生表面粘结或使非金属导电氧化物结晶并形成清晰的电极图案最后采用溶胶凝胶法或溅射法制备介质薄膜，再按上述方法在介质薄膜上制备电极薄膜，并利用定向扫描加热使第二层电极与底电极形成错层，重复上述步骤制成具有叉指结构的多层薄膜电容器。本发明无需使用掩膜或光刻技术即可实现多层薄膜电容器的制备，具有成本低，工艺控制简单的特点。
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公开(公告)号：CN105006362A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510449369.5
申请日：2015-07-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G4/33
Abstract: 本发明公开了一种可剥离衬底的薄膜电容器制备方法。其工艺步骤为：①在衬底上旋涂一定厚度的聚胺脂胶层，并用紫外光固化；②采用溶胶凝胶或溅射法制备介质层；③采用溅射法制备电极层，并利用激光刻蚀获得图案化电极图层；④再按介质层/电极图层/介质层/电极图层的方式依次制备，并在电容器长边的两端制备端电极，形成叉指结构的单层或多层薄膜电容器；⑤将上述薄膜电容器放入电阻炉，在一定温度进行退火处理，使介质层晶化并烧掉有机层，实现薄膜电容器从衬底上的剥离。本发明无需使用酸或碱等腐蚀物质即可实现器件与衬底的剥离，具有工艺简单、易于工业化的特点，特别适合于制作各种单层或多层薄膜元器件。
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公开(公告)号：CN104843976A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510150714.5
申请日：2015-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03B23/03
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明公开了一种3D曲面超薄玻璃弯曲成型装置和制造方法。该装置包括：转盘、凹模、凸模、气缸、玻璃转移机构、隧道炉、真空系统以及电气控制操作系统，其中转盘上设有多个凹模。采用上述装置，分阶段快速加热凹模和凸模，将超薄玻璃依次置于转盘的凹模上，并进行预热，当超薄玻璃旋转到达凸模对应的工位后，压下凸模并利用远红外灯管快速加热到玻璃软化点，同时利用真空系统对凹模上的超薄玻璃抽吸和凸模加压，使超薄玻璃发生弯曲，经玻璃转移机构将超薄玻璃转到隧道炉进行降温，即可实现3D曲面超薄玻璃的制造。本方法具有批量化、自动化、高效制造的特点，特别适合用于曲面显示屏保护膜的3D曲面超薄玻璃的制造。
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公开(公告)号：CN103996843A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410221391.X
申请日：2014-05-23
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01M4/505 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种多孔锰酸锂纳米片及其制备方法，本发明是采用甘蔗渣作为还模板制备多孔锰酸锂纳米片，工艺步骤为：（1）甘蔗渣处理；（2）制备混合液；（3）吸附；（4）煅烧；（5）清洗。经过检测本多孔锰酸锂纳米片厚度尺寸为20-50纳米，因其具有良好的电化学性能，可用作水系锂电电极材料。本发明与现有技术相比，制备工艺简单、低成本、绿色环保、资源丰富，产品具有应用优势，有较好的经济效益、社会效益和生态效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102436936B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110269256.9
申请日：2011-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G9/048
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用具有双重3D结构的二氧化锰薄膜电极及其制备方法，采用具有3D结构的泡沫镍等泡沫金属集流体上覆盖另一3D结构的二氧化锰薄膜组成。其制备方法是在泡沫镍等泡沫金属集流体上通过水热的方法直接反应制备得到二氧化锰薄膜。所述水热制备过程包括集流体清洗、溶液配制以及水热反应等步骤。所制备的薄膜电极具有双重3D结构，且而作为超级电容器的电极具有良好的电容特性及较高的储能特性。同现有技术相比较，本发明制备得到的超级电容器用二氧化锰薄膜电极，较现有二氧化锰电极具有更大的活性物质与电解液接触面积，具有更高的活性物质利用率和更高的比容量。
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公开(公告)号：CN102867655A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210392323.0
申请日：2012-10-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G11/84
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种管状介孔二氧化锰的超级电容器及其制备方法，其特征在于：管状介孔二氧化锰的超级电容器，是具有孔径分布为2－50nm、管径为0.5－10μm、内外径比>0.9、长径比>10的α、β、或γ相二氧化锰，或三种晶相中两两混合，或三种晶相混合的二氧化锰，其制备方法是把棉花浸泡在高锰酸钾的水溶液中，待干燥后将吸附高锰酸钾的棉花在空气中煅烧，再将煅烧后的产物进行水洗及干燥得到氧化锰粉体，具有良好的电容特性及较高的储能特性，可用作为超级电容器的电极材料，本发明简单、环保、低成本且性能好等优点。
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公开(公告)号：CN119241900A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411357382.3
申请日：2024-09-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔蜂窝状聚合物材料的方法，非溶剂相分离法。微乳液(由去离子水和丙三醇组成)作为造孔剂引入到聚合物PVDF‑HFP中，利用各个溶剂挥发温度的不同，实现微乳液的液相和聚合物PVDF‑HFP的凝胶相分离。所述方法是利用不同相之间的不相容性来形成多孔结构，这种方法制备的多孔蜂窝状聚合物材料，不仅可以在生物传感、药物控制释放和环境监测等领域展现出独特优势，以及在能源存储领域显示出优异的电化学性能，还可以应用于半固态、固态锂离子、钠离子电池等领域。所述方法是一种简便、绿色、可控并具有商业化应用潜力的多孔蜂窝状聚合物材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN117728014A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311741102.4
申请日：2023-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/42 , H01M10/0525 , C08G83/00
Abstract: 本发明公开了一种具有高离子电导率的凝胶聚合物固态电解质及制备方法，所述凝胶聚合物固态电解质的化学式为H‑Co/Zn‑ZIF/PVDF‑HFP，其中纳米填料H‑Co/Zn‑ZIF具有“笼”型双MOF结构，聚合物PVDF‑HFP具有连续且贯通的微孔通道，H‑Co/Zn‑ZIF处于PVDF‑HFP的微孔通道中。本发明利用了ZIF‑67在温和的溶剂热条件下从菱形十二面体到中空结构的自发相变。鉴于ZIF‑67和ZIF‑8是同构的，可以通过外延生长“笼”型结构（ZIF‑67@ZIF‑8），进一步利用ZIF‑67的内部相转变，实现了具有规则形貌和规整晶体特征的“笼”型双MOF结构。随后，将H‑Co/Zn‑ZIF引入多孔道的PVDF‑HFP中，解决了凝胶聚合物固态电解质机械性能差、长时间循环难以抵抗锂枝晶生长的问题。
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公开(公告)号：CN117185780A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311141585.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低氧化锡含量ITO靶材及制备方法，所述ITO靶材掺杂了0.02wt%±10%的二氧化硅和0.25wt%±10%的二氧化钛，氧化锡在氧化铟、氧化锡两者中的重量占比为1‑3。所述ITO靶材的制备方法包括：（1）称取氧化铟和氧化锡粉末，其中氧化锡粉末重量占比1‑3；再另外添加0.02wt%±10%的二氧化硅和0.25wt%±10%的二氧化钛，以无水乙醇为溶剂，球磨后烘干。（2）加入40wt%的乙酸再次充分研磨，获得浆料。（3）浆料置于模具中，缓慢加压至200‑300MPa，升温至400℃±10%，保温保压1‑2小时，得到ITO素坯。（4）ITO素坯在氧化气氛、1400‑1550℃温度下烧结，得到低氧化锡含量ITO靶材。本发明可以提高ITO薄膜中的载流子迁移率，有助于提高薄膜太阳能电池的性能。
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