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公开(公告)号：CN104409426B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201410613928.7
申请日：2014-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括：由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导体台面的工艺步骤，包括：在该半导体台面上沉积类金刚石膜以形成第一钝化膜，在第一钝化膜上涂覆有机膜用以形成第二钝化膜，第一钝化膜和第二钝化膜形成钝化层；在钝化层上灌注保护橡胶以形成保护层。本发明采用双层钝化膜形成钝化层，可以实现钝化层与半导体台面的良好接触性能，提升可靠性，还可以屏蔽负电性的保护层对半导体台面的电场影响，改善半导体器件的阻断耐压。
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公开(公告)号：CN105633125A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410690686.1
申请日：2014-11-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片台面结构及其保护方法，半导体芯片台面结构包括：覆盖在半导体芯片边缘表面的钝化层，钝化层为半导体芯片在经过类金刚石膜沉积处理后，放置于200℃至350℃的环境中，并且在惰性气体氛围下进行退火处理后生成。类金刚石膜沉积处理使用气态碳氢化合物或其与氢气的混合物作为原料，通过PECVD工艺生成富含H元素或H离子的类金刚石膜。H元素或H离子以非定型方式分布于类金刚石膜的C原子网络中。通过实施本发明台面结构及其保护方法，半导体芯片经过退火处理，能够有效减小半导体芯片边缘的表面漏电流、降低芯片的静态损耗，从而有效提升半导体器件的长期可靠性。
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公开(公告)号：CN102969315B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210524325.0
申请日：2012-12-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/082 , H01L21/761
Abstract: 本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管，包括：GCT、FRD，以及GCT和FRD之间的隔离区。GCT在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区、GCT的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和GCT的P+阳极区。FRD在纵向由上至下依次包括FRD的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和FRD的N+阴极区。N′缓冲层为GCT和FRD共用的N′缓冲层。在隔离区的上表面轻掺杂有一层N′杂质，N′杂质的掺杂浓度比N-衬底的掺杂浓度高出1～2个数量级。本发明利用杂质的补偿作用，在不改变隔离区P型掺杂分布的条件下，增加了隔离区的有效宽度，克服了现有技术存在的扩散控制精度不高、工艺复杂、不适用于高压器件的缺点。
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公开(公告)号：CN104409426A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410613928.7
申请日：2014-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括：由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导体台面的工艺步骤，包括：在该半导体台面上沉积类金刚石膜以形成第一钝化膜，在第一钝化膜上涂覆有机膜用以形成第二钝化膜，第一钝化膜和第二钝化膜形成钝化层；在钝化层上灌注保护橡胶以形成保护层。本发明采用双层钝化膜形成钝化层，可以实现钝化层与半导体台面的良好接触性能，提升可靠性，还可以屏蔽负电性的保护层对半导体台面的电场影响，改善半导体器件的阻断耐压。
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公开(公告)号：CN102969315A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210524325.0
申请日：2012-12-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/082 , H01L21/761
Abstract: 本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管，包括：GCT、FRD，以及GCT和FRD之间的隔离区。GCT在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区、GCT的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和GCT的P+阳极区。FRD在纵向由上至下依次包括FRD的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和FRD的N+阴极区。N′缓冲层为GCT和FRD共用的N′缓冲层。在隔离区的上表面轻掺杂有一层N′杂质，N′杂质的掺杂浓度比N-衬底的掺杂浓度高出1～2个数量级。本发明利用杂质的补偿作用，在不改变隔离区P型掺杂分布的条件下，增加了隔离区的有效宽度，克服了现有技术存在的扩散控制精度不高、工艺复杂、不适用于高压器件的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102214686A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110107686.0
申请日：2011-04-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法，广泛应用于电力半导体、电力电子器件、全控型晶闸管等的阴极图形设计。阴极图形包括：以圆心为轴划分的等分扇区和同心圆环，扇区与同心圆环相交处为图形单元，分布在扇区内并位于同一圆环内的梳条沿圆环的圆弧排布，每圈梳条的外边线为圆弧，且梳条的朝向均平行于扇区的中心线，相邻的两个扇区之间留有门极快捷通道。将按上述设计的光刻掩膜版通过光刻加工，把阴极图形转移到芯片的表面，最终完成制作。该阴极图形及其梳条图形排布方法提高了芯片的有效面积利用率，提高了各梳条开通/关断的均匀性，有利于平衡距离门极电极远近带来的梳条开通/关断差异，便于加工成型。
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公开(公告)号：CN100557768C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710035981.3
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 半导体芯片梳条修理方法及装置，通过一套模拟手工修理方法的梳条修理机构对有问题的梳条进行修理。所述的模拟手工修理方法是通过一套定位装置将半导体器件芯片固定在显微工作台上，再由一套模拟手工修理芯片梳条的剔梳条机构完成芯片梳条的修理。其中，所述的模拟手动修理芯片梳条的剔梳条机构是通过一微动定位机构将修理梳条的刀具刀口调至待剔梳条的根部及对准梳条的长度方向，准备剔条；再由与刀具安装在一起的拴导机构使刀口产生所需的直线运动，完成剔除梳条的动作。所述的梳条修理机构由芯片定位座、刀具、微动定位机构及拴导机构几部分构成，整个结构置于“显微工作台”内。
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公开(公告)号：CN100490105C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710035982.8
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体芯片的灌胶方法及模具，所述的灌胶处理方法是通过一套模芯与模座一体金属与塑料复合结构的模具对半导体元件芯片的台面进行灌胶处理。具体说，所述的灌胶处理是将芯片置于由金属与塑料复合结构构成的上模和下模之间，用螺栓加力使缝隙紧密贴合，从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出。其中，所述的芯片是待加工的部分，芯片需安装在上模和下模之间，并用螺栓加力使上模和下模之间的缝隙紧密贴合，再从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出；所述的上模和下模是用于形成模腔，是完成特定形状与尺寸的灌胶操作的工装模具，上模和下模是将模芯与模座和为一体，且模芯是由金属与塑料复合结构构成的。
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公开(公告)号：CN101355072A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810215654.0
申请日：2008-09-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L29/74
Abstract: 一种门极换流晶闸管，包括阳极端(103)、阴极端(101)、所述阳极端(103)和阴极端(101)之间的管壳(105)以及由所述管壳(105)外壁引出的门极引线(111)；所述门极引线(111)具有与印刷电路板连接的安装面(112)；其特征在于，还包括由所述管壳(105)外壁引出的且与所述阴极端(101)电连接的阴极引线(109)；所述阴极引线(109)具有与印刷电路板连接的安装面(110)；且在所述门极换流晶闸管安装于印刷电路板上时，所述阴极引线(109)的安装面(110)与所述门极引线(111)的安装面(112)位于印刷电路板的同侧。本发明的门极换流晶闸管易于与印刷电路板组装，且使得门控晶闸管与印刷电路板组成的器件易于维护。
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公开(公告)号：CN1937245A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610032431.1
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种直列插入式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述门电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后布置于壳体的外侧形成插头。本发明是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的直列插入式半导体器件。
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